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FFPF10F150S
10 A， 1500 V ，阻尼二极管
六月
2000
FFPF10F150S
特点
高
快速恢复
t
rr
= 170纳秒（ @我
F
= 1 A)
最大正向电压，V
F
= 1.6 V（ @ T
C
= 25°C)
1500 V反向电压和高可靠性
低正向电压
tm
10 A， 1500 V ，阻尼二极管
应用
适用于
阻尼二极管
in
横
偏转电路
TO-220F
1
2
1.阴极
2.阳极
绝对最大额定值
符号
V
RRM
I
F（ AV ）
I
FSM
T
J,
T
英镑
T
C
= 25 ° C除非另有说明
°
价值
1500
@ T
C
= 125°C
10
100
- 65 + 150
单位
V
A
A
°C
参数
反向重复峰值电压
平均正向电流整流
非重复性峰值浪涌电流
60Hz单半正弦波
工作结温和存储温度
热特性
符号
R
θJC
参数
最大热阻，结到外壳
T
C
=25
°
C除非另有说明
分钟。
T
C
= 25
°C
T
C
= 125
°C
T
C
= 25
°C
T
C
= 125
°C
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
马克斯。
1.6
1.4
A
10
80
170
250
14
ns
ns
V
单位
V
价值
3.0
单位
° C / W
电气特性
符号
V
F
*
参数
最大正向电压
I
F
= 10A
I
F
= 10A
最大瞬时反向电流
@额定V
R
最大反向恢复时间
(I
F
= 1 A， di / dt的= 50 A / μs）内
最大正向恢复时间
(I
F
= 6.5 A， di / dt的= 50 A / μs）内
最大正向恢复电压
I
R
*
t
rr
t
fr
V
FRM
*脉冲测试：脉冲宽度= 300
s,
值班Cycle≤2 ％
2000飞兆半导体
公司FFPF10F150S
www.fairchildsemi.com
FFPF10F150S
10 A， 1500 V ，阻尼二极管
典型特征
100
100
正向电流，I
F
[A]
[
A]
10
反向电流，I
10
T
J
= 125 C
1
o
o
T
J
= 125 C
1
o
o
R
0.1
T
J
= 100 C
o
T
J
= 25 C
0.01
T
J
= 25 C
0.1
0.0
0.001
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
0
300
600
900
1200
1500
正向电压，V
F
[V]
反向电压， V
R
[V]
图1.典型正向电压降
与正向电流
200
400
图2.典型的反向电流
与反向电压
rr
160
[ NS ]
300
180
典型电容
在0V = 150 pF的
140
120
100
80
60
40
20
0
0.1
1
10
100
反向恢复时间，
T
电容CJ [ pF的]
的di / dt = 50A /
s
200
的di / dt = 100A /
s
100
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
反向电压， V
R
[V]
正向电流，I
F
[A]
图3.典型结电容
图4.典型的反向恢复时间
与正向电流
15
[ NC ]
存储恢复电荷，Q
1500
平均正向电流，I
的di / dt = 100A /
s
rr
F（ AV ）
[A]
2000
10
C
D
1000
的di / dt = 50A /
s
5
500
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0
80
100
120
o
140
160
正向电流，I
F
[A]
外壳温度，T
C
[ C]
图5.典型的存储电荷
与正向电流
2000飞兆半导体
公司FFPF10F150S
图6.正向电流降额曲线
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FFPF10F150S
10 A， 1500 V ，阻尼二极管
包装尺寸
TO- 220F 2L
10.16
±0.20
3.18
±0.10
2.54
±0.20
(0.70)
3.30
±0.10
6.68
±0.20
15.80
±0.20
(1.00x45°)
(6.50)
(1.80)
9.75
±0.30
12.00
±0.20
MAX1.47
0.80
±0.10
2.76
±0.20
0.35
±0.10
2.54TYP
[2.54
±0.20
]
2.54TYP
[2.54
±0.20
]
+0.10
0.50
–0.05
9.40
±0.20
4.70
±0.20
15.87
±0.20
单位：毫米
2000飞兆半导体
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10 A， 1500 V ，阻尼二极管
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FYS-8016BX
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FAIDL80G
FALXTEED0SE001
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