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1998年3月
FDN358P
P沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管
概述
SuperSOT
TM
-3 P沟道逻辑电平增强模式
功率场效应晶体管都采用飞兆半导体生产的
专有的，高密度， DMOS技术。这很
高密度工艺特别是针对减少
通态电阻。这些装置特别适用于
在笔记本电脑中的低电压应用中，便携式
手机，PCMCIA卡，和其它电池供电的电路
其中，快速开关，和低线的功率损耗，需要
在一个非常小外形表面贴装封装。
特点
-1.5 A， -30 V ，R
DS （ ON）
= 0.125
@ V
GS
= -10 V
R
DS （ ON）
= 0.20
@ V
GS
= - 4.5 V.
业内SOT -23封装的高功率版：相同
销出去的SOT-23 ;高30％的功率处理能力。
高密度电池设计极低R
DS （ ON）
.
呈导通电阻和最大直流电流
能力。
SuperSOT -3
TM
SuperSOT
TM
-6
SuperSOT -8
TM
SO-8
SOT-223
SOIC-16
D
D
8
35
S
G
S
SuperSOT -3
TM
G
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
P
D
T
J
,T
英镑
R
θ
JA
R
θ
JC
参数
漏源电压
栅源电压
T
A
= 25
o
C除非其他明智的注意
FDN358P
-30
±20
-1.5
-5
（注1A ）
（注1B ）
单位
V
V
A
漏/输出电流 - 连续
- 脉冲
最大功率耗散
0.5
0.46
-55到150
W
工作和存储温度范围
°C
热特性
热阻，结到环境
热阻，结到外壳
（注1A ）
（注1 ）
250
75
° C / W
° C / W
1998仙童半导体公司
FDN358P Rev.D
电气特性
(T
A
= 25
O
C除非另有说明）
符号
参数
条件
民
典型值
最大
单位
开关特性
BV
DSS
漏源击穿电压
击穿电压温度。系数
零栅极电压漏极电流
V
GS
= 0 V，I
D
= -250 A
I
D
= -250 μA ，参考25
o
C
V
DS
= -24 V, V
GS
= 0 V
T
J
= 55°C
I
GSSF
I
GSSR
V
GS （ TH）
门 - 体泄漏，正向
门 - 体泄漏，反向
（注2 ）
-30
-28
-1
-10
100
-100
V
毫伏/
o
C
A
A
nA
nA
BV
DSS
/
T
J
I
DSS
V
GS
= 20 V, V
DS
= 0 V
V
GS
= -20 V, V
DS
= 0 V
V
DS
= V
GS
, I
D
= -250 A
I
D
= -250 μA ，参考25℃
V
GS
= -10 V，I
D
= -1.5 A
T
J
=125°C
V
GS
= -4.5 V，I
D
= -1.2 A
o
基本特征
栅极阈值电压
栅极阈值电压温度。系数
静态漏源导通电阻
-1
-1.5
3
0.11
0.15
0.175
-2
V
毫伏/
o
C
V
GS （ TH）
/
T
J
R
DS （ ON）
0.125
0.21
0.2
I
D（上）
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
I
S
V
SD
注意：
通态漏电流
正向跨导
V
GS
= -4.5 V, V
DS
= -5 V
V
DS
= -10 V，I
D
= -1.5 A
V
DS
= -10 V, V
GS
= 0 V,
F = 1.0 MHz的
-5
7
A
S
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
（注2 ）
270
150
45
pF
pF
pF
开关特性
打开 - 延迟时间
打开 - 上升时间
打开 - 关闭延迟时间
打开 - 关闭下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DD
= -15 V，I
D
= -1 A,
V
GS
= -10 V ，R
根
= 6
8
7
17
10
16
14
27
1.8
9.1
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
DS
= -5 V，I
D
= -1.5 A,
V
GS
= -10 V
6.5
1
1.1
漏源二极管的特性和最大额定值
最大连续漏源二极管的正向电流
漏源二极管的正向电压
V
GS
= 0 V，I
S
= -0.42 A
（注2 ）
-0.42
-0.74
-1.2
A
V
1. R
θ
JA
是总和的结到壳体和壳到环境的热阻，其中所述壳体热参考被定义为所述焊料安装面
设计，同时
θ
CA
是通过用户的电路板的设计来确定。
典型
θ
JA
使用如下所示的FR- 4 PCB的静止空气环境中的电路板布局：
漏针。
θ
JC
被担保
a. 250
o
安装时C / W
在0.02
2
垫2盎司铜。
a
b. 270
o
安装时C / W
在0.001
2
垫2盎司铜。
在信纸尺寸的纸张1 ： 1规模
2.脉冲测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 2.0 ％ 。
FDN358P Rev.D
典型电气特性
10
2.5
-I
D
，漏源电流（A ）
V
GS
= -10V -6.0
8
-5.0
R
DS （ ON）
归一化
-4.5
-4.0
漏源导通电阻
2
V
GS
= -4.0V
-4.5
6
4
-3.5
1.5
-5.0
-6.0
-7.0
-8.0
-10
0
2
4
6
8
10
2
-3.0
1
0
0
1
-V
DS
2
3
4
5
，漏源电压（V ）
-I
D
，漏电流（ A）
图1.区域特征。
图2.导通电阻变化与
漏电流和门
1.6
0.5
R
DS （ ON）
，导通电阻（ OHM ）
漏源导通电阻
1.4
I
D
= -1.5A
V
GS
= -10V
I
D
= 0.75A
0.4
R
DS （ ON）
归一化
1.2
0.3
1
0.2
T
A
= 125°C
0.8
0.1
T
A
= 25°C
0.6
-50
0
-25
0
J
25
50
75
100
125
150
2
4
6
8
10
T，结温（ ° C）
-V
GS
，门源电压（ V）
图3.导通电阻变化
与温度。
图4.导通电阻变化与
栅极 - 源极电压。
V
DS
= -5V
-I
D
，漏电流（ A）
8
T = -55°C
A
25°C
125°C
-I
S
，反向漏电流（ A）
10
10
V
GS
= 0V
T = 125°C
J
25°C
-55°C
1
6
0.1
4
0.01
2
0.001
0
1
2
-V
GS
3
4
5
6
0.0001
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
，门源电压（ V）
-V
SD
，体二极管正向电压（ V）
图5.传输特性。
图6.体二极管正向电压
变化与源电流
和温度。
FDN358P Rev.D
典型电气特性
10
-V
GS
，栅源电压（V ）
700
I
D
= -1.5A
8
V
DS
= -5V
-15V
-10V
电容（pF）
400
西塞
200
6
科斯
100
4
50
2
20
0.1
F = 1 MHz的
V
GS
= 0 V
0
2
4
Q
g
，栅极电荷（ NC）
6
8
0.2
0.5
1
2
5
10
C
RSS
0
30
-V
DS
，漏源极电压（ V）
图7.栅极电荷特性。
图8.电容特性。
10
5
-I
D
，漏电流（ A）
2
1
0.5
IT
LIM
N)
(O
S
RD
50
1m
s
10m
s
40
功率（W）的
10
单脉冲
R
θ
JA
= 250 ° C / W
T
A
= 25°C
0m
s
30
0.1
0.05
V
GS
= -10V
单脉冲
R
θ
JA
= 250 ° C / W
T
A
= 25°C
A
0.2
0.5
1
2
5
DC
1s
10s
20
10
0.01
0.1
10
30
50
0
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100 300
- V
DS
，漏源电压（V ）
单脉冲时间（秒）
图9.最高安全工作区。
图10.单脉冲最大功率
耗散。
1
R（T ） ，规范有效
瞬态热阻
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.005
0.002
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
单脉冲
P（ PK）
R
θ
JA
（吨） = R （t）的R *
θ
JA
R
θ
JA
= 250 ° C / W
t
1
t
2
T
J
- T
A
= P * R
θ
JA （T ）
占空比D = T
1
/t
2
0.001
0.0001
0.001
0.01
0.1
t
1
，时间（秒）
1
10
100
300
图11.瞬态热响应曲线。
FDN358P Rev.D
1998年3月
FDN358P
P沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管
概述
SuperSOT
TM
-3 P沟道逻辑电平增强模式
功率场效应晶体管都采用飞兆半导体生产的
专有的，高密度， DMOS技术。这很
高密度工艺特别是针对减少
通态电阻。这些装置特别适用于
在笔记本电脑中的低电压应用中，便携式
手机，PCMCIA卡，和其它电池供电的电路
其中，快速开关，和低线的功率损耗，需要
在一个非常小外形表面贴装封装。
特点
-1.5 A， -30 V ，R
DS （ ON）
= 0.125
@ V
GS
= -10 V
R
DS （ ON）
= 0.20
@ V
GS
= - 4.5 V.
业内SOT -23封装的高功率版：相同
销出去的SOT-23 ;高30％的功率处理能力。
高密度电池设计极低R
DS （ ON）
.
呈导通电阻和最大直流电流
能力。
SuperSOT -3
TM
SuperSOT
TM
-6
SuperSOT -8
TM
SO-8
SOT-223
SOIC-16
D
D
8
35
S
G
S
SuperSOT -3
TM
G
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
P
D
T
J
,T
英镑
R
θ
JA
R
θ
JC
参数
漏源电压
栅源电压
T
A
= 25
o
C除非其他明智的注意
FDN358P
-30
±20
-1.5
-5
（注1A ）
（注1B ）
单位
V
V
A
漏/输出电流 - 连续
- 脉冲
最大功率耗散
0.5
0.46
-55到150
W
工作和存储温度范围
°C
热特性
热阻，结到环境
热阻，结到外壳
（注1A ）
（注1 ）
250
75
° C / W
° C / W
1998仙童半导体公司
FDN358P Rev.D
电气特性
(T
A
= 25
O
C除非另有说明）
符号
参数
条件
民
典型值
最大
单位
开关特性
BV
DSS
漏源击穿电压
击穿电压温度。系数
零栅极电压漏极电流
V
GS
= 0 V，I
D
= -250 A
I
D
= -250 μA ，参考25
o
C
V
DS
= -24 V, V
GS
= 0 V
T
J
= 55°C
I
GSSF
I
GSSR
V
GS （ TH）
门 - 体泄漏，正向
门 - 体泄漏，反向
（注2 ）
-30
-28
-1
-10
100
-100
V
毫伏/
o
C
A
A
nA
nA
BV
DSS
/
T
J
I
DSS
V
GS
= 20 V, V
DS
= 0 V
V
GS
= -20 V, V
DS
= 0 V
V
DS
= V
GS
, I
D
= -250 A
I
D
= -250 μA ，参考25℃
V
GS
= -10 V，I
D
= -1.5 A
T
J
=125°C
V
GS
= -4.5 V，I
D
= -1.2 A
o
基本特征
栅极阈值电压
栅极阈值电压温度。系数
静态漏源导通电阻
-1
-1.5
3
0.11
0.15
0.175
-2
V
毫伏/
o
C
V
GS （ TH）
/
T
J
R
DS （ ON）
0.125
0.21
0.2
I
D（上）
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
I
S
V
SD
注意：
通态漏电流
正向跨导
V
GS
= -4.5 V, V
DS
= -5 V
V
DS
= -10 V，I
D
= -1.5 A
V
DS
= -10 V, V
GS
= 0 V,
F = 1.0 MHz的
-5
7
A
S
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
（注2 ）
270
150
45
pF
pF
pF
开关特性
打开 - 延迟时间
打开 - 上升时间
打开 - 关闭延迟时间
打开 - 关闭下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DD
= -15 V，I
D
= -1 A,
V
GS
= -10 V ，R
根
= 6
8
7
17
10
16
14
27
1.8
9.1
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
DS
= -5 V，I
D
= -1.5 A,
V
GS
= -10 V
6.5
1
1.1
漏源二极管的特性和最大额定值
最大连续漏源二极管的正向电流
漏源二极管的正向电压
V
GS
= 0 V，I
S
= -0.42 A
（注2 ）
-0.42
-0.74
-1.2
A
V
1. R
θ
JA
是总和的结到壳体和壳到环境的热阻，其中所述壳体热参考被定义为所述焊料安装面
设计，同时
θ
CA
是通过用户的电路板的设计来确定。
典型
θ
JA
使用如下所示的FR- 4 PCB的静止空气环境中的电路板布局：
漏针。
θ
JC
被担保
a. 250
o
安装时C / W
在0.02
2
垫2盎司铜。
a
b. 270
o
安装时C / W
在0.001
2
垫2盎司铜。
在信纸尺寸的纸张1 ： 1规模
2.脉冲测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 2.0 ％ 。
FDN358P Rev.D
典型电气特性
10
2.5
-I
D
，漏源电流（A ）
V
GS
= -10V -6.0
8
-5.0
R
DS （ ON）
归一化
-4.5
-4.0
漏源导通电阻
2
V
GS
= -4.0V
-4.5
6
4
-3.5
1.5
-5.0
-6.0
-7.0
-8.0
-10
0
2
4
6
8
10
2
-3.0
1
0
0
1
-V
DS
2
3
4
5
，漏源电压（V ）
-I
D
，漏电流（ A）
图1.区域特征。
图2.导通电阻变化与
漏电流和门
1.6
0.5
R
DS （ ON）
，导通电阻（ OHM ）
漏源导通电阻
1.4
I
D
= -1.5A
V
GS
= -10V
I
D
= 0.75A
0.4
R
DS （ ON）
归一化
1.2
0.3
1
0.2
T
A
= 125°C
0.8
0.1
T
A
= 25°C
0.6
-50
0
-25
0
J
25
50
75
100
125
150
2
4
6
8
10
T，结温（ ° C）
-V
GS
，门源电压（ V）
图3.导通电阻变化
与温度。
图4.导通电阻变化与
栅极 - 源极电压。
V
DS
= -5V
-I
D
，漏电流（ A）
8
T = -55°C
A
25°C
125°C
-I
S
，反向漏电流（ A）
10
10
V
GS
= 0V
T = 125°C
J
25°C
-55°C
1
6
0.1
4
0.01
2
0.001
0
1
2
-V
GS
3
4
5
6
0.0001
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
，门源电压（ V）
-V
SD
，体二极管正向电压（ V）
图5.传输特性。
图6.体二极管正向电压
变化与源电流
和温度。
FDN358P Rev.D
典型电气特性
10
-V
GS
，栅源电压（V ）
700
I
D
= -1.5A
8
V
DS
= -5V
-15V
-10V
电容（pF）
400
西塞
200
6
科斯
100
4
50
2
20
0.1
F = 1 MHz的
V
GS
= 0 V
0
2
4
Q
g
，栅极电荷（ NC）
6
8
0.2
0.5
1
2
5
10
C
RSS
0
30
-V
DS
，漏源极电压（ V）
图7.栅极电荷特性。
图8.电容特性。
10
5
-I
D
，漏电流（ A）
2
1
0.5
IT
LIM
N)
(O
S
RD
50
1m
s
10m
s
40
功率（W）的
10
单脉冲
R
θ
JA
= 250 ° C / W
T
A
= 25°C
0m
s
30
0.1
0.05
V
GS
= -10V
单脉冲
R
θ
JA
= 250 ° C / W
T
A
= 25°C
A
0.2
0.5
1
2
5
DC
1s
10s
20
10
0.01
0.1
10
30
50
0
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100 300
- V
DS
，漏源电压（V ）
单脉冲时间（秒）
图9.最高安全工作区。
图10.单脉冲最大功率
耗散。
1
R（T ） ，规范有效
瞬态热阻
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.005
0.002
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
单脉冲
P（ PK）
R
θ
JA
（吨） = R （t）的R *
θ
JA
R
θ
JA
= 250 ° C / W
t
1
t
2
T
J
- T
A
= P * R
θ
JA （T ）
占空比D = T
1
/t
2
0.001
0.0001
0.001
0.01
0.1
t
1
，时间（秒）
1
10
100
300
图11.瞬态热响应曲线。
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