FDS8960C双N & P沟道PowerTrench
MOSFET
2005年11月
FDS8960C
双N & P沟道PowerTrench
MOSFET
概述
这些双N和P沟道增强型
功率场效应晶体管都采用生产
飞兆半导体的PowerTrench先进
已特别针对减少流程
通态ressitance ，但保持出色的开关
性能。
这些装置非常适用于低电压和
电池供电应用的低线供电
损耗和快速开关是必需的。
特点
Q1:
N沟道
R
DS （ ON）
= 0.024Ω @ V
GS
= 10V
R
DS （ ON）
= 0.032Ω @ V
GS
= 4.5V
Q2:
P沟道
R
DS （ ON）
= 0.053Ω @ V
GS
= –10V
R
DS （ ON）
= 0.087Ω @ V
GS
= –4.5V
开关速度快
符合RoHS
7.0A ， 35V
-5A ， -35V
D1
D
D1
D
D2
D
D
D2
Q2
5
6
Q1
4
3
2
1
SO-8
销1
SO-8
G1
S1
S
G2
S2
G
7
8
S
S
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
DS （雪崩）
V
GSS
I
D
P
D
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
漏源电压
漏源雪崩电压（最大）
栅源电压
漏电流
- 连续
- 脉冲
功耗双操作
功率消耗单操作
（注3）
Q1
35
40
±20
7
20
（注1A ）
（注1B ）
（注1C ）
Q2
–35
–40
±25
–5
–20
2
1.6
1
0.9
-55到+150
单位
V
V
V
A
W
（注1A ）
T
J
, T
英镑
工作和存储结温范围
°C
° C / W
° C / W
热特性
R
θJA
R
θJC
热阻，结到环境
热阻，结到外壳
（注1A ）
（注1 ）
78
40
包装标志和订购信息
器件标识
FDS8960C
设备
FDS8960C
带尺寸
13”
胶带宽度
12mm
QUANTITY
2500台
www.fairchildsemi.com
2005
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
FDS8960C冯C1 （ W）
FDS8960C双N & P沟道PowerTrench
MOSFET
电气特性
符号
E
AS
I
AS
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
漏源雪崩
能源（单脉冲）
漏源雪崩
当前
漏源击穿
电压
击穿电压
温度COEF网络cient
零栅压漏
当前
门体泄漏，正向
测试条件
V
DD
= 35 V,
I
D
7 = A，L = 1毫亨
输入最小值典型值
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
35
–35
31
–40
7
–5
最大单位
24.5
12.5
mJ
mJ
A
漏源雪崩额定值
V
DD
= -35 V，I
D
= -5 A ， L = 1毫亨
开关特性
BV
DSS
ΔBV
DSS
ΔT
J
I
DSS
I
GSSF
I
GSSR
I
GSSR
I
GSSF
I
D
= 250
μA
V
GS
= 0 V,
I
D
= –250
μA
V
GS
= 0 V,
I
D
= 250
μA,
参考25 ℃下
I
D
= -250 μA ，参考25℃
V
DS
= 28 V,
V
GS
= 0 V
V
GS
= 0 V
V
DS
= –28 V,
V
GS
= 20 V,
V
DS
= 0 V
V
DS
= 0 V
V
DS
= 0 V
V
DS
= 0 V
V
毫伏/°C的
1
–1
100
–100
100
–100
μA
nA
nA
nA
nA
门体泄漏，反向V
GS
= –20 V,
门体泄漏，正向V
GS
= 25 V,
门体泄漏，反向V
GS
= –25 V,
（注2 ）
基本特征
V
GS （ TH）
ΔV
GS （ TH）
ΔT
J
R
DS （ ON）
栅极阈值电压
栅极阈值电压
温度COEF网络cient
静态漏源
导通电阻
g
FS
正向跨导
I
D
= 250
μA
V
DS
= V
GS
,
I
D
= –250 A
V
DS
= V
GS
,
I
D
= 250
μA,
参考25 ℃下
I
D
= -250 μA ，参考25℃
V
GS
= 10 V,
I
D
= 7 A
I
D
= 6 A
V
GS
= 4.5 V,
V
GS
= 10 V，I
D
= 7 A，T
J
= 125°C
I
D
= –5 A
V
GS
= –10 V,
I
D
= –4 A
V
GS
= –4.5 V,
V
GS
= -10 V，I
D
= ± 5 A，T
J
= 125°C
V
DS
= 5 V,
I
D
= 7 A
I
D
=–5 A
V
DS
= –5 V,
Q1
V
DS
= 15 V, V
GS
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
1
–1
2
–1.8
–5
4
20
25
29
44
70
61
23
9
570
540
126
113
52
60
2
6
3
–3
V
毫伏/°C的
24
32
37
53
87
79
mΩ
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
S
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
G
输入电容
输出电容
Q2
反向传输电容V
DS
= –15 V, V
GS
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
栅极电阻
F = 1.0 MHz的
pF
pF
pF
Ω
FDS8960C冯C1 （ W）
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MOSFET
电气特性
符号
参数
（续）
T
A
= 25 ° C除非另有说明
测试条件
（注2 ）
键入敏
典型值
最大单位
开关特性
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
Q1
V
DD
= 15 V，I
D
= 1 A,
V
GS
= 10V ，R
根
= 6
Ω
Q2
V
DD
= -15 V，I
D
= -1 A,
V
GS
= ± 10V ，R
根
= 6
Ω
Q1
V
DS
= 15 V，I
D
= 7 A，V
GS
= 5 V
Q2
V
DS
= -15 V，I
D
= -5 A ，V
GS
= –5 V
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
8
12
5
16
23
20
3
5
5.5
5.7
1.8
1.8
1.8
2
16
22
10
29
37
32
6
10
7.7
8
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
漏源二极管特性
I
S
V
SD
t
rr
Q
rr
最大连续漏源二极管的正向电流
漏源二极管正向
电压
二极管的反向恢复
时间
二极管的反向恢复
收费
V
GS
= 0 V，I
S
= 1.3 A
V
GS
= 0 V，I
S
= –1.3 A
Q1
I
F
= 7 A，D
iF
/d
t
= 100 A / μs的
Q2
I
F
= -5 A ，D
iF
/d
t
= 100 A / μs的
（注2 ）
（注2 ）
0.8
–0.8
20
17
10
5
1.3
–1.3
1.2
–1.2
A
V
nS
nC
注意事项：
1.
R
θJA
是总和的结到壳体和壳到环境的热阻，其中所述壳体热参考被定义为所述焊料安装面
漏极引脚。
θJC
由设计而
= CA
是通过用户的电路板的设计来确定。
一） 78 ° C / W时，
安装在一
在0.5
2
的2盎司垫
铜
B） 125 ° C / W时，
安装在一个0.02
2
2盎司纯铜垫
C） 135 ° C / W安装在一个时
最小焊盘。
在信纸尺寸的纸张1 ： 1规模
2.脉冲测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 2.0 ％
3. BV （雪崩）单脉冲等级的设计保证如果设备是设备的研究所SOA范围内进行操作。
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MOSFET
典型特征： Q1 （ N沟道）
20
2.6
V
GS
= 10V
6.0V
4.5V
R
DS （ ON）
归一化
漏源导通电阻
3.5V
2.4
2.2
2
V
GS
= 3.5V
1.8
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0
0.5
1
1.5
V
DS
，漏源极电压（ V）
2
16
I
D
，漏电流（ A）
12
8
4.0V
4.5V
5.0V
6.0V
10V
3.0V
4
0
0
4
8
12
I
D
，漏电流（ A）
16
20
图1.区域特征。
图2.导通电阻变化与
漏电流和栅极电压。
0.065
I
D
= 3.5A
R
DS （ ON）
，导通电阻（ OHM ）
0.055
1.8
R
DS （ ON）
归一化
漏源导通电阻
1.6
1.4
I
D
= 7A
V
GS
= 10V
0.045
T
A
= 125
o
C
0.035
1.2
1
0.8
0.6
-50
-25
0
25
50
75
100
o
T
J
，结温（ C）
125
150
0.025
T
A
= 25
o
C
0.015
2
3
4
5
6
7
8
V
GS
，门源电压（ V）
9
10
图3.导通电阻变化与
温度。
30
V
DS
= 5V
25
I
D
，漏电流（ A）
125
o
C
20
I
S
，反向漏电流（ A）
T
A
= -55 C
o
图4.导通电阻变化与
栅极 - 源极电压。
100
25 C
o
V
GS
= 0V
10
T
A
= 125
o
C
1
25
o
C
-55
o
C
0.01
15
0.1
10
5
0.001
0
1.5
2.5
3.5
V
GS
，门源电压（ V）
4.5
0.0001
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
V
SD
，体二极管正向电压（ V）
1.2
图5.传输特性。
图6.体二极管正向电压的变化
与源电流和温度。
FDS8960C冯C1 （ W）
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MOSFET
典型特征： Q1 （ N沟道）
10
800
V
GS
，栅源电压（V ）
I
D
= 7A
8
V
DS
= 10V
15V
700
F = 1 MHz的
V
GS
= 0 V
C
国际空间站
电容（pF）
20V
6
600
500
400
300
4
C
OSS
200
100
2
C
RSS
0
5
10
15
20
25
V
DS
，漏源极电压（ V）
30
35
0
0
2
4
6
8
10
12
0
Q
g
，栅极电荷（ NC）
图7.栅极电荷特性。
100
R
DS （ ON）
极限
100
μ
s
P（ PK） ，峰值瞬态功率（ W）
50
图8.电容特性。
40
I
D
，漏电流（ A）
10
1ms
10ms
100ms
单脉冲
R
θ
JA
= 135 ° C / W
T
A
= 25°C
30
1
10s
DC
V
GS
= 10V
单脉冲
R
θ
JA
= 135
o
C / W
T
A
= 25
o
C
1s
20
0.1
10
0.01
0.1
1
10
V
DS
，漏源电压（V ）
100
0
0.001
0.01
0.1
1
t
1
，时间（秒）
10
100
1000
图9.最高安全工作区。
图10.单脉冲最大
功耗。
100
40
我（ PK） ，峰值瞬态电流（A）
30
我（ AS ） ，雪崩电流（ A）
单脉冲
R
θ
JA
= 135 ° C / W
T
A
= 25°C
T
J
= 25 C
o
20
10
10
0
0.001
0.01
0.1
1
t
1
，时间（秒）
10
100
1000
1
0.01
0.1
1
10
t
AV
，时间AVANCHE （毫秒）
图11.单脉冲最大峰值
当前
图12.非钳位感应开关
能力
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