FGPF30N45T 450V ， 30A PDP沟道IGBT
2007年12月
FGPF30N45T
450V ， 30A PDP沟道IGBT
特点
高电流能力
低饱和电压： V
CE （ SAT ）
= 1.55V @我
C
= 30A
高输入阻抗
快速开关
符合RoHS标准
tm
概述
采用新型沟道IGBT技术，飞兆半导体的新型的sesries
沟道IGBT提供最佳性能的PDP的应用
系统蒸发散需要低导通和开关损耗是必不可少的。
应用
PDP系统
C
TO-220F
1
1.Gate
2.Collector
3.Emitter
G
E
绝对最大额定值
符号
V
CES
V
GES
I
CM （1）
P
D
T
J
T
英镑
T
L
描述
集电极到发射极电压
门到发射极电压
集电极电流脉冲
最大功率耗散
最大功率耗散
工作结温
存储温度范围
最大的铅温度。焊锡
目的， 1/8“从案例5秒
@ T
C
= 25
o
C
@ T
C
= 25
o
C
@ T
C
= 100 C
o
评级
450
±30
120
50.4
20.1
-55到+150
-55到+150
300
单位
V
V
A
W
W
o
C
o
C
o
C
注意事项：
1 ：重复测试，脉冲宽度= 100usec ，占空比= 0.1
* Ic_pluse由TJ最大限制
热特性
符号
R
θJC
（IGBT）
R
θJA
参数
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
典型值。
-
-
马克斯。
2.48
62.5
单位
o
C / W
o
C / W
2007仙童半导体公司
1
www.fairchildsemi.com
FGPF30N45T版本A
FGPF30N45T 450V ， 30A PDP沟道IGBT
包装标志和订购信息
器件标识
FGPF30N45T
设备
FGFP30N45TTU
包
TO-220F
包装
TYPE
铁路/地铁
最大数量
每管数量
50ea
每盒
-
IGBT的电气特性
符号
开关特性
BV
CES
ΔBV
CES
T
J
I
CES
I
GES
T
C
= 25 ° C除非另有说明
参数
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
集电极到发射极击穿电压V
GE
= 0V时，我
C
= 250A
分解温度系数
电压
集电极截止电流
G- ê漏电流
V
GE
= 0V时，我
C
= 250A
V
CE
= V
CES
, V
GE
= 0V
V
GE
= V
GES
, V
CE
= 0V
450
-
-
-
-
0.5
-
-
-
-
100
±400
V
V/
o
C
A
nA
基本特征
V
GE （日）
V
CE （ SAT ）
G- ê阈值电压
集电极到发射极饱和电压
I
C
= 250μA ，V
CE
= V
GE
I
C
= 20A
,
V
GE
= 15V
I
C
= 30A
,
V
GE
= 15V
I
C
= 30A
,
V
GE
= 15V,
T
C
= 125
o
C
动态特性
C
IES
C
OES
C
水库
输入电容
输出电容
反向传输电容
V
CE
= 30V
,
V
GE
= 0V,
F = 1MHz的
-
-
-
1610
88
68
-
-
-
pF
pF
pF
3.0
-
-
-
4.5
1.35
1.55
1.53
5.5
1.6
-
-
V
V
V
开关特性
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
ge
Q
gc
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
门极 - 发射极充
门到集充电
V
CE
= 200V ，我
C
= 30A,
V
GE
= 15V
V
CC
= 200V ，我
C
= 30A,
R
G
= 15, V
GE
= 15V,
阻性负载，T
C
= 125
o
C
V
CC
= 200V ，我
C
= 30A,
R
G
= 15, V
GE
= 15V,
阻性负载，T
C
= 25
o
C
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
19
57
119
220
20
60
122
265
73
11
33
-
-
-
330
-
-
-
-
-
-
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
FGPF30N45T版本A
2
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FGPF30N45T 450V ， 30A PDP沟道IGBT
典型性能特性
图1.典型的输出特性
120
T
C
= 25 C
o
图2.典型的输出特性
120
T
C
= 125 C
o
20V
15V
20V
15V
12V
10V
集电极电流，I
C
[A]
12V
10V
80
集电极电流，I
C
[A]
80
V
GE
= 8V
40
V
GE
= 8V
40
0
0
2
4
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
6
0
0
2
4
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
6
图3.典型的饱和电压
特征
120
共发射极
V
GE
= 15V
图4.传输特性
120
共发射极
V
CE
= 20V
集电极电流，I
C
[A]
T
C
= 25 C
集电极电流，I
C
[A]
o
T
C
= 25 C
T
C
= 125 C
o
o
80
T
C
= 125 C
o
80
40
40
0
0
1
2
3
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
4
0
0
2
4
6
8
10
栅极 - 发射极电压，V
GE
[V]
12
图5.饱和电压与案例
温度变电流等级
1.8
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
共发射极
V
GE
= 15V
图6.饱和电压与V
GE
20
集电极 - 发射极电压
,
V
CE
[V]
共发射极
T
C
= 25 C
o
1.6
30A
16
12
1.4
20A
8
1.2
I
C
= 10A
4
20A
I
C
= 10A
30A
1.0
25
50
75
100
125
o
集电极 - EmitterCase温度，T
C
[
C
]
0
0
4
8
12
16
栅极 - 发射极电压V
GE
[V]
20
FGPF30N45T版本A
3
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FGPF30N45T 450V ， 30A PDP沟道IGBT
典型性能特性
图7.饱和电压与V
GE
20
共发射极
T
C
= 125 C
o
图8.电容特性
10000
C
IES
集电极 - 发射极电压，V
CE
[
V
]
16
电容[ pF的]
C
OES
1000
C
水库
12
8
20A
30A
I
C
= 10A
100
共发射极
V
GE
= 0V ， F = 1MHz的
T
C
= 25 C
o
4
0
0
4
8
12
16
栅极 - 发射极电压V
GE
[V]
20
10
1
10
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
30
图9.栅极电荷特性
15
共发射极
T
C
= 25 C
o
图10. SOA特征
500
I
C
MAX （ PULSE）
10
s
栅极 - 发射极电压V
GE
[V]
12
V
CC
= 100V
100
集电极电流，I
c
[A]
200V
100
s
9
10
1ms
10毫秒
6
1
I
C
MAX（连续）
单非重复性
脉冲TC = 25℃
曲线必须降低
线性增长
温度
3
0.1
直流操作
0
0
20
40
60
栅极电荷，Q
g
[ NC ]
80
0.01
1
10
100
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
1000
图11.导通特性上与
栅极电阻
500
图12.关断特性对比
栅极电阻
1000
t
f
100
开关时间[ NS ]
开关时间[ NS ]
t
D（关闭）
t
r
100
共发射极
V
CC
= 200V, V
GE
= 15V
I
C
= 30A
T
C
= 25 C
o
o
10
t
D（上）
共发射极
V
CC
= 200V, V
GE
= 15V
I
C
= 30A
T
C
= 25 C
T
C
= 125 C
o
o
1
0
10
20
30
40
栅极电阻，R
G
[
]
50
10
0
10
20
T
C
= 125 C
30
40
50
栅极电阻，R
G
[
]
FGPF30N45T版本A
4
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FGPF30N45T 450V ， 30A PDP沟道IGBT
典型性能特性
图13.导通特性上的VS.
集电极电流
200
共发射极
V
GE
= 15V ，R
G
= 15
T
C
= 25 C
o
o
图14.关断特性对比
集电极电流
500
100
开关时间[ NS ]
开关时间[ NS ]
T
C
= 125 C
t
f
100
t
D（关闭）
t
r
共发射极
V
GE
= 15V ，R
G
= 15
T
C
= 25 C
T
C
= 125 C
o
o
t
D（上）
10
5
10
15
20
25
30
集电极电流，I
C
[A]
10
5
10
15
20
25
30
集电极电流，I
C
[A]
图15.开关损耗VS.栅极电阻
1000
图16.开关损耗vs.Gate电阻
1000
开关损耗
[
J
]
E
关闭
开关损耗
[
J
]
E
关闭
100
E
on
100
E
on
共发射极
V
CC
= 200V, V
GE
= 15V
I
C
= 30A
T
C
= 25 C
T
C
= 125 C
o
o
10
共发射极
V
GE
= 15V ，R
G
= 15
T
C
= 25 C
T
C
= 125 C
o
o
10
1
0
10
20
30
40
栅极电阻，R
G
[
]
50
5
10
20
集电极电流，I
C
[A]
30
IGBT图17.瞬态热阻抗
10
热响应[ Zthjc ]
0.5
1
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
P
DM
t
1
t
2
0.1
0.01
单脉冲
占空比， D = T1 / T2
PEAK牛逼
j
= PDM X Zthjc + T
C
1E-3
1E-5
1E-4
1E-3
0.01
0.1
1
10
100
矩形脉冲持续时间（秒）
FGPF30N45T版本A
5
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