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SOT89 NPN硅平面
高压晶体管
发行1995年10月3日
特点
* 150伏V
首席执行官
* 1安培连续电流
7
FCX495
C
PARTMARKING详细信息 -
N95
C
B
E
绝对最大额定值。
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
峰值脉冲电流
基极电流
在T功耗
AMB
=25°C
工作和存储温度范围
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
合计
T
j
:T
英镑
价值
170
150
5
1
2
200
1
-65到+150
单位
V
V
V
A
A
mA
W
°C
电气特性（在T
AMB
= 25°C).
参数
击穿电压
符号
V
（ BR ） CBO
V
CEO （ SUS ）
V
（ BR ） EBO
集电极截止
电流
发射极截止电流
发射极饱和
电压
基射
关闭电压
静态正向电流
传输比
I
CBO
, I
CES
I
EBO
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
h
FE
100
100
50
10
100
10
分钟。
170
150
5
100
100
0.2
0.3
1.0
1.0
马克斯。
单位
V
V
V
nA
nA
V
V
V
V
条件。
I
C
=100A
I
C
=10mA*
I
E
=100A
V
CB
=150V, V
CE
=150V
V
EB
=4V
I
C
= 250毫安，我
B
=25mA*
I
C
= 500毫安，我
B
=50mA*
I
C
= 500毫安，我
B
=50mA*
I
C
= 500毫安，V
CE
=10V*
I
C
= 1mA时， V
CE
=10V
I
C
= 250毫安，V
CE
=10V*
I
C
= 500毫安，V
CE
=10V*
I
C
= 1A ，V
CE
=10V*
兆赫
pF
I
C
= 50mA时V
CE
=10V
f=100MHz
V
CB
= 10V ， F = 1MHz的
300
跃迁频率
集电极 - 基
击穿电压
f
T
C
敖包
*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300μS 。占空比
≤
2%
对于典型特征图看FMMT495数据表
3 - 89
FCX495
SOT89 NPN硅平面高电压晶体管
特点
150伏V
首席执行官
1安培连续电流
E
C
C
B
引脚 - 顶视图
器件标识
N95
绝对最大额定值
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
峰值脉冲电流
基极电流
在T功耗
AMB
= 25°C
工作和存储温度范围
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
合计
T
j
:T
英镑
价值
170
150
5
1
2
200
1
-65到+150
单位
V
V
V
A
A
mA
W
°C
电气特性（在T
AMB
= 25°C)
参数
击穿电压
符号
V
（ BR ） CBO
V
CEO （ SUS ）
V
（ BR ） EBO
I
CBO
, I
CES
I
EBO
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
基极 - 发射极导通电压
静态正向电流传输
比
V
BE（上）
h
FE
100
100
50
10
跃迁频率
集电极 - 基极击穿电压
f
T
C
敖包
100
10
2%
分钟。
170
150
5
马克斯。
单位
V
V
V
nA
nA
V
V
V
V
条件
I
C
=100A
I
C
=10mA
(*)
I
E
=100A
V
CB
=150V, V
CE
=150V
V
EB
=4V
I
C
= 250毫安，我
B
=25mA
(*)
I
C
= 500毫安，我
B
=50mA
(*)
I
C
= 500毫安，我
B
=50mA
(*)
I
C
= 500毫安，V
CE
=10V
(*)
I
C
= 1mA时， V
CE
=10V
I
C
= 250毫安，V
CE
=10V
(*)
I
C
= 500毫安，V
CE
=10V
(*)
I
C
= 1A ，V
CE
=10V
(*)
I
C
= 50mA时V
CE
=10V
f=100MHz
V
CB
= 10V ， F = 1MHz的
集电极截止电流
发射极截止电流
发射极饱和电压
100
100
0.2
0.3
1.0
1.0
300
兆赫
pF
注意事项：
（*）的测量脉冲条件下进行。脉冲宽度= 300 S.占空比
第4期 - 2007年5月
捷特科PLC 2007
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FCX495
典型特征
第4期 - 2007年5月
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2
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FCX495
典型特征
0.4
+25°C
0.4
I
C
/I
B
=10
V
CE （ SAT ）
- (V)
V
CE （ SAT ）
- (V)
0.3
I
C
/I
B
=10
I
C
/I
B
=50
0.3
-55°C
+25°C
+100°C
0.2
0.2
0.1
0.1
0
1mA
10mA
100mA
1A
10A
0
1mA
10mA
100mA
1A
10A
I
C
- 集电极电流
I
C
- 集电极电流
V
CS （SAT）
与我
C
320
V
CE
=10V
1.0
I
C
/I
B
=10
0.8
V
CS （SAT）
与我
C
h
FE
- 典型增益
+25°C
V
BE （ SAT ）
- (V)
240
+100°C
0.6
0.4
0.2
0
1mA
-55°C
+25°C
+100°C
160
-55°C
80
0
1mA
10mA
100mA
1A
10A
10mA
100mA
1A
10A
I
C
- 集电极电流
I
C
- 集电极电流
h
FE
与我
C
1.0
V
CE
=10V
0.8
0.6
0.4
0.2
0
1mA
-55°C
+25°C
+100°C
V
BE （ SAT ）
与我
C
V
BE（上）
- (V)
10mA
100mA
1A
10A
I
C
- 集电极电流
V
BE（上）
与我
C
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有意留为空白
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封装外形 - SOT89
D
D1
C
A
H
E
E1
L
B
B1
e
e1
暗淡
A
B
B1
C
D
D1
MILLIMETERS
民
1.40
0.44
0.36
0.35
4.40
1.52
最大
1.60
0.56
0.48
0.44
4.60
1.83
英寸
民
0.550
0.017
0.014
0.014
0.173
0.064
最大
0.630
0.022
0.019
0.017
0.181
0.072
暗淡
E
E1
e
e1
H
L
MILLIMETERS
民
2.29
2.13
最大
2.60
2.29
英寸
民
0.090
0.084
最大
0.102
0.090
1.50 BSC
3.00 BSC
3.94
0.89
4.25
1.20
0.059 BSC
0.118 BSC
0.155
0.035
0.167
0.047
注意：
控制尺寸以毫米为单位。近似尺寸以英寸为单位提供
第4期 - 2007年5月
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SOT89 NPN硅平面高电压晶体管
特点
150伏V
首席执行官
1安培连续电流
E
C
C
B
引脚 - 顶视图
器件标识
N95
绝对最大额定值
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
峰值脉冲电流
基极电流
在T功耗
AMB
= 25°C
工作和存储温度范围
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
合计
T
j
:T
英镑
价值
170
150
5
1
2
200
1
-65到+150
单位
V
V
V
A
A
mA
W
°C
电气特性（在T
AMB
= 25°C)
参数
击穿电压
符号
V
（ BR ） CBO
V
CEO （ SUS ）
V
（ BR ） EBO
I
CBO
, I
CES
I
EBO
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
基极 - 发射极导通电压
静态正向电流传输
比
V
BE（上）
h
FE
100
100
50
10
跃迁频率
集电极 - 基极击穿电压
f
T
C
敖包
100
10
2%
分钟。
170
150
5
马克斯。
单位
V
V
V
nA
nA
V
V
V
V
条件
I
C
=100A
I
C
=10mA
(*)
I
E
=100A
V
CB
=150V, V
CE
=150V
V
EB
=4V
I
C
= 250毫安，我
B
=25mA
(*)
I
C
= 500毫安，我
B
=50mA
(*)
I
C
= 500毫安，我
B
=50mA
(*)
I
C
= 500毫安，V
CE
=10V
(*)
I
C
= 1mA时， V
CE
=10V
I
C
= 250毫安，V
CE
=10V
(*)
I
C
= 500毫安，V
CE
=10V
(*)
I
C
= 1A ，V
CE
=10V
(*)
I
C
= 50mA时V
CE
=10V
f=100MHz
V
CB
= 10V ， F = 1MHz的
集电极截止电流
发射极截止电流
发射极饱和电压
100
100
0.2
0.3
1.0
1.0
300
兆赫
pF
注意事项：
（*）的测量脉冲条件下进行。脉冲宽度= 300 S.占空比
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典型特征
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典型特征
0.4
+25°C
0.4
I
C
/I
B
=10
V
CE （ SAT ）
- (V)
V
CE （ SAT ）
- (V)
0.3
I
C
/I
B
=10
I
C
/I
B
=50
0.3
-55°C
+25°C
+100°C
0.2
0.2
0.1
0.1
0
1mA
10mA
100mA
1A
10A
0
1mA
10mA
100mA
1A
10A
I
C
- 集电极电流
I
C
- 集电极电流
V
CS （SAT）
与我
C
320
V
CE
=10V
1.0
I
C
/I
B
=10
0.8
V
CS （SAT）
与我
C
h
FE
- 典型增益
+25°C
V
BE （ SAT ）
- (V)
240
+100°C
0.6
0.4
0.2
0
1mA
-55°C
+25°C
+100°C
160
-55°C
80
0
1mA
10mA
100mA
1A
10A
10mA
100mA
1A
10A
I
C
- 集电极电流
I
C
- 集电极电流
h
FE
与我
C
1.0
V
CE
=10V
0.8
0.6
0.4
0.2
0
1mA
-55°C
+25°C
+100°C
V
BE （ SAT ）
与我
C
V
BE（上）
- (V)
10mA
100mA
1A
10A
I
C
- 集电极电流
V
BE（上）
与我
C
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封装外形 - SOT89
D
D1
C
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E1
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B1
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e1
暗淡
A
B
B1
C
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MILLIMETERS
民
1.40
0.44
0.36
0.35
4.40
1.52
最大
1.60
0.56
0.48
0.44
4.60
1.83
英寸
民
0.550
0.017
0.014
0.014
0.173
0.064
最大
0.630
0.022
0.019
0.017
0.181
0.072
暗淡
E
E1
e
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H
L
MILLIMETERS
民
2.29
2.13
最大
2.60
2.29
英寸
民
0.090
0.084
最大
0.102
0.090
1.50 BSC
3.00 BSC
3.94
0.89
4.25
1.20
0.059 BSC
0.118 BSC
0.155
0.035
0.167
0.047
注意：
控制尺寸以毫米为单位。近似尺寸以英寸为单位提供
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FFPF10F150STU
FNQ-R-1/2
FRS1215
FYS-8016BX
FX929AP4
FMA-461F
FR82
FAIDL80G
FALXTEED0SE001
FST8335L
FS200
FM27LV512TE150L
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
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    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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联系人：柯
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联系人：夏先生 朱小姐
地址：深圳市福田区华强北街道赛格科技园3栋东座10楼A2（本公司为一般纳税人，可开增票）
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联系人：李林
地址：深圳市福田区华强北电子科技大夏A座36楼C09
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全新原装正品现货热卖
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联系人：刘经理
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
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全新原装正品/质量有保证
深圳市晶美隆科技有限公司销售一部
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电话：0755-83209630 82519391
联系人：许小姐
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联系人：吴
地址：深圳市福田区华强北赛格科技园4栋西6楼A座611（本公司为一般纳税人，可以开17%增值税）
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电话：0755-83259954/0755-82701784
联系人：李小姐/李先生/罗小姐/汪先生
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