FGH40N60SMDF 600V ， 40A场截止IGBT
2011年3月
FGH40N60SMDF
600V ， 40A场截止IGBT
特点
最高结温：T已
J
=175
o
C
正Temperaure合作高效，方便的并行操作
高电流能力
低饱和电压： V
CE （ SAT ）
= 1.9V （典型值） @我
C
= 40A
高输入阻抗
快速开关
拧紧参数分布
符合RoHS
tm
概述
使用新型场站IGBT技术，飞兆半导体的全新系列
场截止IGBT的提供最佳性能的太阳能电池
逆变器， UPS ， SMPS ，1H和PFC应用中，低浓度
duction和开关损耗是必不可少的。
应用
太阳能逆变器， UPS ， SMPS ， PFC
感应加热
C
G
E
绝对最大额定值
符号
V
CES
V
GES
I
C
I
CM （1）
I
F
I
调频（1）
P
D
T
J
T
英镑
T
L
描述
集电极到发射极电压
门到发射极电压
集电极电流
集电极电流
集电极电流脉冲
二极管的正向电流
二极管的正向电流
脉冲二极管的最大正向电流
最大功率耗散
最大功率耗散
工作结温
存储温度范围
最大的铅温度。焊锡
目的， 1/8“从案例5秒
@ T
C
= 25
o
C
@ T
C
= 100
o
C
@ T
C
= 25
o
C
@ T
C
= 100
o
C
@ T
C
= 25
o
C
@ T
C
= 100 C
o
评级
600
±
20
80
40
120
40
20
120
349
174
-55到+175
-55到+175
300
单位
V
V
A
A
A
A
A
A
W
W
o
o
o
C
C
C
注意事项：
1 ：重复评价：脉冲宽度有限的最大值。结温
2011仙童半导体公司
1
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FGH40N60SMDF牧师B1
FGH40N60SMDF 600V ， 40A场截止IGBT
热特性
符号
R
θJC
（IGBT）
R
θJC
（二极管）
R
θJA
参数
热阻，结到外壳
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
典型值。
-
-
-
马克斯。
0.43
1.45
40
单位
o
C / W
o
C / W
o
C / W
包装标志和订购信息
器件标识
FGH40N60SMDF
设备
FGH40N60SMDF
包
TO-247
带尺寸
-
胶带宽度
-
QUANTITY
30
IGBT的电气特性
符号
开关特性
BV
CES
ΔBV
CES
ΔT
J
I
CES
I
GES
T
C
= 25 ° C除非另有说明
参数
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
集电极到发射极击穿电压V
GE
= 0V时，我
C
= 250μA
分解温度系数
电压
集电极截止电流
G- ê漏电流
V
GE
= 0V时，我
C
= 250μA
V
CE
= V
CES
, V
GE
= 0V
V
GE
= V
GES
, V
CE
= 0V
600
-
-
-
-
0.6
-
-
-
-
250
±400
V
V/
o
C
μA
nA
基本特征
V
GE （日）
V
CE （ SAT ）
G- ê阈值电压
集电极到发射极饱和电压
I
C
= 250μA ，V
CE
= V
GE
I
C
= 40A
,
V
GE
= 15V
I
C
= 40A
,
V
GE
= 15V,
T
C
= 175
o
C
3.5
-
-
4.5
1.9
2.1
6.0
2.5
-
V
V
V
动态特性
C
IES
C
OES
C
水库
输入电容
输出电容
反向传输电容
V
CE
= 30V
,
V
GE
= 0V,
F = 1MHz的
-
-
-
1880
180
50
-
-
-
pF
pF
pF
开关特性
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on
E
关闭
E
ts
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on
E
关闭
E
ts
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关损耗
关断开关损耗
总开关损耗
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关损耗
关断开关损耗
总开关损耗
V
CC
= 400V ，我
C
= 40A,
R
G
= 6Ω, V
GE
= 15V,
感性负载，T
C
= 175
o
C
V
CC
= 400V ，我
C
= 40A,
R
G
= 6Ω, V
GE
= 15V,
感性负载，T
C
= 25
o
C
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
12
20
92
13
1.3
0.26
1.56
15
22
116
16
2.1
0.6
2.7
16
28
120
17
2.0
0.34
2.34
-
-
-
-
-
-
-
ns
ns
ns
ns
mJ
mJ
mJ
ns
ns
ns
ns
mJ
mJ
mJ
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FGH40N60SMDF 600V ， 40A场截止IGBT
IGBT的电气特性
符号
Q
g
Q
ge
Q
gc
（续）
参数
总栅极电荷
门极 - 发射极充
门到集充电
测试条件
V
CE
= 400V ，我
C
= 40A,
V
GE
= 15V
分钟。
-
-
-
典型值。
119
13
58
最大
180
20
90
单位
nC
nC
nC
二极管的电气特性
符号
V
FM
E
REC
t
rr
Q
rr
T
C
= 25 ° C除非另有说明
参数
二极管的正向电压
反向恢复能量
二极管的反向恢复时间
I
F
= 20A
测试条件
T
C
= 25
o
C
T
C
= 175 C
T
C
=
I
F
= 20A ，二
F
/ DT = 200A / μs的
175
o
C
T
C
= 25
o
C
T
C
= 175
o
C
T
C
= 25
o
C
T
C
= 175
o
C
o
分钟。
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
1.3
1.15
138
70
210
250
1875
最大
1.7
-
-
100
-
350
-
单位
V
uJ
ns
二极管的反向恢复电荷
nC
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FGH40N60SMDF 600V ， 40A场截止IGBT
典型性能特性
图1.典型的输出特性
120
T
C
= 25 C
o
图2.典型的输出特性
120
T
C
= 175 C
o
20V
15V
12V
10V
20V
15V
12V
10V
100
集电极电流，I
C
[A]
100
集电极电流，I
C
[A]
80
60
40
20
0
0
2
4
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
6
V
GE
= 8V
80
60
40
20
0
0
2
4
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
6
V
GE
= 8V
图3.典型的饱和电压
特征
120
100
集电极电流，I
C
[A]
共发射极
V
GE
= 15V
T
C
= 25 C
o
图4.传输特性
120
共发射极
V
CE
= 20V
集电极电流，I
C
[A]
T
C
= 25 C
o
80
60
40
20
0
0
T
C
= 175 C
o
90
T = 175
o
C
C
60
30
0
1
2
3
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
4
0
2
4
6
8
10
栅极 - 发射极电压，V
GE
[V]
12
图5.饱和电压与案例
温度变电流等级
3.0
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
共发射极
V
GE
= 15V
图6.饱和电压与V
GE
20
集电极 - 发射极电压
,
V
CE
[V]
共发射极
T
C
= -40 C
o
2.5
80A
16
12
2.0
40A
8
40A
80A
1.5
I
C
= 20A
4
I
C
= 20A
1.0
25
50
75
100
125
150
175
o
集电极 - EmitterCase温度，T
C
[ C]
0
4
8
12
16
栅极 - 发射极电压V
GE
[V]
20
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典型性能特性
图7.饱和电压与V
GE
20
集电极 - 发射极电压
,
V
CE
[V]
共发射极
o
图8.饱和电压与V
GE
20
共发射极
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
T
C
= 25 C
T
C
= 175 C
o
16
16
12
12
8
40A
80A
8
80A
40A
I
C
= 20A
4
I
C
= 20A
4
0
0
4
8
12
16
栅极 - 发射极电压V
GE
[V]
20
4
8
12
16
栅极 - 发射极电压V
GE
[V]
20
图9.电容特性
4000
共发射极
V
GE
= 0V ， F = 1MHz的
图10.栅极电荷特性
15
共发射极
o
栅极 - 发射极电压V
GE
[V]
T
C
= 25 C
3000
电容[ pF的]
T
C
= 25 C
o
12
V
CC
= 200V
400V
300V
C
IES
9
2000
6
1000
C
OES
C
水库
3
0
0.1
0
1
10
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
30
0
40
80
栅极电荷，Q
g
[ NC ]
120
图11. SOA特征
300
100
集电极电流，I
c
[A]
1ms
10
μ
s
100
μ
s
图12.导通特性上与
栅极电阻
100
t
r
10
DC
开关时间[ NS ]
10毫秒
t
D（上）
10
共发射极
V
CC
= 400V, V
GE
= 15V
I
C
= 40A
T
C
= 25 C
T
C
= 175 C
o
o
1
0.1
*注意：
1. T
C
= 25 C
2. T
J
= 175 C
3.单脉冲
o
o
0.01
1
10
100
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
1000
1
0
10
20
30
40
栅极电阻，R
G
[
Ω
]
50
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