FIO 50-12BD
双向开关
与不扩散核武器条约
3
IGBT
和快速二极管桥
在ISOPLUS I4 -PAC
TM
3
I
C25
= 50 A
= 1200 V
V
CES
V
CE （ sat）的典型值。
= 2.0 V
1
2
1
4
5
5
IGBT
符号
V
CES
V
GES
I
C25
I
C90
I
CM
V
CEK
t
SC
（ SCSOA ）
P
合计
T
C
= 25°C
T
C
= 90°C
V
GE
=
±
15 V ;
G
= 39
;
T
VJ
= 125°C
RBSOA ，钳位感性负载; L = 100 μH
V
CE
= 900V; V
GE
=
±
15 V ;
G
= 39
;
T
VJ
= 125°C
不重复
T
C
= 25°C
条件
T
VJ
= 25 ℃至150 ℃的
最大额定值
1200
±
20
50
32
50
V
CES
10
200
s
W
V
V
A
A
A
特点
NPT
3
IGBT
- 低饱和电压
- 正温度系数
简单的并联
- 快速切换
- 短尾巴电流优化
在谐振电路的性能
HiPerFRED
TM
二极管
- 快速反向恢复
- 低运行正向电压
- 低漏电流
ISOPLUS I4 -PAC
TM
包
- 孤立的背面
- 引脚之间的低耦合能力
和散热器
- 对散热器的爬电距离扩大
- 应用型引出线
- 低电感的电流路径
- 高可靠性
- 行业标准大纲
- UL注册，E 72873
应用
开关来控制双向电流
流由一个单一的控制信号：
矩阵变换器
稀疏矩阵转换器
AC控制器
符号
条件
特征值
(T
VJ
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。
典型值。马克斯。
2.0
2.3
4.5
0.4
200
85
50
440
50
4.6
2.2
2
150
1.2
2.6
6.5
0.4
V
V
V
mA
mA
nA
ns
ns
ns
ns
mJ
mJ
nF
nC
0.6 K / W
K / W
V
CE （ SAT ）
V
GE （日）
I
CES
I
GES
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on
E
关闭
C
IES
Q
坤
R
thJC
R
thjs
I
C
= 30 A; V
GE
= 15 V ;牛逼
VJ
= 25°C
T
VJ
= 125°C
I
C
= 1毫安; V
GE
= V
CE
V
CE
= V
CES
; V
GE
= 0 V ;牛逼
VJ
= 25°C
T
VJ
= 125°C
V
CE
= 0 V; V
GE
=
±
20 V
感性负载，T
VJ
= 125°C
V
CE
= 600 V ;我
C
= 30 A
V
GE
= ±15 V ;
G
= 39
V
CE
= 25 V; V
GE
= 0 V ; F = 1 MHz的
V
CE
= 600 V; V
GE
= 15 V ;我
C
= 35 A
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