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FQD3N50C / FQU3N50C 500V N沟道MOSFET
2008年3月
QFET
FQD3N50C / FQU3N50C
500V N沟道MOSFET
特点
2.5A , 500V ,R
DS ( ON)
= 2.5 @V
GS
= 10 V
低栅极电荷(典型的10 NC)
低的Crss (典型值8.5pF )
快速开关
100%的雪崩测试
改进的dv / dt能力
符合RoHS
描述
这些N沟道增强型功率场效应
晶体管都采用飞兆半导体专有的,平面出品
条纹, DMOS技术。
这种先进的技术已特别针对
最大限度地减少通态电阻,优越的开关
性能,并能承受高能量脉冲雪崩
和减刑模式。这些装置非常适用于高
高效率开关电源,有源功率因数
基于半桥校正,电子镇流器
拓扑结构。
D
D
G
G
S
D- PAK
FQD系列
I- PAK
摹 S
FQU系列
S
绝对最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GSS
E
AS
I
AR
E
AR
dv / dt的
P
D
T
J
, T
英镑
T
L
漏源电压
漏电流
- 连续(T
C
= 25°C)
- 连续(T
C
= 100°C)
漏电流
- 脉冲
(注1 )
参数
FQD3N50C/FQU3N50C
500
2.5
1.5
10
±
30
(注2 )
(注1 )
(注1 )
(注3)
单位
V
A
A
A
V
mJ
A
mJ
V / ns的
W
W / ℃,
°C
°C
栅源电压
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
功率耗散(T
C
= 25°C)
- 减免上述25℃
工作和存储温度范围
最大无铅焊接温度的目的,
8分之1 & QUOT ;从案例5秒
200
2.5
3.5
4.5
35
0.28
-55到+150
300
热特性
符号
R
θJC
R
θJA
R
θJA
参数
热阻,结到外壳
热阻,结到环境*
热阻,结到环境
典型值
--
--
--
最大
3.5
50
110
单位
° C / W
° C / W
° C / W
*当安装在推荐的最小焊盘尺寸( PCB安装)
2008飞兆半导体公司
1
www.fairchildsemi.com
FQD3N50C / FQU3N50C版本B
FQD3N50C / FQU3N50C 500V N沟道MOSFET
包装标志和订购信息
器件标识
FQD3N50C
FQD3N50C
FQU3N50C
设备
FQD3N50CTM
FQD3N50CTF
FQU3N50CTU
D- PAK
D- PAK
I- PAK
带尺寸
380mm
380mm
-
胶带宽度
16mm
16mm
-
QUANTITY
2500
2500
70
电气特性
符号
开关特性
BV
DSS
ΔBV
DSS
/
T
J
I
DSS
I
GSSF
I
GSSR
V
GS ( TH)
R
DS ( ON)
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
T
C
= 25 ° C除非另有说明
参数
漏源击穿电压
击穿电压温度系数
零栅极电压漏极电流
测试条件
V
GS
= 0 V,I
D
= 250
A
I
D
= 250
A,
参考25 ℃下
V
DS
= 500 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 400 V ,T
C
= 125°C
V
GS
= 30 V, V
DS
= 0 V
V
GS
= -30 V, V
DS
= 0 V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
A
V
GS
= 10 V,I
D
= 1.25 A
V
DS
= 40 V,I
D
= 1.25 A
V
DS
= 25 V, V
GS
= 0 V,
F = 1.0 MHz的
(注4 )
500
--
--
--
--
--
典型值
--
0.7
--
--
--
--
最大单位
--
--
1
10
100
-100
V
V /°C的
A
A
nA
nA
门体漏电流,正向
门体漏电流,反向
基本特征
栅极阈值电压
静态漏源导通电阻
正向跨导
2.0
--
--
--
2.1
1.5
4.0
2.5
--
V
S
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
--
--
--
280
50
8.5
365
65
11
pF
pF
pF
开关特性
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
(注4,5)
V
DD
= 250 V,I
D
= 2.5A,
R
G
= 25
--
--
--
--
10
25
35
25
10
1.5
5.5
30
60
80
60
13
--
--
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
关断下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DS
= 400 V,I
D
= 2.5A,
V
GS
= 10 V
(注4,5)
--
--
--
漏源二极管的特性和最大额定值
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
注意事项:
1.重复额定值:脉冲宽度有限的最高结温
2, L = 58mH ,我
AS
= 2.5A ,V
DD
= 50V ,R
G
= 25
,
起始物为
J
= 25°C
3. I
SD
2.5A , di / dt的
≤200A/s,
V
DD
BV
DSS ,
起始物为
J
= 25°C
4.脉冲测试:脉冲宽度
300μS ,占空比
2%
5.基本上是独立工作温度
最大连续漏源二极管的正向电流
最大脉冲漏源二极管的正向电流
漏源二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
V
GS
= 0 V,I
S
= 2.5 A
V
GS
= 0 V,I
S
= 3 A,
dI
F
/ DT = 100 A / μs的
(注4 )
--
--
--
--
--
--
--
--
170
0.7
2.5
10
1.4
--
--
A
A
V
ns
C
2
FQD3N50C / FQU3N50C版本B
www.fairchildsemi.com
FQD3N50C / FQU3N50C 500V N沟道MOSFET
典型性能特性
图1.区域特征
图2.传输特性
10
V
GS
上图:
1
1
10
I
D
,漏电流[ A]
I
D
,漏电流[ A]
15.0 V
10.0 V
8.0 V
7.0 V
6.5 V
6.0 V
5.5 V
底部: 5.0 V
150
°
C
10
0
10
0
25
°
C
-55
°
C
10
-1
注意事项:
1. 250
s脉冲测试
2. T
C
= 25
°
C
-1
1. V
DS
= 40V
2. 250
s脉冲测试
10
-1
10
10
0
10
1
2
4
6
8
10
V
DS
,漏源电压[V]
V
GS
,栅源电压[V]
图3.导通电阻变化对比
漏电流和栅极电压
图4.体二极管正向电压
变化与源电流
和Temperatue
8.0
7.5
R
DS ( ON)
[
],
漏源导通电阻
7.0
6.5
6.0
5.5
5.0
4.5
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
0
2
4
6
8
10
注:t
J
= 25
°
C
V
GS
= 10V
I
DR
,反向漏电流[ A]
10
0
V
GS
= 20V
150
°
C
25
°
C
注意事项:
1. V
GS
= 0V
2. 250
s脉冲测试
10
-1
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
I
D
,漏电流[ A]
V
SD
,源极 - 漏极电压[ V]
图5.电容特性
C
国际空间站
= C
gs
+ C
gd
(C
ds
=短路)
C
OSS
= C
ds
+ C
gd
图6.栅极电荷特性
12
600
C
RSS
= C
gd
10
V
GS
,栅源电压[V]
V
DS
= 100V
V
DS
= 250V
V
DS
= 400V
电容[ pF的]
C
国际空间站
400
8
C
OSS
6
200
C
RSS
注意;
1. V
GS
= 0 V
2. F = 1 MHz的
4
2
注:我
D
= 3A
0
-1
10
0
10
0
10
1
0
5
10
V
DS
,漏源电压[V]
Q
G
,总栅极电荷[ NC ]
3
FQD3N50C / FQU3N50C版本B
www.fairchildsemi.com
FQD3N50C / FQU3N50C 500V N沟道MOSFET
典型性能特性
(续)
图7.击穿电压变化
与温度的关系
图8.导通电阻变化
与温度的关系
1.2
3.0
BV
DSS
(归一化)
漏源击穿电压
1.1
R
DS ( ON)
(归一化)
漏源导通电阻
2.5
2.0
1.0
1.5
1.0
0.9
注意事项:
1. V
GS
= 0 V
2. I
D
= 250
A
0.5
注意事项:
1. V
GS
= 10 V
2. I
D
= 1.5 A
0.8
-100
-50
0
50
100
150
200
0.0
-100
-50
0
50
100
150
200
T
J
,结温[
°
C]
T
J
,结温[
°
C]
图9.最高安全工作区
图10.最大漏极电流
与外壳温度
3
10
2
在这一领域
由R有限公司
DS ( ON)
I
D
,漏电流[ A]
10
0
100
s
1毫秒
10毫秒
100毫秒
DC
注意事项:
1. T
C
= 25
°
C
2. T
J
= 150
°
C
3.单脉冲
I
D
,漏电流[ A]
10
3
10
1
2
1
10
-1
10
-2
10
0
10
1
10
2
0
25
50
75
100
125
150
V
DS
,漏源电压[V]
T
C
,外壳温度[
°
C]
图11.瞬态热响应曲线
Z
θ
JC
(T ) ,热响应
D = 0 .5
10
0
0 .2
0 .1
0 .0 5
N 2 O TE S:
1 . Z
θ
JC
(t) = 3 .5
°
C /女男斧头。
2 。 UTY F交流为R,D = T
1
/t
2
3 . T
JM
- T
C
= P
D M
* Z
θ
JC
(t)
10
-1
0 .0 2
0 .0 1
仙GLE P ü LS ê
P
DM
t
1
t
2
10
-2
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
t
1
,S之四重W上的已经P ü LS E D ü RA TIO N [秒]
4
FQD3N50C / FQU3N50C版本B
www.fairchildsemi.com
FQD3N50C / FQU3N50C 500V N沟道MOSFET
栅极电荷测试电路波形&
电阻开关测试电路波形&
非钳位感应开关测试电路波形&
5
FQD3N50C / FQU3N50C版本B
www.fairchildsemi.com
FQD3N50C / FQU3N50C 500V N沟道MOSFET
2008年3月
QFET
FQD3N50C / FQU3N50C
500V N沟道MOSFET
特点
2.5A , 500V ,R
DS ( ON)
= 2.5 @V
GS
= 10 V
低栅极电荷(典型的10 NC)
低的Crss (典型值8.5pF )
快速开关
100%的雪崩测试
改进的dv / dt能力
符合RoHS
描述
这些N沟道增强型功率场效应
晶体管都采用飞兆半导体专有的,平面出品
条纹, DMOS技术。
这种先进的技术已特别针对
最大限度地减少通态电阻,优越的开关
性能,并能承受高能量脉冲雪崩
和减刑模式。这些装置非常适用于高
高效率开关电源,有源功率因数
基于半桥校正,电子镇流器
拓扑结构。
D
D
G
G
S
D- PAK
FQD系列
I- PAK
摹 S
FQU系列
S
绝对最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GSS
E
AS
I
AR
E
AR
dv / dt的
P
D
T
J
, T
英镑
T
L
漏源电压
漏电流
- 连续(T
C
= 25°C)
- 连续(T
C
= 100°C)
漏电流
- 脉冲
(注1 )
参数
FQD3N50C/FQU3N50C
500
2.5
1.5
10
±
30
(注2 )
(注1 )
(注1 )
(注3)
单位
V
A
A
A
V
mJ
A
mJ
V / ns的
W
W / ℃,
°C
°C
栅源电压
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
功率耗散(T
C
= 25°C)
- 减免上述25℃
工作和存储温度范围
最大无铅焊接温度的目的,
8分之1 & QUOT ;从案例5秒
200
2.5
3.5
4.5
35
0.28
-55到+150
300
热特性
符号
R
θJC
R
θJA
R
θJA
参数
热阻,结到外壳
热阻,结到环境*
热阻,结到环境
典型值
--
--
--
最大
3.5
50
110
单位
° C / W
° C / W
° C / W
*当安装在推荐的最小焊盘尺寸( PCB安装)
2008飞兆半导体公司
1
www.fairchildsemi.com
FQD3N50C / FQU3N50C版本B
FQD3N50C / FQU3N50C 500V N沟道MOSFET
包装标志和订购信息
器件标识
FQD3N50C
FQD3N50C
FQU3N50C
设备
FQD3N50CTM
FQD3N50CTF
FQU3N50CTU
D- PAK
D- PAK
I- PAK
带尺寸
380mm
380mm
-
胶带宽度
16mm
16mm
-
QUANTITY
2500
2500
70
电气特性
符号
开关特性
BV
DSS
ΔBV
DSS
/
T
J
I
DSS
I
GSSF
I
GSSR
V
GS ( TH)
R
DS ( ON)
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
T
C
= 25 ° C除非另有说明
参数
漏源击穿电压
击穿电压温度系数
零栅极电压漏极电流
测试条件
V
GS
= 0 V,I
D
= 250
A
I
D
= 250
A,
参考25 ℃下
V
DS
= 500 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 400 V ,T
C
= 125°C
V
GS
= 30 V, V
DS
= 0 V
V
GS
= -30 V, V
DS
= 0 V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
A
V
GS
= 10 V,I
D
= 1.25 A
V
DS
= 40 V,I
D
= 1.25 A
V
DS
= 25 V, V
GS
= 0 V,
F = 1.0 MHz的
(注4 )
500
--
--
--
--
--
典型值
--
0.7
--
--
--
--
最大单位
--
--
1
10
100
-100
V
V /°C的
A
A
nA
nA
门体漏电流,正向
门体漏电流,反向
基本特征
栅极阈值电压
静态漏源导通电阻
正向跨导
2.0
--
--
--
2.1
1.5
4.0
2.5
--
V
S
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
--
--
--
280
50
8.5
365
65
11
pF
pF
pF
开关特性
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
(注4,5)
V
DD
= 250 V,I
D
= 2.5A,
R
G
= 25
--
--
--
--
10
25
35
25
10
1.5
5.5
30
60
80
60
13
--
--
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
关断下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DS
= 400 V,I
D
= 2.5A,
V
GS
= 10 V
(注4,5)
--
--
--
漏源二极管的特性和最大额定值
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
注意事项:
1.重复额定值:脉冲宽度有限的最高结温
2, L = 58mH ,我
AS
= 2.5A ,V
DD
= 50V ,R
G
= 25
,
起始物为
J
= 25°C
3. I
SD
2.5A , di / dt的
≤200A/s,
V
DD
BV
DSS ,
起始物为
J
= 25°C
4.脉冲测试:脉冲宽度
300μS ,占空比
2%
5.基本上是独立工作温度
最大连续漏源二极管的正向电流
最大脉冲漏源二极管的正向电流
漏源二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
V
GS
= 0 V,I
S
= 2.5 A
V
GS
= 0 V,I
S
= 3 A,
dI
F
/ DT = 100 A / μs的
(注4 )
--
--
--
--
--
--
--
--
170
0.7
2.5
10
1.4
--
--
A
A
V
ns
C
2
FQD3N50C / FQU3N50C版本B
www.fairchildsemi.com
FQD3N50C / FQU3N50C 500V N沟道MOSFET
典型性能特性
图1.区域特征
图2.传输特性
10
V
GS
上图:
1
1
10
I
D
,漏电流[ A]
I
D
,漏电流[ A]
15.0 V
10.0 V
8.0 V
7.0 V
6.5 V
6.0 V
5.5 V
底部: 5.0 V
150
°
C
10
0
10
0
25
°
C
-55
°
C
10
-1
注意事项:
1. 250
s脉冲测试
2. T
C
= 25
°
C
-1
1. V
DS
= 40V
2. 250
s脉冲测试
10
-1
10
10
0
10
1
2
4
6
8
10
V
DS
,漏源电压[V]
V
GS
,栅源电压[V]
图3.导通电阻变化对比
漏电流和栅极电压
图4.体二极管正向电压
变化与源电流
和Temperatue
8.0
7.5
R
DS ( ON)
[
],
漏源导通电阻
7.0
6.5
6.0
5.5
5.0
4.5
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
0
2
4
6
8
10
注:t
J
= 25
°
C
V
GS
= 10V
I
DR
,反向漏电流[ A]
10
0
V
GS
= 20V
150
°
C
25
°
C
注意事项:
1. V
GS
= 0V
2. 250
s脉冲测试
10
-1
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
I
D
,漏电流[ A]
V
SD
,源极 - 漏极电压[ V]
图5.电容特性
C
国际空间站
= C
gs
+ C
gd
(C
ds
=短路)
C
OSS
= C
ds
+ C
gd
图6.栅极电荷特性
12
600
C
RSS
= C
gd
10
V
GS
,栅源电压[V]
V
DS
= 100V
V
DS
= 250V
V
DS
= 400V
电容[ pF的]
C
国际空间站
400
8
C
OSS
6
200
C
RSS
注意;
1. V
GS
= 0 V
2. F = 1 MHz的
4
2
注:我
D
= 3A
0
-1
10
0
10
0
10
1
0
5
10
V
DS
,漏源电压[V]
Q
G
,总栅极电荷[ NC ]
3
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FQD3N50C / FQU3N50C 500V N沟道MOSFET
典型性能特性
(续)
图7.击穿电压变化
与温度的关系
图8.导通电阻变化
与温度的关系
1.2
3.0
BV
DSS
(归一化)
漏源击穿电压
1.1
R
DS ( ON)
(归一化)
漏源导通电阻
2.5
2.0
1.0
1.5
1.0
0.9
注意事项:
1. V
GS
= 0 V
2. I
D
= 250
A
0.5
注意事项:
1. V
GS
= 10 V
2. I
D
= 1.5 A
0.8
-100
-50
0
50
100
150
200
0.0
-100
-50
0
50
100
150
200
T
J
,结温[
°
C]
T
J
,结温[
°
C]
图9.最高安全工作区
图10.最大漏极电流
与外壳温度
3
10
2
在这一领域
由R有限公司
DS ( ON)
I
D
,漏电流[ A]
10
0
100
s
1毫秒
10毫秒
100毫秒
DC
注意事项:
1. T
C
= 25
°
C
2. T
J
= 150
°
C
3.单脉冲
I
D
,漏电流[ A]
10
3
10
1
2
1
10
-1
10
-2
10
0
10
1
10
2
0
25
50
75
100
125
150
V
DS
,漏源电压[V]
T
C
,外壳温度[
°
C]
图11.瞬态热响应曲线
Z
θ
JC
(T ) ,热响应
D = 0 .5
10
0
0 .2
0 .1
0 .0 5
N 2 O TE S:
1 . Z
θ
JC
(t) = 3 .5
°
C /女男斧头。
2 。 UTY F交流为R,D = T
1
/t
2
3 . T
JM
- T
C
= P
D M
* Z
θ
JC
(t)
10
-1
0 .0 2
0 .0 1
仙GLE P ü LS ê
P
DM
t
1
t
2
10
-2
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
t
1
,S之四重W上的已经P ü LS E D ü RA TIO N [秒]
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