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FJMA790 PNP外延硅晶体管
2006年6月
FJMA790
PNP外延硅晶体管
高电流表面贴装PNP硅开关晶体管
在便携式应用负荷管理
高集电极电流
低集电极 - 发射极饱和电压
符合RoHS
符合RoHS
tm
销1
3脚
C
1
6
C
集热器
辐射源
C
2
5
C
B
3
4
E
引脚6
引脚4
MicroFET2X2
绝对最大额定值
T
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
D
T
J
T
英镑
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
功耗
结温
储存温度
Note1)
Note2)
a
= 25 ° C除非另有说明
参数
价值
-50
-35
-5
-2
1.56
0.8
150
-55 ~ 150
单位
V
V
V
A
W
W
°C
°C
热特性
中T = 25 ° C除非另有说明
a
符号
R
Θ
JA
参数
热阻，结到环境
Note1)
Note2)
马克斯。
80
154
单位
° C / W
° C / W
注1） ：
安装在一个1英寸的设备
2
2盎司纯铜垫一个垫子1.5
×
1.5英寸板的FR-4材料。
注2 ） ：
安装在2盎司铜焊盘的最小焊盘上的1.5器件
×
1.5英寸板的FR-4材料
2006仙童半导体公司
1
www.fairchildsemi.com
FJMA790版本A
FJMA790 PNP外延硅晶体管
电气特性
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
T
a
= 25 ° C除非另有说明
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
条件
I
C
= -100μA ，我
E
= 0
I
C
= -10mA ，我
B
= 0
I
C
= -100μA ，我
C
= 0
V
CB
= -35V ，我
C
= 0
V
EB
= -4V ，我
C
= 0
V
CE
= -1.5V ，我
C
= -1A
V
CE
= -1.5V ，我
C
= -1.5A
V
CE
= -3V ，我
C
= -2A
V
CE
= -2V ，我
C
= -500mA
I
C
= -500mA ，我
B
= -5mA
I
C
= -1A ，我
B
= -10mA
I
C
= -2A ，我
B
= -50mA
I
C
= -1A ，我
B
= -10mA
V
CE
= -2V ，我
C
= -1A
分钟。
-50
-35
-5
典型值。
马克斯。
单位
V
V
V
A
A
-0.1
-0.1
100
100
100
100
400
V
CE （ SAT ）
集电极 - 发射极饱和电压
-250
-350
-450
-0.9
-0.9
mV
mV
mV
V
V
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
基射极饱和电压
基射极电压上
包装标志和订购信息
器件标识
790
设备
FJMA790
包
MLP 2 × 2单
带尺寸
7”
胶带宽度
8mm
QUANTITY
3000台
2
FJMA790牧师A1
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FJMA790 PNP外延硅晶体管
典型特征
600
Vce=-1.5V
500
Vce=-2.0V
125 C
o
500
125 C
的hFE ， DC电流增益
的hFE ， DC电流增益
400
o
400
75 C
300
o
75 C
300
o
25 C
200
o
25 C
200
o
-40 C
100
1E-3
0.01
o
-40 C
100
o
0.1
1
1E-3
0.01
0.1
1
集电极电流[ A]
集电极电流[ A]
图1.直流电流增益的Vce = 1.5V
0.5
图2.直流电流增益的Vce = 2V
500
Vce=-3.0V
125 C
o
Ic=40Ib
的Vce （ sat）的，饱和电流， [V]的
0.4
的hFE ， DC电流增益
400
75 C
300
o
0.3
o
25 C
-40 C
o
25 C
200
o
0.2
-40 C
100
o
0.1
75 C
125 C
o
o
1E-3
0.01
0.1
1
0.0
0.01
0.1
1
集电极电流[ A]
集电极电流[ A]
图3.直流电流增益的Vce = 3V
1.0
图4.集电极发射极Satuation电压（ 1 ）
1.0
Ic=100Ib
的Vce （ sat）的，饱和电流， [V]的
0.8
Ic=100Ib
VBE （星期六） ，饱和电流， [ V]
0.8
125 C
75 C
0.6
o
o
0.6
25 C
0.4
o
-40 C
o
o
125 C
0.2
o
25 C
-40 C
0.4
o
o
75 C
0.0
0.01
0.1
1
0.01
0.1
1
集电极电流[ A]
集电极电流[ A]
图5.集电极 - 发射极电压Satuation （ 2 ）
图6.基射极饱和电压
3
FJMA790版本A
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FJMA790 PNP外延硅晶体管
典型性能特性
Vce=-2V
1
（续）
1E-7
Vcb=-35V
ICBO （A ） ，反向漏电流
1E-8
发射极电流， [ A]
125 C
0.1
o
75 C
o
25 C
o
-40 C
o
1E-9
1E-10
0.01
0.4
0.6
0.8
1.0
1E-11
25
50
o
75
100
125
Vfbe （上） ，开启电压[ V]
TA（ C） ， Ambent温度
图7.基线射极导通电压
1E-7
图8.集电极基极漏电流
2.0
Veb=-4V
ICBO （A ） ，反向漏电流
钯，功耗[ W]
1E-8
1.5
1E-9
1.0
1E-10
0.5
1E-11
25
0.0
50
o
75
100
125
0
25
50
75
100
o
125
150
175
TA（ C） ， Ambent温度
外壳温度，T
a
[ C]
图9.基射极漏电流
图10.功率降额
300
100
输入Juntion电容，C
ib
[ pF的]
275
250
225
200
175
150
125
100
0
1
2
3
f=1mhz
输出Juntion电容，C
ob
[ pF的]
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
10
20
30
f=1mhz
4
5
40
50
反向电压， V
R
[V]
反向电压， V
R
[V]
图11.输入电容
图12.输出电容
4
FJMA790版本A
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FJMA790 PNP外延硅晶体管
典型性能特性
图12.瞬态热响应
1
R（T ） ，规范有效的瞬变
D = 0.5
（续）
R
θ
J A
（吨） = R （t）的R *
θ
J A
R
θ
J A
= 1 5 4 ° C / W
热阻
0.2
0.1
0 .1
0.05
P( p
)
t
1
t
2
T
J
- T
C
= P * R
θ
J A
( t)
杜TY赛扬乐，D = T
1
/ t
2
S IN克乐P ü LS ê
0.02
0.01
0 .0 1
0 .0 0 0 1
0 .0 0 1
0 .0 1
0 .1
t
1
，T IM E（发E C）
1
10
100
1000
5
FJMA790牧师A1
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推荐型号
FAM3D22J
FME-210B
FQP44N10F
FWIXEECD0QE001
FW150S6R59
FDD6035
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FM4002C
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FYAA3J1-2
FW300B1
FAR-C4CQ-12000-M12-RRR
FX5545G0081V1B5
FSBF3CH60B
FX611LG
FT2000G
FTR-K1CK048T-LA
FP5137B
FM5820-A
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