添加收藏夹  设为首页  深圳服务热线：13751165337  13692101218
Pdf资料  |  热门库存  |  IC详细资料  |  网站地图
IC供应 PDF资料 非IC供应
51电子网联系电话：13751165337
首页
供应信息
求购信息
非IC专区
技术资料
电子资讯
招聘中心
会展信息 51旺铺 会员中心
位置：首页 > IC型号导航 > 首字符F型号页 > 首字符F的型号第153页 > FDD6632_04
FDD6632
2004年10月
FDD6632
N沟道逻辑电平UltraFET
沟槽功率MOSFET
30V ，9A ， 70mΩ
概述
该器件采用了一种新的先进的沟槽MOSFET
技术和功能的低栅极电荷，同时保持
低导通电阻。
优化用于切换应用程序，该装置改善了
用DC / DC转换器的整体效率，并允许
操作，以更高的开关频率。
以前发育类型83317
特点
快速开关
r
DS （ ON）
= 0.058Ω （典型值） ，V
GS
= 10V ，我
D
= 9A
r
DS （ ON）
= 0.090Ω （典型值） ，V
GS
= 4.5V ，我
D
= 6A
Q
G（ TOT ）
（典型值） = 2.6nC ，V
GS
= 5V
Q
gd
（典型值） = 0.8nC
C
国际空间站
（典型值） = 255pF
应用
DC / DC转换
D
D
G
S
G
D- PAK
TO-252
(TO-252)
S
MOSFET的最大额定值
T
C
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
DSS
V
GS
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
连续（T
C
= 25
o
C，V
GS
= 10V)
I
D
连续（T
C
=
连续（T
C
=
脉冲
P
D
T
J
, T
英镑
功耗
减免上述
25
o
C
工作和存储温度
100
o
C,
25
o
C,
V
GS
= 4.5V)
52
o
C / W ）
V
GS
= 10V ，R
θJA
=
9
6
4
图4
15
0.1
-55至175
A
A
A
A
W
W/
o
C
o
C
参数
评级
30
±20
单位
V
V
热特性
R
θJC
R
θJA
R
θJA
热阻结到外壳TO- 252
热阻结到环境TO- 252
热阻结到环境TO- 252 ， 1英寸
2
铜层的面积
10
100
52
o
o
C / W
C / W
o
C / W
包装标志和订购信息
器件标识
FDD6632
设备
FDD6632
包
TO-252AA
带尺寸
330mm
胶带宽度
16mm
QUANTITY
2500台
2004仙童半导体公司
FDD6632牧师B1
FDD6632
电气特性
T
C
= 25 ° C除非另有说明
符号
参数
测试条件
民
典型值
最大
单位
开关特性
B
VDSS
I
DSS
I
GSS
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
V
GS
= 0V
V
GS
=
±20V
T
C
= 150 C
o
30
-
-
-
-
-
-
-
-
1
250
±100
V
A
nA
基本特征
V
GS （ TH）
r
DS （ ON）
门源阈值电压
漏极至源极导通电阻
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250A
I
D
= 9A ，V
GS
= 10V
I
D
= 6A ，V
GS
= 4.5V
1
-
-
-
0.058
0.090
3
0.070
0.110
V
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
G（ TOT ）
Q
G（ TH ）
Q
gs
Q
gd
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷为5V
阈值的栅极电荷
门源栅极电荷
栅漏“米勒”充电
(V
GS
= 4.5V)
-
-
V
DD
= 15V ，我
D
= 6A
V
GS
= 4.5V ，R
GS
= 47
-
-
-
-
(V
GS
= 10V)
-
-
V
DD
= 15V ，我
D
= 6A
V
GS
= 10V ，R
GS
= 47
-
-
-
-
-
4
2
33
20
-
9
-
-
-
-
80
ns
ns
ns
ns
ns
ns
-
10
41
10
23
-
77
-
-
-
-
50
ns
ns
ns
ns
ns
ns
V
DS
= 15V, V
GS
= 0V,
F = 1MHz的
V
GS
= 0V至5V
V
GS
= 0V至1V
V
DD
= 15V
I
D
= 9A
I
g
= 1.0毫安
-
-
-
-
-
-
-
255
73
23
2.6
0.3
0.8
0.8
-
-
-
4.0
0.5
-
-
pF
pF
pF
nC
nC
nC
nC
开关特性
t
ON
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
关闭
开启时间
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
打开-O FF时间
开关特性
t
ON
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
关闭
开启时间
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
打开-O FF时间
非钳位感应开关
t
AV
雪崩时间
I
D
= 2.3A ，L = 3.0mH
153
-
-
s
漏源二极管的特性
V
SD
t
rr
Q
RR
源极到漏极二极管电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
I
SD
= 9A
I
SD
= 5A
I
SD
= 9A ，二
SD
/ DT = 100A / μs的
I
SD
= 9A ，二
SD
/ DT = 100A / μs的
-
-
-
-
-
-
-
-
1.25
1.0
18
8
V
V
ns
nC
2004仙童半导体公司
FDD6632牧师B1
FDD6632
典型特征
T
C
= 25 ° C除非另有说明
1.2
10
功耗乘法器
1.0
I
D
，漏电流（ A）
8
V
GS
= 10V
6
0.8
0.6
4
V
GS
= 4.5V
2
0.4
0.2
0
0
25
50
75
100
125
150
175
T
C
，外壳温度（
o
C)
0
25
50
75
100
125
150
175
T
C
，外壳温度（
o
C)
图1.归功耗与
环境温度
2
1
占空比 - 降序排列
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
图2.最大连续漏极电流VS
外壳温度
Z
θJC
归一化
热阻抗
P
DM
0.1
t
1
t
2
单脉冲
注意事项：
DUTY因子：D = T
1
/t
2
PEAK牛逼
J
= P
DM
X Z
θJC
个R
θJC
+ T
C
10
-2
吨，矩形脉冲持续时间（ S）
10
-1
10
0
10
1
0.01
10
-5
10
-4
10
-3
图3.归一化最大瞬态热阻抗
100
T
C
= 25
o
C
对于温度
上述25
o
C减免PEAK
I
DM
峰值电流（ A）
当前，如下所示：
I = I
25
V
GS
= 5V
175 - T
C
150
跨
可能限流
在这个区域
10
7
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
T，脉冲宽度（ S）
10
-1
10
0
10
1
图4.峰值电流容量
2004仙童半导体公司
FDD6632牧师B1
FDD6632
典型特征
T
C
= 25 ° C除非另有说明
20
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 ％ MAX
V
DD
= 15V
I
D
，漏电流（ A）
T
J
= 25
o
C
20
V
GS
= 10V
V
GS
= 5V
I
D
，漏电流（ A）
15
15
V
GS
= 4.5V
10
10
V
GS
= 3.5V
5
T
J
= 175
o
C
0
1
2
3
4
5
6
V
GS
，门源电压（ V）
T
J
= -55
o
C
5
T
C
= 25
o
C
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 ％ MAX
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
V
DS
，漏源极电压（ V）
图5.传输特性
150
归一漏极至源极
抗性
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 ％ MAX
r
DS （ ON）
，漏极到源极
ON电阻（mΩ ）
125
I
D
= 6A
100
I
D
= 9A
图6.饱和特性
2.0
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 ％ MAX
1.5
1.0
75
V
GS
= 10V ，我
D
= 9A
50
2
4
6
8
10
V
GS
，门源电压（ V）
0.5
-80
-40
0
40
80
120
o
160
200
T
J
，结温（ C）
图7.漏极至源极导通电阻VS门
电压和漏极电流
1.2
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250A
归一漏极至源极
击穿电压
图8.归漏极至源极导
电阻与结温
1.2
I
D
= 250A
归一化门
阈值电压
1.0
1.1
0.8
1.0
0.6
0.4
-80
-40
0
40
80
120
(
o
C)
160
200
0.9
-80
-40
0
40
80
120
(
o
C)
160
200
T
J
，结温
T
J
，结温
图9.归栅极阈值电压VS
结温
图10.归漏极至源极
击穿电压VS结温
2004仙童半导体公司
FDD6632牧师B1
FDD6632
典型特征
T
C
= 25 ° C除非另有说明
500
V
GS
，门源电压（ V）
C
国际空间站
=
C
GS
+ C
GD
10
V
DD
= 15V
8
C，电容（pF ）
C
OSS
C
DS
+ C
GD
100
C
RSS
=
C
GD
6
4
任意波形
降序排列：
I
D
= 9A
I
D
= 4A
0
1
2
3
Q
g
，栅极电荷（ NC）
4
5
2
V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
10
0.1
1
10
V
DS
，漏源极电压（ V）
30
0
图11.电容VS漏极至源极
电压
50
V
GS
= 4.5V, V
DD
= 15V ，我
D
= 6A
t
r
40
切换时间（纳秒）
图12.栅极电荷波形为恒
门电流
40
V
GS
= 10V, V
DD
= 15V ，我
D
= 6A
切换时间（纳秒）
30
t
D（关闭）
30
t
f
20
t
D（关闭）
t
D（上）
0
0
10
20
30
40
R
GS
，门源电阻（ Ω ）
50
20
t
f
10
t
D（上）
0
0
t
r
10
20
30
40
R
GS
，门源电阻（ Ω ）
50
10
图13.开关时间与栅极电阻
图14.开关时间与栅极电阻
测试电路和波形
V
DS
t
P
L
I
AS
异吨
P
获得
所需的峰值I
AS
V
GS
DUT
t
P
0V
R
G
-
BV
DSS
V
DS
V
DD
+
V
DD
I
AS
0.01
0
t
AV
图15.松开能源利用检测电路
2004仙童半导体公司
图16.松开能源波形
FDD6632牧师B1
查看更多FDD6632_04PDF信息
推荐型号
FAIXPLCD0QE001
FU-68SDF-W02M69F
FTLF1424P2BCR
FYS-40011AXX-0
FU-68PDF-510M55B
F4705R
FX5545G0181V4T2E2
FFA20U120DN
FYS-4012BX-3
FP6143-4
FG4000CX-90DA
F1072
FII30-12E
FBR163NCD014RW-CSA
FF650R17IE4D_B2
FCZ100C-16RR-K
FL-5108S
FU-632SEA-W61M67F
FEFE20F
FSTU32X800
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
    QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ：2369405325 复制

    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    FDD6632_04
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
查询更多FDD6632_04供应信息
深圳市碧威特网络技术有限公司
 复制成功！