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FDS6910
2004年9月
FDS6910
双N沟道逻辑电平的PowerTrench
MOSFET
概述
这些N沟道逻辑电平MOSFET产生
运用
飞兆半导体
安森美半导体
先进
已特别定制的PowerTrench工艺
最大限度地减少通态电阻，但保持
出色的开关性能。
这些装置非常适用于低电压和
电池供电应用的低线供电
损耗和快速开关是必需的。
特点
7.5 A， 30 V
R
DS （ ON）
= 13毫欧@ V
GS
= 10 V
R
DS （ ON）
= 17毫欧@ V
GS
= 4.5 V
开关速度快
低栅电荷
高性能沟道技术极
低R
DS （ ON）
高功率和电流处理能力
D2
D
D2
D
D
D1
D1
D
5
6
7
Q1
4
3
2
Q2
SO-8
销1
SO-8
G2
S2
S
G1
S1
G
S
8
1
S
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
P
D
漏源电压
栅源电压
漏电流
- 连续
- 脉冲
T
A
=25
o
C除非另有说明
参数
评级
30
±
20
（注1A ）
单位
V
V
A
W
7.5
20
1.6
1.0
0.9
-55到+150
功率消耗单操作
（注1A ）
（注1B ）
（注1C ）
T
J
, T
英镑
工作和存储结温范围
°C
热特性
R
θJA
R
θJC
热阻，结到环境
热阻，结到外壳
（注1A ）
（注1 ）
78
40
° C / W
° C / W
包装标志和订购信息
器件标识
FDS6910
设备
FDS6910
带尺寸
13’’
胶带宽度
12mm
QUANTITY
2500台
2004
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
FDS6910冯BW ）
FDS6910
电气特性
符号
BV
DSS
ΔBV
DSS
T
J
I
DSS
I
GSS
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
零栅极电压漏极电流
门源漏
（注2 ）
测试条件
I
D
= 250
A
V
GS
= 0 V,
I
D
= 250
A,
参考25 ℃下
V
DS
= 24 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 24 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 55°C
V
GS
=
±20
V, V
DS
= 0 V
I
D
= 250
A
V
DS
= V
GS
,
I
D
= 250
A,
参考25 ℃下
V
GS
= 10 V，I
D
= 7.5 A
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 6.5 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 7.5 A，T
J
= 125°C
V
GS
= 10 V, V
DS
= 5 V
V
DS
= 5 V,
I
D
= 7.5 A
最小典型最大
30
28
1
10
±100
单位
V
毫伏/°C的
A
nA
开关特性
基本特征
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
T
J
R
DS （ ON）
栅极阈值电压
栅极阈值电压
温度COEF网络cient
静态漏源
导通电阻
通态漏电流
正向跨导
1
1.8
–4.7
10.6
13
14.5
3
V
毫伏/°C的
m
13
17
20
I
D（上）
g
FS
20
36
A
S
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
G
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
（注2 ）
V
DS
= 15 V,
F = 1.0 MHz的
V
GS
= 0 V,
1130
300
100
2.4
pF
pF
pF
V
GS
= 15 mV时， F = 1.0 MHz的
开关特性
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G（ TOT ）
Q
g
Q
gs
Q
gd
导通延迟时间
开启上升时间
关断延迟时间
关断下降时间
V
DD
= 15 V,
V
GS
= 10 V,
I
D
= 1 A,
R
根
= 6
9
5
26
7
17
18
10
42
14
24
13
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
nC
总栅极电荷在VGS = 10V
总栅极电荷在VGS = 5V
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DD
= 15 V,
I
D
= 7.5 A,
9
3.1
2.7
FDS6910版本B （ W）
FDS6910
电气特性
符号
I
S
V
SD
t
rr
Q
rr
TA = 25° C除非另有说明
测试条件
最小典型最大单位
1.3
（注2 ）
参数
漏源二极管的特性和最大额定值
最大连续漏源二极管的正向电流
漏源二极管正向
电压
二极管的反向恢复时间
二极管的反向恢复电荷
V
GS
= 0 V,
I
F
= 7.5 A,
I
S
= 1.3 A
A
V
nS
nC
1.2
24
13
d
iF
/d
t
= 100 A / μs的
注意事项：
1.
R
θJA
是总和的结到壳体和壳到环境的热阻，其中所述壳体热参考被定义为所述焊料安装面
漏极引脚。
θJC
由设计而
= CA
是通过用户的电路板的设计来确定。
一） 78 ° C / W时，
2
安装在0.5英寸
2盎司纯铜垫
B） 125 ° C / W时，
安装在0.02
2
在2盎司垫
铜
C） 135 ° C / W安装在一个时
最小的安装盘。
在信纸尺寸的纸张1 ： 1规模
2.
脉冲测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 2.0 ％
FDS6910版本B （ W）
FDS6910
典型特征
20
2.6
R
DS （ ON）
归一化
漏源导通电阻
V
GS
= 10.0V
3.5V
V
GS
= 3.0V
16
I
D
，漏电流（ A）
2.2
4.5V
12
4.0V
3.0V
1.8
3.5V
8
1.4
4.0
4.5V
5.0
6.0V
10.0V
4
1
0
0
0.25
0.5
0.75
1
V
DS
，漏源电压（V ）
1.25
1.5
0.6
0
4
8
12
I
D
，漏电流（ A）
16
20
图1.区域特征。
图2.导通电阻变化与
漏电流和栅极电压。
0.04
R
DS （ ON）
，导通电阻（ OHM ）
1.6
R
DS （ ON）
归一化
漏源导通电阻
I
D
= 7.5A
V
GS
= 10V
I
D
= 3.8A
0.03
1.4
1.2
T
A
= 125
o
C
0.02
1
0.01
T
A
= 25
o
C
0.8
0.6
-50
0
-25
0
25
50
75
100
o
T
J
，结温（ C）
125
150
2
4
6
8
V
GS
，门源电压（ V）
10
图3.导通电阻变化与
温度。
20
I
S
，反向漏电流（ A）
V
DS
= 5V
16
I
D
，漏电流（ A）
图4.导通电阻变化与
栅极 - 源极电压。
100
V
GS
= 0V
10
T
A
= 125
o
C
1
12
T
A
= 125 C
25 C
8
-55 C
4
o
o
o
0.1
25
o
C
0.01
-55
o
C
0.001
0
1.5
2
2.5
3
3.5
V
GS
，门源电压（ V）
4
0.0001
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
V
SD
，体二极管正向电压（ V）
1.2
图5.传输特性。
图6.体二极管正向电压的变化
与源电流和温度。
FDS6910版本B （ W）
FDS6910
典型特征
10
V
GS
，栅源电压（V ）
I
D
= 7.5A
1400
1200
F = 1MHz的
V
GS
= 0 V
8
15V
6
20V
4
电容（pF）
V
DS
= 10V
1000
800
600
C
国际空间站
C
OSS
400
200
2
C
RSS
0
0
4
8
12
Q
g
，栅极电荷（ NC）
16
20
0
0
5
10
15
20
25
V
DS
，漏源极电压（ V）
30
图7.栅极电荷特性。
100
100
s
1ms
10ms
100ms
1s
P（ PK） ，峰值瞬态功率（ W）
图8.电容特性。
50
R
DS （ ON）
极限
40
I
D
，漏电流（ A）
单脉冲
R
θJA
= 135 ° C / W
T
A
= 25°C
10
30
1
DC
10s
20
0.1
V
GS
= 10V
单脉冲
o
R
θ
JA
= 135℃ / W
T
A
= 25 C
o
10
0.01
0.1
1
10
V
DS
，漏源电压（V ）
100
0
0.001
0.01
0.1
1
t
1
，时间（秒）
10
100
1000
图9.最高安全工作区。
图10.单脉冲最大
功耗。
R（T ） ，规范有效
瞬态热阻
1
D = 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
R
θJA
（吨） = R （t）的R *
θJA
R
θJA
= 135 ° C / W
P（ PK）
t
1
t
2
单脉冲
0.01
T
J
- T
A
= P * R
θJA
(t)
占空比D = T
1
/ t
2
0.001
0.0001
0.001
0.01
0.1
t
1
，时间（秒）
1
10
100
1000
图11.瞬态热响应曲线。
热特性进行使用注1c中所述的条件。
瞬态热响应将取决于电路板的设计变化。
FDS6910版本B （ W）
FDS6910
2004年9月
FDS6910
双N沟道逻辑电平的PowerTrench
MOSFET
概述
这些N沟道逻辑电平MOSFET产生
运用
飞兆半导体
安森美半导体
先进
已特别定制的PowerTrench工艺
最大限度地减少通态电阻，但保持
出色的开关性能。
这些装置非常适用于低电压和
电池供电应用的低线供电
损耗和快速开关是必需的。
特点
7.5 A， 30 V
R
DS （ ON）
= 13毫欧@ V
GS
= 10 V
R
DS （ ON）
= 17毫欧@ V
GS
= 4.5 V
开关速度快
低栅电荷
高性能沟道技术极
低R
DS （ ON）
高功率和电流处理能力
D2
D
D2
D
D
D1
D1
D
5
6
7
Q1
4
3
2
Q2
SO-8
销1
SO-8
G2
S2
S
G1
S1
G
S
8
1
S
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
P
D
漏源电压
栅源电压
漏电流
- 连续
- 脉冲
T
A
=25
o
C除非另有说明
参数
评级
30
±
20
（注1A ）
单位
V
V
A
W
7.5
20
1.6
1.0
0.9
-55到+150
功率消耗单操作
（注1A ）
（注1B ）
（注1C ）
T
J
, T
英镑
工作和存储结温范围
°C
热特性
R
θJA
R
θJC
热阻，结到环境
热阻，结到外壳
（注1A ）
（注1 ）
78
40
° C / W
° C / W
包装标志和订购信息
器件标识
FDS6910
设备
FDS6910
带尺寸
13’’
胶带宽度
12mm
QUANTITY
2500台
2004
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
FDS6910冯BW ）
FDS6910
电气特性
符号
BV
DSS
ΔBV
DSS
T
J
I
DSS
I
GSS
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
零栅极电压漏极电流
门源漏
（注2 ）
测试条件
I
D
= 250
A
V
GS
= 0 V,
I
D
= 250
A,
参考25 ℃下
V
DS
= 24 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 24 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 55°C
V
GS
=
±20
V, V
DS
= 0 V
I
D
= 250
A
V
DS
= V
GS
,
I
D
= 250
A,
参考25 ℃下
V
GS
= 10 V，I
D
= 7.5 A
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 6.5 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 7.5 A，T
J
= 125°C
V
GS
= 10 V, V
DS
= 5 V
V
DS
= 5 V,
I
D
= 7.5 A
最小典型最大
30
28
1
10
±100
单位
V
毫伏/°C的
A
nA
开关特性
基本特征
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
T
J
R
DS （ ON）
栅极阈值电压
栅极阈值电压
温度COEF网络cient
静态漏源
导通电阻
通态漏电流
正向跨导
1
1.8
–4.7
10.6
13
14.5
3
V
毫伏/°C的
m
13
17
20
I
D（上）
g
FS
20
36
A
S
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
G
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
（注2 ）
V
DS
= 15 V,
F = 1.0 MHz的
V
GS
= 0 V,
1130
300
100
2.4
pF
pF
pF
V
GS
= 15 mV时， F = 1.0 MHz的
开关特性
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G（ TOT ）
Q
g
Q
gs
Q
gd
导通延迟时间
开启上升时间
关断延迟时间
关断下降时间
V
DD
= 15 V,
V
GS
= 10 V,
I
D
= 1 A,
R
根
= 6
9
5
26
7
17
18
10
42
14
24
13
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
nC
总栅极电荷在VGS = 10V
总栅极电荷在VGS = 5V
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DD
= 15 V,
I
D
= 7.5 A,
9
3.1
2.7
FDS6910版本B （ W）
FDS6910
电气特性
符号
I
S
V
SD
t
rr
Q
rr
TA = 25° C除非另有说明
测试条件
最小典型最大单位
1.3
（注2 ）
参数
漏源二极管的特性和最大额定值
最大连续漏源二极管的正向电流
漏源二极管正向
电压
二极管的反向恢复时间
二极管的反向恢复电荷
V
GS
= 0 V,
I
F
= 7.5 A,
I
S
= 1.3 A
A
V
nS
nC
1.2
24
13
d
iF
/d
t
= 100 A / μs的
注意事项：
1.
R
θJA
是总和的结到壳体和壳到环境的热阻，其中所述壳体热参考被定义为所述焊料安装面
漏极引脚。
θJC
由设计而
= CA
是通过用户的电路板的设计来确定。
一） 78 ° C / W时，
2
安装在0.5英寸
2盎司纯铜垫
B） 125 ° C / W时，
安装在0.02
2
在2盎司垫
铜
C） 135 ° C / W安装在一个时
最小的安装盘。
在信纸尺寸的纸张1 ： 1规模
2.
脉冲测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 2.0 ％
FDS6910版本B （ W）
FDS6910
典型特征
20
2.6
R
DS （ ON）
归一化
漏源导通电阻
V
GS
= 10.0V
3.5V
V
GS
= 3.0V
16
I
D
，漏电流（ A）
2.2
4.5V
12
4.0V
3.0V
1.8
3.5V
8
1.4
4.0
4.5V
5.0
6.0V
10.0V
4
1
0
0
0.25
0.5
0.75
1
V
DS
，漏源电压（V ）
1.25
1.5
0.6
0
4
8
12
I
D
，漏电流（ A）
16
20
图1.区域特征。
图2.导通电阻变化与
漏电流和栅极电压。
0.04
R
DS （ ON）
，导通电阻（ OHM ）
1.6
R
DS （ ON）
归一化
漏源导通电阻
I
D
= 7.5A
V
GS
= 10V
I
D
= 3.8A
0.03
1.4
1.2
T
A
= 125
o
C
0.02
1
0.01
T
A
= 25
o
C
0.8
0.6
-50
0
-25
0
25
50
75
100
o
T
J
，结温（ C）
125
150
2
4
6
8
V
GS
，门源电压（ V）
10
图3.导通电阻变化与
温度。
20
I
S
，反向漏电流（ A）
V
DS
= 5V
16
I
D
，漏电流（ A）
图4.导通电阻变化与
栅极 - 源极电压。
100
V
GS
= 0V
10
T
A
= 125
o
C
1
12
T
A
= 125 C
25 C
8
-55 C
4
o
o
o
0.1
25
o
C
0.01
-55
o
C
0.001
0
1.5
2
2.5
3
3.5
V
GS
，门源电压（ V）
4
0.0001
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
V
SD
，体二极管正向电压（ V）
1.2
图5.传输特性。
图6.体二极管正向电压的变化
与源电流和温度。
FDS6910版本B （ W）
FDS6910
典型特征
10
V
GS
，栅源电压（V ）
I
D
= 7.5A
1400
1200
F = 1MHz的
V
GS
= 0 V
8
15V
6
20V
4
电容（pF）
V
DS
= 10V
1000
800
600
C
国际空间站
C
OSS
400
200
2
C
RSS
0
0
4
8
12
Q
g
，栅极电荷（ NC）
16
20
0
0
5
10
15
20
25
V
DS
，漏源极电压（ V）
30
图7.栅极电荷特性。
100
100
s
1ms
10ms
100ms
1s
P（ PK） ，峰值瞬态功率（ W）
图8.电容特性。
50
R
DS （ ON）
极限
40
I
D
，漏电流（ A）
单脉冲
R
θJA
= 135 ° C / W
T
A
= 25°C
10
30
1
DC
10s
20
0.1
V
GS
= 10V
单脉冲
o
R
θ
JA
= 135℃ / W
T
A
= 25 C
o
10
0.01
0.1
1
10
V
DS
，漏源电压（V ）
100
0
0.001
0.01
0.1
1
t
1
，时间（秒）
10
100
1000
图9.最高安全工作区。
图10.单脉冲最大
功耗。
R（T ） ，规范有效
瞬态热阻
1
D = 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
R
θJA
（吨） = R （t）的R *
θJA
R
θJA
= 135 ° C / W
P（ PK）
t
1
t
2
单脉冲
0.01
T
J
- T
A
= P * R
θJA
(t)
占空比D = T
1
/ t
2
0.001
0.0001
0.001
0.01
0.1
t
1
，时间（秒）
1
10
100
1000
图11.瞬态热响应曲线。
热特性进行使用注1c中所述的条件。
瞬态热响应将取决于电路板的设计变化。
FDS6910版本B （ W）
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