FDC855N N沟道逻辑电平的PowerTrench
MOSFET
2008年1月
FDC855N
单N沟道逻辑电平的PowerTrench MOSFET
30V ， 6.1A ， 27mΩ
特点
最大
DS （ ON）
=
27mΩ在V
GS
= 10V ，我
D
= 6.1A
最大
DS （ ON）
=
36mΩ在V
GS
= 4.5V ，我
D
= 5.3A
SuperSOT
TM
-6包：占地面积小（小于72 ％小
标准的SO- 8 ;低调（ 1mm厚） 。
符合RoHS
tm
概述
这N沟道逻辑电平MOSFET是一种有效的解决方案
低电压和电池供电应用。利用飞兆半导体
安森美半导体先进的PowerTrench
过程中，该装置
具有最小的导通电阻，以优化动力
消费。他们是理想的应用场合中，电源线
损失是关键的。
应用
在笔记本电脑的电源管理，硬盘驱动器
S
D
D
D
D
D
D
SuperSOT
TM
-6
D
D
销1
G
G
S
MOSFET的最大额定值
T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
DS
V
GS
I
D
P
D
T
J
, T
英镑
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流 - 连续
-Pulsed
功耗
功耗
（稳定状态）
（稳定状态）
（注1A ）
（注1B ）
T
A
= 25°C
（注1A ）
参数
评级
30
±20
6.1
20
1.6
0.8
-55到+150
单位
V
V
A
W
°C
工作和存储结温范围
热特性
R
θJC
R
θJA
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
（注1 ）
（注1A ）
30
78
° C / W
包装标志和订购信息
器件标识
.855
设备
FDC855N
包
SuperSOT-6
带尺寸
7”
胶带宽度
8 mm
QUANTITY
3000台
2008飞兆半导体公司
FDC855N Rev.C
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FDC855N N沟道逻辑电平的PowerTrench
MOSFET
电气特性
T
J
= 25 ° C除非另有说明
符号
参数
测试条件
民
典型值
最大
单位
开关特性
BV
DSS
ΔBV
DSS
T
J
I
DSS
I
GSS
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0V
I
D
= 250μA ，引用至25℃
V
GS
= 0V, V
DS
= 24V,
T
C
= 125°C
V
GS
= ±20V, V
DS
= 0V
30
24
1
250
±100
V
毫伏/°C的
A
nA
基本特征
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
T
J
r
DS （ ON）
g
FS
门源阈值电压
门源阈值电压
温度COEF网络cient
静态漏极至源极导通电阻
正向跨导
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250A
I
D
= 250μA ，引用至25℃
V
GS
= 10V ，我
D
= 6.1A
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 5.3A
V
GS
= 10V ，我
D
= 6.1A ，T
J
=125°C
V
DD
= 10V ，我
D
= 6.1A
1.0
2.0
-6
20.7
28.2
30.1
20
27.0
36.0
39.3
S
m
3.0
V
毫伏/°C的
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
g
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
V
DS
= 15V, V
GS
= 0V,
F = 1MHz的
F = 1MHz的
493
108
62
1.0
655
145
95
pF
pF
pF
开关特性
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
g
Q
gs
Q
gd
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷，在10V
总栅极电荷为5V
门源费
栅漏“米勒”充电
V
GS
= 0V至10V
V
GS
= 0V至5V
V
DD
= 15V,
I
D
= 6.1A
V
DD
= 15V ，我
D
= 6.1A,
V
GS
= 10V ，R
根
= 6
6
2
14
2
9.2
4.9
1.7
3.1
12
10
23
10
13
7.0
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
nC
漏源二极管的特性
V
SD
t
rr
Q
rr
源极到漏极二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
V
GS
= 0V时，我
S
= 1.3A
（注2 ）
0.80
17
6
1.2
31
12
V
ns
nC
I
F
= 6.1A ，的di / dt = 100A / μs的
注意事项：
1:
R
θJA
在这里的情况下热参考被定义为漏极引脚的焊接安装表面上的结到壳体和壳到环境的热阻之和。
R
θJC
由设计而
= CA
是通过用户的电路板的设计来确定。
一。安装在当78℃ / W的
1年
2
垫2盎司纯铜。
B 。安装在一个时156℃ / W的
2盎司纯铜最小焊盘。
2:
脉冲测试：脉冲宽度
＆ LT ;
300
s,
占空比< 2.0 ％ 。
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MOSFET
典型特征
T
J
= 25 ° C除非另有说明
20
16
I
D
,
漏电流（ A）
V
GS
= 4.0V
V
GS
= 10V
V
GS
= 6V
归
漏极至源极导通电阻
V
GS
= 4.5V
4.0
3.5
V
GS
= 3.5V
脉冲持续时间= 80
s
占空比= 0.5 ％ MAX
3.0
V
GS
= 4.0V
12
8
4
0
0
2.5
2.0
V
GS
= 4.5V
V
GS
= 3.5V
脉冲持续时间= 80
s
占空比= 0.5 ％ MAX
1.5
1.0
V
GS
= 6V
V
GS
= 10V
0.5
0
4
8
12
16
20
I
D
,
漏极电流（ A）
1
2
3
V
DS
,
漏源极电压（ V）
4
图1.区域特征
图2.归一导通电阻
VS漏极电流和栅极电压
60
源导通电阻
(
m
)
1.6
归
漏极至源极导通电阻
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
-75
I
D
= 6.1A
V
GS
= 10V
脉冲持续时间= 300
s
占空比= 2 ％ MAX
50
I
D
= 6.1A
r
DS （ON ） ，
漏
40
T
J
= 125
o
C
30
T
J
= 25
o
C
-50
-25
0
25 50 75 100 125 150
T
J
,
结温
(
o
C
)
20
3
4
5
6
7
8
9
10
V
GS
,
门源电压（ V）
图3.归一导通电阻
VS结温
20
I
S
，反向漏电流（ A）
脉冲持续时间= 80
s
占空比= 0.5 ％ MAX
图4.导通电阻与栅极到
源极电压
20
10
V
GS
= 0V
16
I
D
，漏电流（ A）
V
DS
= 10V
1
T
J
= 150
o
C
T
J
= 25
o
C
12
8
T
J
= 150
o
C
T
J
= 25
o
C
T
J
= -55
o
C
0.1
4
0
1
0.01
T
J
= -55
o
C
2
3
4
5
0.001
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V
GS
，门源电压（ V）
V
SD
，体二极管正向电压（ V）
图5.传输特性
图6.源极到漏极二极管
正向电压随电流源
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典型特征
T
J
= 25 ° C除非另有说明
10
V
GS
，门源电压（ V）
I
D
= 6.1A
1000
C
国际空间站
8
V
DD
= 15V
电容（pF）
6
V
DD
= 10V
V
DD
= 20V
C
OSS
4
2
0
0
3
6
Q
g
，栅极电荷（ NC）
100
C
RSS
F = 1MHz的
V
GS
= 0V
9
12
20
0.1
1
10
30
V
DS
，漏源极电压（ V）
图7.栅极电荷特性
图8.电容VS漏
至源极电压
100
30
10
I
D
，漏电流（ A）
10
0
s
P
(
PK
)
,
瞬态峰值功率（ W）
V
GS
= 10V
单脉冲
R
θ
JA
= 156
o
C / W
T
A
= 25
o
C
1ms
1
这个区域是
限于由R
DS （ ON）
10ms
100ms
1s
DC
10
0.1
单脉冲
T
J
=最大额定
R
θ
JA
= 156℃ / W
T
A
= 25
o
C
o
1
0.5
-3
10
10
-2
0.01
0.01
0.1
1
10
100
10
-1
1
10
100
1000
V
DS
，漏源极电压（ V）
T，脉冲宽度（ S）
图9.正向偏置安全
工作区
图10.单脉冲最大
功耗
2
1
归热
阻抗Z
θ
JA
占空比，降序排列
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
P
DM
0.1
t
1
t
2
注意事项：
DUTY因子：D = T
1
/t
2
PEAK牛逼
J
= P
DM
X Z
θJA
个R
θJA
+ T
A
单脉冲
R
θ
JA
= 156℃ / W
o
0.01
-3
10
10
-2
10
-1
1
10
100
1000
吨，矩形脉冲持续时间（秒）
图11.瞬态热响应曲线
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外形尺寸和焊盘布局
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