FGA90N30 300V IGBT PDP
2006年9月
FGA90N30
300V IGBT PDP
特点
高电流能力
低饱和电压： V
CE （SAT） ，
典型值= 1.1V @我
C
= 20A
高输入阻抗
描述
采用统一的IGBT技术， FGA90N30提供低
传导和开关损耗。 FGA90N30提供最佳
对于PDP应用中的低condution损失的解决方案
必不可少的。
TO-3P
克碳ê
绝对最大额定值
符号
V
CES
V
GES
I
C
I
CM
P
D
T
J
T
英镑
T
L
注意事项：
T
C
= 25 ° C除非另有说明
描述
集电极 - 发射极电压
栅极 - 发射极电压
集电极电流
集电极电流脉冲
（注1 ）
FGA90N30
300
±
30
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 100°C
90
220
219
87
-55到+150
-55到+150
300
单位
V
V
A
A
W
W
°C
°C
°C
最大功率耗散
最大功率耗散
工作结温
存储温度范围
最大的铅温度。焊锡
目的， 1/8“从案例5秒
（ 1 ）重复测试，脉冲宽度= 100usec ，占空比= 0.5
* Ic_pulse由TJ最大限制
热特性
符号
R
θJC
（IGBT）
R
θJA
参数
热阻，结到外壳的IGBT
热阻，结到环境
典型值。
--
--
马克斯。
0.57
40
单位
° C / W
° C / W
2006仙童半导体公司
1
www.fairchildsemi.com
FGA90N30版本A
FGA90N30 300V IGBT PDP
典型性能特性
图1.典型的输出特性
100
20V
15V
80
12V
T
C
= 25 C
80
o
图2.典型的输出特性
100
20V
15V
12V
10V
T
C
= 125 C
o
集电极电流，I
C
[A]
10V
集电极电流， I [ A]
C
60
V
GE
= 8 V
40
60
V
GE
= 8 V
40
20
20
0
0
1
2
3
4
5
6
0
0
1
2
3
4
5
6
C 0 LLE 至R -E米itte诉 LTA克E， V
权证
[V ]
C 0 LLE （C T） 的R - ê米其德诉 LT A G E， V
权证
[ V ]
图3.典型的饱和电压
特征
C 0 M M O 4 N ê米itte
V
Ge
= 15V
图4.传输特性
80
集电极电流， I [ A]
集电极电流，I
C
[A]
TC = 25℃
o
TC = 125℃
60
o
100
C 0 M M O 4 N ê米itte
V
CE
= 2 0V
T
C
=
25 C
o
o
40
C
T
C
= 125 C
10
20
0
0
1
2
3
1
0
2
4
6
8
10
C 0 LLE C到的R - ê米itte诉 LTA克E， V
权证
[V ]
克忒 - é米itte诉 LTA克E， V
摹ê
[V ]
图5.饱和电压与案例
温度变电流等级
图6.饱和电压与V
GE
2 .4
6
C 0 M M O 4 N ê米其T E
V
GE
= 15V
90A
[V]
2 .2
2 .0
1 .8
1 .6
1 .4
1 .2
1 .0
0 .8
0 .6
0 .4
25
[V]
C 0 M M O 4 N ê米其T E
o
T
C
= 25 C
5
CE
集电极 - 发射极电压，V
集电极 - 发射极电压，V
CE
4
40A
20A
3
2
20A
1
10A
90A
40A
I
c
= 1 0 A
0
50
75
100
o
125
4
8
12
16
20
C时发E率T e米P·Eラ恩重，T
C
( C )
G A T E - ê米其T E R诉 LT A G E， V
摹ê
[ V ]
3
FGA90N30版本A
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FGA90N30 300V IGBT PDP
典型性能特性
图7.饱和电压与V
GE
6
C 0 M M O 4 N ê米其T E
o
T
C
= 125 C
CE
（续）
图8.电容Charaacteristics
[V]
5
即s
4
集电极 - 发射极电压，V
电容[ pF的]
1000
卓越中心
3
c重新s
2
20A
1
10A
0
4
8
12
40A
90A
100
C 0 M M O 4 N ê米itte
V
GE
= 0V ， F = 1M ^ h
T
C
= 25 C
o
16
20
0 .1
1
10
克忒 - é米itte诉 LTA克E， V
摹ê
[V ]
C 0 LLE C到的R - ê米itte诉 LTA克E， V
权证
[V ]
图9.栅极电荷特性
图10. SOA特征
15
C 0 M M O 4 N ê米其T E
R
L
= 10欧姆
T
C
= 25 C
o
IC M A X（ P ü LS E D ）
100
IC M A X （C O 4 N锡ü 美）
100
μ
s
1米s
10
D C O·P RA TIO N
50
μ
s
[V]
栅极 - 发射极电压V
10
VCC = 200V
集电极电流IC [ A]
GE
1
5
0 .1
0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
0 .0 1
0 .1
■在克了N 0：N重P·E titive
o
P ü LSE T C = 2 5℃
ú RVE S，M，美国T B E D é RA TE
林权证一RLY瓦特第i个C语言重新一个发E
在TE米P·Eラ恩重
1
10
100
1000
克忒建华一RG E，Q
g
[N C]
C 0 LLE C到的R - ê米itte诉 LTA克E， V
权证
[V ]
图11.导通特性上与门
阻力
1000
C 0 M M O 4 N ê米itte
V
CC
= 20 0 V , V
GE
= 15V
I
C
= 2 0 A
o
T
C
= 25 C
T
C
= 125 C
o
图12.关断特性与门
阻力
1000
开关时间[ NS ]
开关时间[ NS ]
tr
tf
100
100
TD （O FF ）
TD （O N）
C 0 M M O 4 N ê米itte
V
CC
= 20 0 V , V
GE
= 15 V
I
C
= 2 0 A
T
C
= 25 C
o
10
0
20
40
60
80
100
10
0
20
40
60
T
C
= 125 C
o
80
100
克忒 - [R （E S）是TA N c个E，R
G
[
Ω
]
G A T E - [R （E S）为t A N权证，R
G
[
Ω
]
4
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典型性能特性
图13.导通特性上的VS.
集电极电流
1000
C 0 M M O 4 N ê米其T E
V
GE
= 15V ，R
G
= 10
Ω
T
C
= 25 C
o
（续）
图14.Turn断特性VS.
集电极电流
1000
开关时间[ NS ]
tr
100
开关时间[ NS ]
T
C
= 125 C
o
tf
100
TD （O F F ）
TD （O N）
C 0 M M O 4 N ê米其德
V
GE
= 15 V ，R
G
= 10
Ω
T
C
= 25 C
o
10
0
20
40
60
80
100
10
0
T
C
= 125 C
20
40
60
80
100
o
C 0 LLE C到R C ü R R简T， IC [ A]
C 0 LLE C到R C ü R R简T， IC [ A]
图15.开关损耗VS.栅极电阻
图16.Switching损耗与集电极电流
10
1
ê FF
开关损耗[兆焦耳]
开关损耗[兆焦耳]
1
0 .1
宙
ê FF
0 .1
C 0 M M O 4 N ê米itte
V
GE
1 = 5 V ，R
G
= 1 0
Ω
T
C
= 25 C
0 .0 1
T
C
= 125 C
0
20
40
60
80
100
o
o
C 0 M M O 4 N ê米itte
V
CC
= 200V , V
GE
= 15V
I
C
= 2 0 A
T
C
= 25 C
T
C
= 125 C
0 .0 1
0
20
40
60
80
100
o
o
宙
克忒 - [R （E S）为t A N权证，R
G
[
Ω
]
C 0 LLE C到R C ü R R简T， IC [ A]
图17.导通关SOA图
1000
安全操作摄像区
o
V
摹ê
= 20V ，T
C
= 100 C
集电极电流，I
C
[A]
100
10
1
10
100
1000
ollector -E米伊特尔V压。 V
权证
[V ]
5
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