订购数量: ENN6179
NPN外延平面硅晶体管复合
FH203
压控振荡器OSC电路中的应用
特点
·复合型带缓冲晶体管( 2SC5245 )
和一个振荡器晶体管( 2SC5415 )包含在
目前提供的MCP封装为一个VCO
振荡器,提高了安装效率大大。
·该FH203形成有两个芯片,是等价
借给2SC5245和2SC5415 ,放置在一个
封装。
·最适合于在UHF频段振荡电路使用。
包装尺寸
单位:mm
2160
[FH203]
0.425
0.15
6
5
4
1.25
2.1
0-0.1
0.2
0.425
1 2
0.65
2.0
3
特定网络阳离子
绝对最大额定值
在Ta = 25℃
参数
TR1 [ 2SC5245 ]
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散
TR2 [ 2SC5415 ]
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散
[常用规格]
总功耗
结温
储存温度
PT
Tj
TSTG
VCBO
VCEO
VEBO
IC
PC
VCBO
VCEO
VEBO
IC
PC
符号
条件
0.9
评级
20
10
1.5
30
150
20
10
2
100
150
200
150
-55到+150
0.2
0.25
1 : Collector1
2 : Emitter1
3 : Collector2
4 :和Base2
5 : Emitter2
6 : BASE1
三洋: MCP6
单位
V
V
V
mA
mW
V
V
V
mA
mW
mW
C
C
描述或此处包含的任何及所有SANYO产品没有特定网络连接的阳离子,能够处理
适用于要求极高的可靠性,如生命支持系统,飞机的
控制系统或其他应用程序的故障可合理预期会导致严重的
物理和/或财产损失。使用前,用您的SANYO代表咨询离您最近的
描述或在此类应用中所包含的所有三洋的产品。
三洋承担所造成的产品使用AT值的设备故障不承担责任的原则
超越,即使是瞬间,额定数值(例如最大额定值,工作环境范围或其他
在产品规格中列出的所有参数)和所有SANYO产品描述或包含
在本文中。
三洋电机有限公司。半导体公司
东京办事处东京大厦。 , 1-10 , 1丁目,上野,台东区,东京, 110-8534 JAPAN
N0199TS ( KOTO ) TA- 1709 No.6179-1 / 9
FH203
电气特性
在Ta = 25℃
参数
TR1 [ 2SC5245 ]
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
增益带宽积
输出电容
正向传输增益
噪声系数
TR2 [ 2SC5415 ]
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
增益带宽积
输出电容
正向传输增益
噪声系数
ICBO
IEBO
的hFE
fT
COB
| S21e |
NF
2
符号
条件
评级
民
典型值
最大
1.0
10
90
8
8
11
0.45
10
1.4
3.0
1.0
10
90
6
10
7.5
0.9
12
1.1
2.0
1.4
200
0.7
200
单位
ICBO
IEBO
的hFE
fT
COB
| S21e |
NF
2
VCB = 10V , IE = 0
VEB = 1V , IC = 0
VCE = 5V , IC = 10毫安
VCE = 5V , IC = 10毫安
VCB = 10V , F = 1MHz的
VCE = 5V , IC = 10毫安中,f = 1.5GHz的
VCE = 5V , IC = 5毫安中,f = 1.5GHz的
VCB = 10V , IE = 0
VEB = 1V , IC = 0
VCE = 5V , IC = 30毫安
VCE = 5V , IC = 30毫安
VCB = 10V , F = 1MHz的
VCE = 5V , IC = 30mA时F = 1GHz的
VCE = 5V , IC = 7毫安中,f = 1GHz的
A
A
GHz的
pF
dB
dB
A
A
GHz的
pF
dB
dB
标记: 203
电气连接
B1
E2
B2
Tr1
Tr2
C1
E1
C2
5
3
2
的hFE - IC
[Tr1]
VCE=5V
增益带宽积, FT - GHz的
3
2
FT - IC
[Tr1]
直流电流增益, hFE参数
10
7
5
3
2
=5V
VCE
1V
100
7
5
3
2
10
7
5
0.1
1.0
7
2
3
5
7 1.0
2
3
5
7 10
2
3
集电极电流, IC - 毫安
5
3
7 100
IT00478
5
5
0.1
2
3
5
集电极电流, IC - 毫安
7 1.0
2
3
5
7 10
2
3
5
IT00479
COB - VCB
[Tr1]
f=1MHz
反向传输电容, Cre重组酶 - pF的
5
3
2
CRE - VCB
[Tr1]
f=1MHz
输出电容,科夫 - pF的
2
1.0
7
5
3
2
1.0
7
5
3
2
0.1
7
5
7 0.1
2
3
5
7 1.0
2
3
5
7 10
2
3
5
0.1
7
5
7 0.1
2
3
5
7 1.0
2
3
5
7 10
2
3
5
集电极 - 基极电压VCB - V
IT00480
集电极 - 基极电压VCB - V
IT00481
No.6179–2/9