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FDS8672S的N-沟道PowerTrench
SyncFET
2007年12月
FDS8672S
N沟道
特点
最大
DS （ ON）
= 4.8mΩ在V
GS
= 10V ，我
D
= 18A
最大
DS （ ON）
= 7.0mΩ在V
GS
= 4.5V ，我
D
= 15A
包括SyncFET肖特基体二极管
高性能沟道技术极低r
DS （ ON）
和快速开关
高功率和电流处理能力
100% R
g
（栅极电阻）测试
终止是无铅和符合RoHS
的PowerTrench
SyncFET
概述
tm
30V ， 18A ， 4.8mΩ
该FDS8672S被设计来取代单一的MOSFET和
肖特基二极管在同步DC / DC电源。这个30V
MOSFET的设计最大限度地提高电源转换效率，
提供一种低R
DS （ ON）
和低栅极电荷。该FDS8672S
包括MOSFET的专利组合，单片
集成了采用飞兆半导体单片肖特基二极管
SyncFET技术。
应用
同步整流DC / DC转换器
笔记本Vcore电压低边开关
负载低侧开关点
D
D
D
D
D
D
SO-8
S
销1
S
G
S
D
8
1
S
6
7
3
2
S
S
D
5
4
G
MOSFET的最大额定值
T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
DS
V
GS
I
D
E
AS
P
D
T
J
, T
英镑
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流 - 连续
-Pulsed
单脉冲雪崩能量
功耗
功耗
T
A
= 25°C
T
A
= 25°C
（注3）
（注1A ）
（注1B ）
参数
评级
30
±20
18
80
216
2.5
1.0
-55到+150
单位
V
V
A
mJ
W
°C
工作和存储结温范围
热特性
R
θJC
R
θJA
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
（注1 ）
（注1A ）
25
50
° C / W
包装标志和订购信息
器件标识
FDS8672S
设备
FDS8672S
包
SO8
带尺寸
13’’
胶带宽度
12mm
QUANTITY
2500台
2007仙童半导体公司
FDS8672S Rev.D2
1
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FDS8672S的N-沟道PowerTrench
SyncFET
电气特性
T
J
= 25 ° C除非另有说明
符号
参数
测试条件
民
典型值
最大
单位
开关特性
BV
DSS
ΔBV
DSS
T
J
I
DSS
I
GSS
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
I
D
= 1mA时， V
GS
= 0V
I
D
= 10毫安，引用至25℃
V
DS
= 24V, V
GS
= 0V
V
GS
= ±20V, V
DS
= 0V
30
33
500
±100
V
毫伏/°C的
A
nA
基本特征
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
T
J
r
DS （ ON）
g
FS
门源阈值电压
门源阈值电压
温度COEF网络cient
静态漏极至源极导通电阻
正向跨导
V
GS
= V
DS
, I
D
= 1毫安
I
D
= 10毫安，引用至25℃
V
GS
= 10V ，我
D
= 18A
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 15A
V
GS
= 10V ，我
D
= 18A ，T
J
= 125°C
V
DS
= 5V ，我
D
= 18A
1.0
2.1
-5
3.8
5.3
5.3
78
4.8
7.0
7.8
S
m
3.0
V
毫伏/°C的
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
g
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
V
DS
= 15V, V
GS
= 0V,
F = 1MHz的
F = 1MHz的
2005
985
135
0.6
2670
1310
205
2.0
pF
pF
pF
开关特性
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
g
Q
gs
Q
gd
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
总栅极电荷
门源费
栅漏“米勒”充电
V
GS
= 0V至10V
V
GS
= 0V至5V
V
DD
= 15V,
I
D
= 18A
V
DD
= 15V ，我
D
= 18A,
V
GS
= 10V ，R
根
= 6
12
4
26
3
29
15
5.5
3.7
22
10
42
10
41
21
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
nC
漏源二极管的特性
V
SD
t
rr
Q
rr
源极到漏极二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
V
GS
= 0V时，我
S
= 18A
V
GS
= 0V时，我
S
= 1.8A
I
F
= 18A ，的di / dt = 300A / μs的
0.8
0.4
27
31
1.2
0.7
43
50
V
ns
nC
注意事项：
1. R
θJA
与安装在1英寸的设备决定
2
垫2盎司铜焊盘上的1.5× 1.5的FR-4材料中。板。
θJC
由设计而
= CA
由下式确定
用户的电路板设计。
一个），安装在一个时50℃ / W的
1in
2
垫2盎司纯铜。
二）安装在当125° C / W的
最小焊盘。
2.脉冲测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 2.0 ％ 。
3.起始物为
J
= 25℃时，L = 3MH ，我
AS
= 12A ，V
DD
= 30V, V
GS
= 10V.
2007仙童半导体公司
FDS8672S Rev.D2
2
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FDS8672S的N-沟道PowerTrench
SyncFET
典型特征
T
J
= 25 ° C除非另有说明
80
归
漏极至源极导通电阻
V
GS
= 3.5V
I
D
,
漏电流（ A）
4.0
3.5
3.0
2.5
V
GS
= 3.5V
V
GS
= 3V
脉冲持续时间= 80
s
占空比= 0.5 ％ MAX
60
V
GS
= 10V
V
GS
= 4.5V
40
V
GS
= 4V
V
GS
= 3V
2.0
1.5
1.0
0.5
0
20
40
I
D
,
漏极电流（ A）
V
GS
= 4.5V
V
GS
= 4V
20
脉冲持续时间= 80
s
占空比= 0.5 ％ MAX
V
GS
= 10V
0
0
1
2
3
60
80
V
DS
,
漏源极电压（ V）
图1.区域特征
图2.归一导通电阻
VS漏极电流和栅极电压
15
源导通电阻
(
m
)
1.6
归
漏极至源极导通电阻
I
D
= 18A
V
GS
= 10V
I
D
= 18A
脉冲持续时间= 80
s
占空比= 0.5 ％ MAX
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
-75
r
DS （ ON）
，沥去
12
9
T
J
= 125
o
C
6
T
J
= 25
o
C
3
-50
-25
0
25 50 75 100 125 150
T
J
,
结温
(
o
C
)
2
4
6
8
10
V
GS
,
栅极至源极电压
(
V
)
图3.归一导通电阻
VS结温
80
I
S
，反向漏电流（ A）
脉冲持续时间= 80
s
占空比= 0.5 ％ MAX
图4.导通电阻与栅极到
源极电压
100
V
GS
= 0V
I
D
，漏电流（ A）
60
V
DD
= 5V
10
1
0.1
0.01
T
J
= 125
o
C
40
T
J
= 125
o
C
T
J
= 25
o
C
20
T
J
= 25
o
C
T
J
= -55
o
C
T
J
= -55
o
C
0
0
1
2
3
4
0.001
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V
GS
，门源电压（ V）
V
SD
，体二极管正向电压（ V）
图5.传输特性
图6.源极到漏极二极管
正向电压随电流源
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SyncFET
典型特征
T
J
= 25 ° C除非另有说明
10
V
GS
，门源电压（ V）
I
D
= 18A
5000
C
国际空间站
V
DD
= 10V
8
6
V
DD
= 20V
V
DD
= 15V
电容（pF）
1000
C
OSS
4
2
C
RSS
F = 1MHz的
V
GS
= 0V
100
0
0
5
10
15
20
25
30
Q
g
，栅极电荷（ NC）
60
0.1
1
10
30
V
DS
，漏源极电压（ V）
图7.栅极电荷特性
图8.电容VS漏
至源极电压
20
I
D
,
漏电流（ A）
30
I
AS
，雪崩电流（ A）
15
V
GS
= 10V
10
T
J
= 25
o
C
10
V
GS
= 4.5V
T
J
=
125
o
C
5
R
θ
JA
= 50℃ / W
o
1
0.01
0.1
1
10
100
500
0
25
50
75
100
o
125
150
t
AV
，一次雪崩（毫秒）
T
A
,
环境温度
(
C
)
图9.松开电感
交换能力
100
I
D
，漏电流（ A）
图10.最大连续漏极
电流与环境温度
3000
P
(
PK
)
,
瞬态峰值功率（ W）
1ms
1000
V
GS
= 10V
单脉冲
R
θ
JA
= 125
o
C / W
T
A
= 25
o
C
10
这个区域是
限于由R
DS （ ON）
10ms
100
1
100ms
1s
10s
DC
0.1
单脉冲
T
J
=最大额定
R
θ
JA
= 125
o
C / W
T
A
= 25
o
C
10
0.01
0.01
0.1
1
10
100
1
0.5
-3
10
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
V
DS
，漏源极电压（ V）
T，脉冲宽度（ S）
图11.正向偏置安全
工作区
图12.单脉冲最大
功耗
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FDS8672S的N-沟道PowerTrench
SyncFET
典型特征
T
J
= 25 ° C除非另有说明
2
1
归热
阻抗Z
θ
JA
占空比，降序排列
0.1
0.01
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
P
DM
t
1
0.001
单脉冲
R
θ
JA
= 125℃ / W
o
t
2
注意事项：
DUTY因子：D = T
1
/t
2
PEAK牛逼
J
= P
DM
X Z
θJA
个R
θJA
+ T
A
0.0001
-3
10
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
吨，矩形脉冲持续时间（ S）
图13.瞬态热响应曲线
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