【FDP8876的N-沟道PowerTrenchMOSFET2005年11月FDP8876N沟道的Po】,IC型号FDP8876,FDP8876 PDF资料,FDP8876经销商,ic,电子元器件-51电子网

FDP8876的N-沟道PowerTrench

MOSFET

2005年11月

FDP8876

N沟道的PowerTrench

MOSFET

30V ， 71A ， 8.5mΩ

一般说明

这N沟道MOSFET的设计专门为

使用改进的DC / DC变换器的整体效率

同步或传统开关PWM

控制器。它已被优化的低门电荷，低

r

DS （ ON）

和快速的开关速度。

特点

r

DS （ ON）

= 8.5mΩ ，V

GS

= 10V ，我

D

= 40A

r

DS （ ON）

= 10.3mΩ ，V

GS

= 4.5V ，我

D

= 40A

高性能沟道技术极低

r

DS （ ON）

低栅电荷

高功率和电流处理能力

符合RoHS

漏

（法兰）

来源

漏

门

D

G

S

TO-220AB

FDP系列

MOSFET的最大额定值

T

A

= 25 ° C除非另有说明

符号

V

DSS

V

GS

I

D

E

AS

P

D

T

J

, T

英镑

漏源极电压

栅极至源极电压

漏电流

连续（T

C

= 25

o

C，V

GS

= 10V)

连续（T

C

= 25℃ ，V

GS

= 4.5V)

脉冲

单脉冲雪崩能量（注1 ）

功耗

工作和存储温度

o

参数

评级

30

±20

70

64

图4

180

70

-55至175

单位

V

A

mJ

W

o

C

热特性

R

θJC

R

θJA

热阻结到外壳TO- 263

热阻结到环境TO- 263,1in

2

铜层的面积

2.14

62

o

C / W

o

C / W

包装标志和订购信息

器件标识

FDP8876

设备

FDP8876

包

TO-220AB

带尺寸

管

胶带宽度

不适用

QUANTITY

50个单位

2005仙童半导体公司

FDP8876版本A

1

www.fairchildsemi.com

FDP8876的N-沟道PowerTrench

MOSFET

电气特性

T

A

= 25 ° C除非另有说明

符号

参数

测试条件

民

典型值

最大

单位

开关特性

B

VDSS

I

DSS

I

GSS

漏源击穿电压

零栅极电压漏极电流

门源漏电流

I

D

= 250μA ，V

GS

= 0V

V

DS

= 24V

V

GS

= 0V

V

GS

= ±20V

T

A

=

150

o

C

30

-

1

250

±100

nA

V

A

基本特征

V

GS （ TH）

r

DS （ ON）

门源阈值电压

V

GS

= V

DS

, I

D

= 250A

I

D

= 40A ，V

GS

= 10V

漏极至源极导通电阻

I

D

= 40A ，V

GS

= 4.5V

I

D

= 40, V

GS

= 10V,

T

A

= 175

o

C

1.2

-

6.1

7.7

11

2.5

8.7

10.5

14

m

V

动态特性

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

R

G

Q

G（ TOT ）

Q

g(5)

Q

G（ TH ）

Q

gs

Q

gs2

Q

gd

输入电容

输出电容

反向传输电容

栅极电阻

总栅极电荷，在10V

总栅极电荷为5V

阈值的栅极电荷

大门SOURSE栅极电荷

栅极电荷阈值，以高原

栅漏“米勒”充电

V

DS

= 15V, V

GS

= 0V,

F = 1MHz的

V

GS

= 0.5V ， F = 1MHz的

V

GS

= 0V至10V V = 15V

DD

V

GS

= 0V至5V I

D

= 40A

V = 0V至1V我

g

= 1.0毫安

GS

-

1700

340

210

2.3

32

17

1.6

4.7

3.1

7.0

-

45

24

2.4

-

pF

nC

开关特性

(V

GS

= 10V)

t

ON

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

t

关闭

开启时间

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

打开-O FF时间

V

DD

= 15V ，我

D

= 40A

V

GS

= 10V ，R

GS

= 10

-

9

97

51

39

-

189

-

135

ns

漏源二极管特性

V

SD

t

rr

Q

RR

源极到漏极二极管电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

I

SD

= 40A

I

SD

= 3.2A

I

SD

= 40A ，二

SD

/dt=100A/s

I

SD

= 40A ，二

SD

/dt=100A/s

-

1.25

1.0

22

9

V

ns

nC

注意事项：

1 ：起始物为

J

=25

O

C,L=1mH,I

AS

=19A,V

DD

=27V,V

GS

=10V

2 ：脉冲宽度= 100秒

2

FDP8876版本A

www.fairchildsemi.com

FDP8876的N-沟道PowerTrench

MOSFET

典型特征

T

A

= 25 ° C除非另有说明

100

80

60

40

VGS=3V

VGS=4.5V

RDS （ ON ），归一化

漏极至源极导通电阻

2.6

VGS=10V

TC=25oC

2.4

2.2

2.0

1.8

1.6

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

10

脉冲持续时间= 80

s

占空比= 0.5 ％ MAX

ID ，漏DURRENT （ A）

VGS=3.5V

3v

3.5v

4v

4.5v

5v

10v

20

0

0.0

脉冲持续时间= 80

S

占空比= 0.5 ％ MAX

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

20

30

40

50

60

70

80

VDS ，沥去SOURSE电压（ V）

ID ，漏极电流

图1.地区特点

图2.导通电阻变化与漏

电流和栅极电压

0.016

RDS （ ON ），导通电阻（ OHM ）

1.6

RDS （ ON ），归一化

漏源导通电阻

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

-80

ID = 40A

VGS = 10V

脉冲持续时间= 80

S

占空比= 0.5 ％ MAX

ID=40A

0.014

0.012

0.010

0.008

0.006

o

TA = 25℃

o

TA = 125℃

脉冲持续时间= 80

S

占空比= 0.5 ％ MAX

-40

o

TJ ，结温

(

C

)

0

40

80

120

160

200

3

4

5

6

7

8

9

10

VGS ，门源电压（ V）

图3.导通电阻变化与

温度

160

图4.导通电阻变化与

栅极 - 源Votlage

100

正，反转漏电流（ A）

I

D

，漏电流（ A）

120

脉冲持续时间= 80

m

s

占空比= 0.5 ％ MAX

V

DD

= 15V

VGS=0V

10

125oC

80

T

J

= 175

o

C

T

J

= 25

o

C

40

T

J

= -55

o

C

0

1.5

2.0

2.5

3.0

3.5

4.0

4.5

1

25oC

0.1

-25oC

0.01

0.0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

V

GS

，门源电压（ V）

室间隔缺损，体二极管正向电压（ V）

图5.传输特性

图6.体二极管正向电压的变化

与源电流和温度

3

FDP8876版本A

www.fairchildsemi.com

FDP8876的N-沟道PowerTrench

MOSFET

典型特征

T

A

= 25 ° C除非另有说明

10

VGS ，门源电压（ V）

5000

VDD=15V

8

C，电容（pF ）

C

国际空间站

=

C

GS

+ C

GD

6

1000

C

OSS

C

DS

+ C

GD

4

任意波形

降序排列：

ID=40A,ID=5A

C

RSS

=

C

GD

2

0

5

10

15

20

25

30

35

100

0.1

V

GS

= 0V ， F = 1MHz的

1

10

30

QG ，栅极电荷（ NC）

V

DS

，漏源极电压（ V）

图7.栅极电荷特性

100

1000

图8.饱和特性

I

AS

，雪崩电流（ A）

起始物为

J

= 25

o

C

10

起始物为

J

= 150

o

C

I

D

，漏电流（ A）

100

10s

10

操作在此

区域可以

限于由R

DS （ ON）

100s

1ms

10ms

DC

1

如果R = 0

t

AV

= （L）（我

AS

） / （ 1.3 *额定BV

DSS

- V

DD

)

若R

≠

0

t

AV

= （ L / R） LN [（我

AS

* R ） / （ 1.3 *额定BV

DSS

- V

DD

) +1]

0.001

0.01

0.1

1

10

100

1

单脉冲

T

J

=最大额定

T

C

= 25

o

C

0.1

1

10

t

AV

，一次雪崩（毫秒）

V

DS

，漏源极电压（ V）

60

图9.松开电感开关

能力

80

800

图10.安全工作区

I

D

，漏电流（ A）

60

V

GS

= 10V

40

V

GS

= 4.5V

20

P

（ PK）

，瞬态峰值功率（ W）

单脉冲

R

θJC

= 2.14

o

C / W

T

J

= 25

o

C

100

0

25

50

75

100

125

150

175

60

10

-5

10

-4

10

-3

10

-2

10

-1

10

0

10

1

T，脉冲宽度（ S）

T

C

，外壳温度（

o

C)

图11.最大连续漏极电流与

外壳温度

图12.归漏极至源极Breake

唐氏电压随结温

4

FDP8876版本A

www.fairchildsemi.com

典型特征

T

A

= 25 ° C除非另有说明

FDP8876的N-沟道PowerTrench

MOSFET

2

1

Z

θJC

归一化

热阻抗

占空比 - 降序排列

0.5

0.2

0.1

0.05

0.02

0.01

P

DM

0.1

t

1

t

2

单脉冲

注意事项：

DUTY因子：D = T

1

/t

2

PEAK牛逼

J

= P

DM

X Z

QJC

个R

QJC

+ T

C

10

-3

10

-2

吨，矩形脉冲持续时间（ S）

10

-1

10

0

10

1

0.01

10

-5

10

-4

图13. Normolized最大瞬态热阻抗

5

FDP8876版本A

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FDP8876的N-沟道PowerTrench

MOSFET

2005年11月

FDP8876

N沟道的PowerTrench

MOSFET

30V ， 71A ， 8.5mΩ

一般说明

这N沟道MOSFET的设计专门为

使用改进的DC / DC变换器的整体效率

同步或传统开关PWM

控制器。它已被优化的低门电荷，低

r

DS （ ON）

和快速的开关速度。

特点

r

DS （ ON）

= 8.5mΩ ，V

GS

= 10V ，我

D

= 40A

r

DS （ ON）

= 10.3mΩ ，V

GS

= 4.5V ，我

D

= 40A

高性能沟道技术极低

r

DS （ ON）

低栅电荷

高功率和电流处理能力

符合RoHS

漏

（法兰）

来源

漏

门

D

G

S

TO-220AB

FDP系列

MOSFET的最大额定值

T

A

= 25 ° C除非另有说明

符号

V

DSS

V

GS

I

D

E

AS

P

D

T

J

, T

英镑

漏源极电压

栅极至源极电压

漏电流

连续（T

C

= 25

o

C，V

GS

= 10V)

连续（T

C

= 25℃ ，V

GS

= 4.5V)

脉冲

单脉冲雪崩能量（注1 ）

功耗

工作和存储温度

o

参数

评级

30

±20

70

64

图4

180

70

-55至175

单位

V

A

mJ

W

o

C

热特性

R

θJC

R

θJA

热阻结到外壳TO- 263

热阻结到环境TO- 263,1in

2

铜层的面积

2.14

62

o

C / W

o

C / W

包装标志和订购信息

器件标识

FDP8876

设备

FDP8876

包

TO-220AB

带尺寸

管

胶带宽度

不适用

QUANTITY

50个单位

2005仙童半导体公司

FDP8876版本A

1

www.fairchildsemi.com

FDP8876的N-沟道PowerTrench

MOSFET

电气特性

T

A

= 25 ° C除非另有说明

符号

参数

测试条件

民

典型值

最大

单位

开关特性

B

VDSS

I

DSS

I

GSS

漏源击穿电压

零栅极电压漏极电流

门源漏电流

I

D

= 250μA ，V

GS

= 0V

V

DS

= 24V

V

GS

= 0V

V

GS

= ±20V

T

A

=

150

o

C

30

-

1

250

±100

nA

V

A

基本特征

V

GS （ TH）

r

DS （ ON）

门源阈值电压

V

GS

= V

DS

, I

D

= 250A

I

D

= 40A ，V

GS

= 10V

漏极至源极导通电阻

I

D

= 40A ，V

GS

= 4.5V

I

D

= 40, V

GS

= 10V,

T

A

= 175

o

C

1.2

-

6.1

7.7

11

2.5

8.7

10.5

14

m

V

动态特性

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

R

G

Q

G（ TOT ）

Q

g(5)

Q

G（ TH ）

Q

gs

Q

gs2

Q

gd

输入电容

输出电容

反向传输电容

栅极电阻

总栅极电荷，在10V

总栅极电荷为5V

阈值的栅极电荷

大门SOURSE栅极电荷

栅极电荷阈值，以高原

栅漏“米勒”充电

V

DS

= 15V, V

GS

= 0V,

F = 1MHz的

V

GS

= 0.5V ， F = 1MHz的

V

GS

= 0V至10V V = 15V

DD

V

GS

= 0V至5V I

D

= 40A

V = 0V至1V我

g

= 1.0毫安

GS

-

1700

340

210

2.3

32

17

1.6

4.7

3.1

7.0

-

45

24

2.4

-

pF

nC

开关特性

(V

GS

= 10V)

t

ON

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

t

关闭

开启时间

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

打开-O FF时间

V

DD

= 15V ，我

D

= 40A

V

GS

= 10V ，R

GS

= 10

-

9

97

51

39

-

189

-

135

ns

漏源二极管特性

V

SD

t

rr

Q

RR

源极到漏极二极管电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

I

SD

= 40A

I

SD

= 3.2A

I

SD

= 40A ，二

SD

/dt=100A/s

I

SD

= 40A ，二

SD

/dt=100A/s

-

1.25

1.0

22

9

V

ns

nC

注意事项：

1 ：起始物为

J

=25

O

C,L=1mH,I

AS

=19A,V

DD

=27V,V

GS

=10V

2 ：脉冲宽度= 100秒

2

FDP8876版本A

www.fairchildsemi.com

FDP8876的N-沟道PowerTrench

MOSFET

典型特征

T

A

= 25 ° C除非另有说明

100

80

60

40

VGS=3V

VGS=4.5V

RDS （ ON ），归一化

漏极至源极导通电阻

2.6

VGS=10V

TC=25oC

2.4

2.2

2.0

1.8

1.6

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

10

脉冲持续时间= 80

s

占空比= 0.5 ％ MAX

ID ，漏DURRENT （ A）

VGS=3.5V

3v

3.5v

4v

4.5v

5v

10v

20

0

0.0

脉冲持续时间= 80

S

占空比= 0.5 ％ MAX

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

20

30

40

50

60

70

80

VDS ，沥去SOURSE电压（ V）

ID ，漏极电流

图1.地区特点

图2.导通电阻变化与漏

电流和栅极电压

0.016

RDS （ ON ），导通电阻（ OHM ）

1.6

RDS （ ON ），归一化

漏源导通电阻

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

-80

ID = 40A

VGS = 10V

脉冲持续时间= 80

S

占空比= 0.5 ％ MAX

ID=40A

0.014

0.012

0.010

0.008

0.006

o

TA = 25℃

o

TA = 125℃

脉冲持续时间= 80

S

占空比= 0.5 ％ MAX

-40

o

TJ ，结温

(

C

)

0

40

80

120

160

200

3

4

5

6

7

8

9

10

VGS ，门源电压（ V）

图3.导通电阻变化与

温度

160

图4.导通电阻变化与

栅极 - 源Votlage

100

正，反转漏电流（ A）

I

D

，漏电流（ A）

120

脉冲持续时间= 80

m

s

占空比= 0.5 ％ MAX

V

DD

= 15V

VGS=0V

10

125oC

80

T

J

= 175

o

C

T

J

= 25

o

C

40

T

J

= -55

o

C

0

1.5

2.0

2.5

3.0

3.5

4.0

4.5

1

25oC

0.1

-25oC

0.01

0.0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

V

GS

，门源电压（ V）

室间隔缺损，体二极管正向电压（ V）

图5.传输特性

图6.体二极管正向电压的变化

与源电流和温度

3

FDP8876版本A

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FDP8876的N-沟道PowerTrench

MOSFET

典型特征

T

A

= 25 ° C除非另有说明

10

VGS ，门源电压（ V）

5000

VDD=15V

8

C，电容（pF ）

C

国际空间站

=

C

GS

+ C

GD

6

1000

C

OSS

C

DS

+ C

GD

4

任意波形

降序排列：

ID=40A,ID=5A

C

RSS

=

C

GD

2

0

5

10

15

20

25

30

35

100

0.1

V

GS

= 0V ， F = 1MHz的

1

10

30

QG ，栅极电荷（ NC）

V

DS

，漏源极电压（ V）

图7.栅极电荷特性

100

1000

图8.饱和特性

I

AS

，雪崩电流（ A）

起始物为

J

= 25

o

C

10

起始物为

J

= 150

o

C

I

D

，漏电流（ A）

100

10s

10

操作在此

区域可以

限于由R

DS （ ON）

100s

1ms

10ms

DC

1

如果R = 0

t

AV

= （L）（我

AS

） / （ 1.3 *额定BV

DSS

- V

DD

)

若R

≠

0

t

AV

= （ L / R） LN [（我

AS

* R ） / （ 1.3 *额定BV

DSS

- V

DD

) +1]

0.001

0.01

0.1

1

10

100

1

单脉冲

T

J

=最大额定

T

C

= 25

o

C

0.1

1

10

t

AV

，一次雪崩（毫秒）

V

DS

，漏源极电压（ V）

60

图9.松开电感开关

能力

80

800

图10.安全工作区

I

D

，漏电流（ A）

60

V

GS

= 10V

40

V

GS

= 4.5V

20

P

（ PK）

，瞬态峰值功率（ W）

单脉冲

R

θJC

= 2.14

o

C / W

T

J

= 25

o

C

100

0

25

50

75

100

125

150

175

60

10

-5

10

-4

10

-3

10

-2

10

-1

10

0

10

1

T，脉冲宽度（ S）

T

C

，外壳温度（

o

C)

图11.最大连续漏极电流与

外壳温度

图12.归漏极至源极Breake

唐氏电压随结温

4

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典型特征

T

A

= 25 ° C除非另有说明

FDP8876的N-沟道PowerTrench

MOSFET

2

1

Z

θJC

归一化

热阻抗

占空比 - 降序排列

0.5

0.2

0.1

0.05

0.02

0.01

P

DM

0.1

t

1

t

2

单脉冲

注意事项：

DUTY因子：D = T

1

/t

2

PEAK牛逼

J

= P

DM

X Z

QJC

个R

QJC

+ T

C

10

-3

10

-2

吨，矩形脉冲持续时间（ S）

10

-1

10

0

10

1

0.01

10

-5

10

-4

图13. Normolized最大瞬态热阻抗

5

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