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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符F型号页 > 首字符F的型号第73页 > FDS6670S
FDS6670S
2001年8月
FDS6670S
30V N沟道的PowerTrench
SyncFET
概述
该FDS6670S被设计来取代单一的SO- 8
MOSFET和同步DC肖特基二极管： DC
电源供应器。这个30V的MOSFET被设计成
最大限度地提高功率转换效率，提供了一个低
R
DS （ ON）
和低栅极电荷。该FDS6670S包括
使用集成的肖特基二极管飞兆半导体
单片SyncFET技术。
特点
13.5 A， 30 V.
R
DS （ ON）
= 9毫欧@ V
GS
= 10 V
R
DS （ ON）
= 12.5毫欧@ V
GS
= 4.5 V
包括SyncFET肖特基体二极管
低栅极电荷（ 24nC典型值）
高性能沟道技术极低
R
DS （ ON）
和快速开关
高功率和电流处理能力
应用
DC / DC转换器
电机驱动
D
D
D
D
5
6
4
3
2
1
SO-8
S
S
S
G
7
8
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
P
D
漏源电压
栅源电压
漏电流
- 连续
- 脉冲
T
A
=25
o
C除非另有说明
参数
评级
30
±20
（注1A ）
单位
V
V
A
W
13.5
50
2.5
1.2
1
-55到+150
功率消耗单操作
（注1A ）
（注1B ）
（注1C ）
T
J
, T
英镑
工作和存储结温范围
°C
热特性
R
θJA
R
θJC
热阻，结到环境
热阻，结到外壳
（注1A ）
（注1 ）
50
25
° C / W
° C / W
包装标志和订购信息
器件标识
FDS6670S
设备
FDS6670S
带尺寸
13’’
胶带宽度
12mm
QUANTITY
2500台
2001
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
FDS6670S版本E（ W）
FDS6670S
电气特性
符号
BV
DSS
ΔBV
DSS
T
J
I
DSS
I
GSSF
I
GSSR
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
零栅极电压漏极电流
门体泄漏，正向
门体泄漏，反向
（注2 ）
测试条件
V
GS
= 0 V，I
D
= 1毫安
I
D
= 1毫安，引用至25℃
V
DS
= 24 V,
V
GS
= 20 V,
V
GS
= –20 V,
V
GS
= 0 V
V
DS
= 0 V
V
DS
= 0 V
民
30
典型值
最大单位
V
开关特性
24
500
100
–100
毫伏/°C的
A
nA
nA
基本特征
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
T
J
R
DS （ ON）
栅极阈值电压
栅极阈值电压
温度COEF网络cient
静态漏源
导通电阻
通态漏电流
正向跨导
V
DS
= V
GS
, I
D
= 1毫安
I
D
= 1毫安，引用至25℃
V
GS
= 10 V,
I
D
= 13.5 A
V
GS
= 4.5 V,
I
D
= 11.2 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 13.5A ，T
J
=100°C
V
GS
= 10 V,
V
DS
= 10 V,
V
DS
= 5 V
I
D
= 13.5 A
1
2.2
–6.2
7
9.5
9
3
V
毫伏/°C的
9
12.5
12.5
m
I
D（上）
g
FS
50
45
A
S
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
输入电容
输出电容
反向传输电容
（注2 ）
V
DS
= 15 V,
F = 1.0 MHz的
V
GS
= 0 V,
2674
751
254
pF
pF
pF
开关特性
t
D（上）
t
r
t
d
(
关闭
)
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
导通延迟时间
开启上升时间
关断延迟时间
关断下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DS
= 15 V,
V
GS
= 10 V,
I
D
= 1 A,
R
根
= 6
11
10
44
23
20
20
70
37
34
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
DS
= 15 V,
V
GS
= 5 V
I
D
= 13.5 A,
24
7.3
6
漏源二极管的特性和最大额定值
I
S
V
SD
t
rr
Q
rr
注意事项：
1.
R
θJA
是结到壳体和壳体的总和-to -环境，其中所述壳体热参考被定义为在焊料安装表面热阻
漏极引脚。
θJC
由设计而
= CA
是通过用户的电路板的设计来确定。
一） 50℃ / W的时
装在一个1在
2
2盎司纯铜垫
B） 105 ° C / W时，
安装在一个0.04
2
2盎司纯铜垫
C） 125°C / W安装在一个时
最小焊盘。
最大连续漏源二极管的正向电流
漏源二极管正向
电压
二极管的反向恢复时间
二极管的反向恢复电荷
V
GS
= 0 V，I
S
= 3.5 A
V
GS
= 0 V，I
S
= 7 A
I
F
= 13.5A,
d
iF
/d
t
= 300 A / μs的
（注2 ）
（注2 ）
3.5
0.4
0.5
26.8
47.2
0.7
A
V
nS
nC
（注3）
FDS6670S版本E（ W）
在信纸尺寸的纸张1 ： 1规模
2.
脉冲测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 2.0 ％
3.
请参阅“ SyncFET肖特基体二极管的特性”的。
FDS6670S版本E（ W）
FDS6670S
典型特征
50
2.6
V
GS
= 10V
40
I
D
，漏电流（ A）
6.0V
R
DS （ ON）
归一化
漏源导通电阻
4.5V
4.0V
3.5V
2.2
V
GS
= 3.5V
30
1.8
4.0V
1.4
20
4.5V
6.0V
10
3.0V
1
10V
0
0
0.5
1
1.5
2
V
S
，漏源电压（V ）
0.6
0
10
20
30
40
50
I
D
，漏电流（ A）
图1.区域特征。
图2.导通电阻变化与
漏电流和栅极电压。
0.025
R
DS （ ON）
，导通电阻（ OHM ）
R
DS （ ON）
归一化
漏源导通电阻
1.6
I
D
= 13.5A
V
GS
= 10V
1.4
I
D
= 6.8A
0.02
1.2
0.015
1
T
A
= 125 C
o
0.8
0.01
T
A
= 25 C
o
0.6
-50
-25
0
25
50
o
75
100
0.005
2
4
6
8
10
V
GS
，门源电压（ V）
T
J
，结温（ C）
图3.导通电阻变化与
温度。
70
60
I
D
，漏电流（ A）
图4.导通电阻变化与
栅极 - 源极电压。
10
I
S
，反向漏电流（ A）
V
DS
= 5V
T
A
= -55 C
125 C
o
o
25 C
o
V
GS
= 0V
1
o
50
40
30
20
10
0
2
2.5
3
3.5
4
4.5
V
GS
，门源电压（ V）
T
A
= 125 C
o
25 C
0.1
-55 C
0.01
o
0.001
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
V
SD
，体二极管正向电压（ V）
图5.传输特性。
图6.体二极管正向电压的变化
与源电流和温度。
FDS6670S版本E（ W）
FDS6670S
典型特征
（续）
10
V
GS
，栅源电压（V ）
I
D
=13.5A
8
15V
6
V
S
= 5V
10V
电容（pF）
3600
3000
C
国际空间站
2400
1800
1200
C
OSS
600
C
RSS
0
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
0
5
10
15
20
F = 1MHz的
V
GS
= 0 V
4
2
0
Q
g
，栅极电荷（ NC）
25
30
V
S
，漏源极电压（ V）
图7.栅极电荷特性。
100
P（ PK） ，峰值瞬态功率（ W）
50
图8.电容特性。
I
D
，漏电流（ A）
R
DS （ ON）
极限
10
100
s
1ms
10ms
100ms
1s
10s
DC
40
单脉冲
R
θ
JA
= 125°C / W
T
A
= 25°C
30
1
V
GS
= 10V
单脉冲
o
R
θJA
= 125℃ / W
T
A
= 25 C
0.01
0.01
o
20
0.1
10
0.1
1
10
100
0
0.001
0.01
0.1
1
t
1
，时间（秒）
10
100
1000
V
DS
，漏源电压（V ）
图9.最高安全工作区。
图10.单脉冲最大
功耗。
R（T ） ，规范有效
瞬态热阻
1
D = 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
R
θJA
（吨） = R（T） + R
θJA
R
θ
JA
= 125℃ / W
P（ PK）
t
1
t
2
单脉冲
0.01
T
J
- T
A
= P * R
θJA
(t)
占空比D = T
1
/ t
2
0.001
0.0001
0.001
0.01
0.1
t
1
，时间（秒）
1
10
100
1000
图11.瞬态热响应曲线。
热特性进行使用注1c中所述的条件。
瞬态热响应将取决于电路板的设计变化。
FDS6670S版本E（ W）
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