FII 30-12E
不扩散核武器条约
3
IGBT
Phaseleg拓扑
在ISOPLUS I4 -PAC
TM
3
5
4
I
C25
= 33 A
= 1200 V
V
CES
V
CE ( sat)的典型值
= 2.4 V
1
1
2
5
IGBT的
符号
V
CES
V
GES
I
C25
I
C90
I
CM
V
CEK
t
SC
( SCSOA )
P
合计
T
C
= 25°C
T
C
= 90°C
V
GE
=
±
15 V ;
G
= 68
;
T
VJ
= 125°C
RBSOA ,钳位感性负载; L = 100 μH
V
CE
= 900V; V
GE
=
±
15 V ;
G
= 68
;
T
VJ
= 125°C
不重复
T
C
= 25°C
条件
T
VJ
= 25 ℃至150 ℃的
最大额定值
1200
±
20
33
20
40
V
CES
10
150
s
W
V
V
A
A
A
特点
NPT
3
IGBT
- 正温度系数
饱和电压,易于并联
- 快速切换
- 短尾巴电流优化
在谐振电路的性能
HiPerFRED
TM
二极管
- 快速反向恢复
- 低运行正向电压
- 低漏电流
ISOPLUS I4 -PAC
TM
包
- 孤立的背面
- 引脚之间的低耦合能力
和散热器
- 对散热器的爬电距离扩大
- 应用型引出线
- 低电感的电流路径
- 高可靠性
- 行业标准大纲
- UL注册,E 72873
应用
单phaseleg
- 降压 - 升压斩波
H桥
- 电源
- 感应加热
- 四象限直流调速器
- 可控整流器
=三相桥
- 交流变频器
- 可控整流器
符号
条件
(T
VJ
特征值
= 25 ° C,除非另有规定编)
分钟。
典型值。马克斯。
2.4
2.8
4.5
0.2
200
205
105
320
175
4.1
1.5
1.2
100
1.2
2.9
6.5
0.2
V
V
V
mA
mA
nA
ns
ns
ns
ns
mJ
mJ
nF
nC
0.8 K / W
K / W
V
CE ( SAT )
V
GE (日)
I
CES
I
GES
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
E
on
E
关闭
C
IES
Q
坤
R
thJC
R
thJH
I
C
= 20 A; V
GE
= 15 V ;牛逼
VJ
= 25°C
T
VJ
= 125°C
I
C
= 0.6毫安; V
GE
= V
CE
V
CE
= V
CES
; V
GE
= 0 V ;牛逼
VJ
= 25°C
T
VJ
= 125°C
V
CE
= 0 V; V
GE
=
±
20 V
感性负载,T
VJ
= 125°C
V
CE
= 600 V ;我
C
= 20 A
V
GE
= ±15 V ;
G
= 68
V
CE
= 25 V; V
GE
= 0 V ; F = 1 MHz的
V
CE
= 600 V; V
GE
= 15 V ;我
C
= 20 A
传热贴
IXYS保留更改限制,试验条件和尺寸的权利。
版权所有2005 IXYS所有权利
1-4
0549