FAN7080_GF085半桥栅极驱动器
2009年11月
半桥栅极驱动器
特点
符合AEC Q100
浮动通道设计为引导操作完全能操作
憩为+ 600V
耐VS引脚上的负瞬态电压
VS引脚的dv / dt的免疫。
栅极驱动电压范围从5.5V至20V
欠压锁定
CMOS施密特触发与下拉输入
高侧输出同相输入端
IN输入为3.3V / 5V逻辑兼容,并适用于15V
输入
匹配的传播延迟为两个通道
死区时间可调
FAN7080_GF085
描述
该FAN7080_GF085是一个半桥栅极驱动IC与复位
输入和可调节的死区时间的控制。它是专为高
电压与MOSFET或IGBT的高速行驶,这
工作频率高达600V 。飞兆半导体的高压工艺及的COM
共模噪声消除技术,提供稳定的操作
化下高的dV / dt噪声的高边驱动器
的情况。一个先进的电平漂移电路允许高侧
栅极驱动器运行在VS = -5V (典型值) ,在VBS = 15V 。逻辑
输入与标准CMOS输出兼容。在UVLO税务局局长
cuits两个通道防止误动作时, VCC和
VBS低于指定的阈值电压低。结合
引脚功能,死区时间的调整和复位关机化妆
该IC用封装节省空间的SOIC - 8封装。最低限度
源和接收器的输出驱动电流能力为250mA和
500毫安分别,其适用于接线盒的应用
在电机驱动化和半桥和全桥应用系
统。
典型应用
接线盒
在电机驱动系统半桥和全桥应用
SOIC-8
对于“绿色”生态地位飞兆半导体的定义,请访问:
http://www.fairchildsemi.com/company/green/rohs_green.html
订购信息
设备
FAN7080M
FAN7080MX
X: &带卷式
包
SOIC-8
SOIC-8
操作
温度。
-40
°C
~ 125
°C
-40
°C
~ 125
°C
2009仙童半导体公司
1
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FAN7080_GF085版本1.0.0
FAN7080_GF085半桥栅极驱动器
绝对最大额定值
绝对最大额定值表明持续的界限,可能会损坏设备。所有电压参数abso-
琵琶电压参考COM 。
参数
高侧浮动电源偏置电压
高侧浮动电源电压
高侧浮动输出电压
低侧输出电压
电源电压
输入电压IN
输入注入电流。全功能,无锁
向上; (通过设计保证) 。在10V测试
17V上Eng.Samples
功耗
热阻,结到环境
静电放电电压
(人体模型)
充电器型号
结温
储存温度
符号
V
S
V
B
V
HO
V
LO
V
CC
VIN
I
IN
分钟。
V
B
-25
-0.3
Vs-0.3
-0.3
-0.3
-0.3
-
马克斯。
V
B
+0.3
625
V
B
+0.3
V
CC
+ 0.3
25
V
cc
+0.3
+1
单位
V
V
V
V
V
V
mA
Pd
RthJA
V
ESD
V
清洁发展机制
Tj
T
S
-55
1K
500
0.625
200
W
° C / W
V
V
150
150
°C
°C
注:1)热电阻和额定功耗测量波纹管的条件;
JESD51-2 :集成电路热测试方法环境条件 - 自然对流( StillAir )
JESD51-3 :低有效导热系数测试板引线表面贴装封装
推荐工作条件
对于正确的操作设备应在推荐的条件内使用。
参数
高侧浮动电源电压(直流)
瞬态: -10V @ 0.1我们
符号
VB
1)
V
S
V
HO
V
LO
dv / dt的
V
CC
V
IN
F
s
T
a
分钟。
V
S
+ 6
-5
Vs
0
-
5.5
0
马克斯。
V
S
+ 20
600
V
B
V
CC
50
20
V
cc
200
单位
V
V
V
V
V / ns的
V
V
千赫
°C
高侧浮动电源偏置电压(DC)的
瞬态: -25V (最大) @可达0.1us @ VBS<25V
高侧浮动输出电压
低侧输出电压
允许偏移电压摆率
2)
电源电压逻辑的一部分
逻辑输入电压
开关频率
3)
环境温度
注: 1) VS偏移测试与所有供应偏置在15V的差分。
2 )设计保证。
3 )当VDT = 1.2V 。
-40
125
3
FAN7080_GF085版本1.0.0
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FAN7080_GF085半桥栅极驱动器
静电气特性
除非另有规定,在-40 ℃下< =钽
< = 125
° C,V
CC
= 15V, V
BS
= 15V, V
S
= 0V ,C
L
= 1nF的。
参数
VCC和VBS电源特性
V
CC
和V
BS
电源欠压
正向阈值
V
CC
和V
BS
电源欠压
负门槛
V
CC
和V
BS
电源欠压
迟滞
欠压锁定响应时间
偏置电源漏电流
静态V
BS
电源电流
VCC静态电源电流
输入特性
高逻辑电平输入电压
低逻辑电平输入电压
高逻辑电平输入偏置电流IN
低逻辑电平输入偏置电流IN
VSDT死区时间设置范围
VSDT关断阈值电压
支持SD / DT高逻辑电平阻力
低逻辑电平输入偏置电流为SD / DT
输出特性
高电平输出电压V
CC
-VH
O
低电平输出电压,V
HO
高输出短路脉冲电流
低输出短路脉冲电流
等效输出电阻
符号
V
CCUV +
V
BSUV +
V
CCUV
-
V
BSUV-
V
CCUVH
V
BSUVH
tduvcc
tduvbs
I
LK
I
QBS
I
QCC
条件
-
-
-
VCC : 6V - >2.5V或2.5V - >6V
VBS : 6V - >2.5V或2.5V - >6V
V
B
=V
S
=600V
V
IN
= 0或5V ,V
SDT
= 1.2V
V
IN
= 0或5,V
SDT
= 1.2V
分钟。
-
2.8
0.2
0.5
0.5
-
20
-
典型值。
4.2
3.6
0.6
-
-
20
75
350
MAX 。 UNIT
5.5
-
-
20
20
50
150
1000
V
V
V
us
us
uA
uA
uA
V
IH
V
IL
I
IN +
II
N-
V
DT
V
SD
R
SDT
ISDT-
2.7
-
V
IN
=5V
V
IN
=0V
-
-
1.2
-
V
SDT
=5V
V
SDT
=0V
100
-
-
-
10
0
-
0.8
500
1
-
0.8
50
2
5
1.2
1100
2
V
V
uA
uA
V
V
KΩ
uA
V
OH ( HO)
V
OL ( HO)
I
O + ( HO)
I
O-( HO)的
R
OP ( HO)
R
开( HO)的
I
O
=0
I
O
=0
-
-
250
500
-
-
-
-
300
600
-
-
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
-
-
60
30
0.1
0.1
-
-
60
30
V
V
mA
mA
Ω
Ω
V
V
mA
mA
Ω
Ω
高电平输出电压V
B
-V
LO
低电平输出电压,V
LO
高输出短路脉冲电流
低输出短路脉冲电流
等效输出电阻
V
OH ( LO )
V
OL ( LO )
I
O + ( LO )
I
-O-( LO)的
R
OP ( LO )
R
开( LO)的
I
O
=0
I
O
=0
-
-
250
500
-
-
4
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