【FQD3N50C / FQU3N50C 500V N沟道MOSFET2008年3月QFETFQD3N】,IC型号FQD3N50CTF,FQD3N50CTF PDF资料,FQD3N50CTF经销商,ic,电子元器件-51电子网

FQD3N50C / FQU3N50C 500V N沟道MOSFET

2008年3月

QFET

FQD3N50C / FQU3N50C

500V N沟道MOSFET

特点

2.5A ， 500V ，R

DS （ ON）

= 2.5 @V

GS

= 10 V

低栅极电荷（典型的10 NC）

低的Crss （典型值8.5pF ）

快速开关

100％的雪崩测试

改进的dv / dt能力

符合RoHS

描述

这些N沟道增强型功率场效应

晶体管都采用飞兆半导体专有的，平面出品

条纹， DMOS技术。

这种先进的技术已特别针对

最大限度地减少通态电阻，优越的开关

性能，并能承受高能量脉冲雪崩

和减刑模式。这些装置非常适用于高

高效率开关电源，有源功率因数

基于半桥校正，电子镇流器

拓扑结构。

D

G

S

D- PAK

FQD系列

I- PAK

摹 S

FQU系列

S

绝对最大额定值

符号

V

DSS

I

D

I

DM

V

GSS

E

AS

I

AR

E

AR

dv / dt的

P

D

T

J

, T

英镑

T

L

漏源电压

漏电流

- 连续（T

C

= 25°C)

- 连续（T

C

= 100°C)

漏电流

- 脉冲

（注1 ）

参数

FQD3N50C/FQU3N50C

500

2.5

1.5

10

±

30

（注2 ）

（注1 ）

（注3）

单位

V

A

V

mJ

A

mJ

V / ns的

W

W / ℃，

°C

栅源电压

单脉冲雪崩能量

雪崩电流

重复性雪崩能量

峰值二极管恢复的dv / dt

功率耗散（T

C

= 25°C)

- 减免上述25℃

工作和存储温度范围

最大无铅焊接温度的目的，

8分之1 ＆ QUOT ;从案例5秒

200

2.5

3.5

4.5

35

0.28

-55到+150

300

热特性

符号

R

θJC

R

θJA

R

θJA

参数

热阻，结到外壳

热阻，结到环境*

热阻，结到环境

典型值

--

最大

3.5

50

110

单位

° C / W

*当安装在推荐的最小焊盘尺寸（ PCB安装）

2008飞兆半导体公司

1

www.fairchildsemi.com

FQD3N50C / FQU3N50C版本B

FQD3N50C / FQU3N50C 500V N沟道MOSFET

包装标志和订购信息

器件标识

FQD3N50C

FQU3N50C

设备

FQD3N50CTM

FQD3N50CTF

FQU3N50CTU

包

D- PAK

I- PAK

带尺寸

380mm

-

胶带宽度

16mm

-

QUANTITY

2500

70

电气特性

符号

开关特性

BV

DSS

ΔBV

DSS

/

T

J

I

DSS

I

GSSF

I

GSSR

V

GS （ TH）

R

DS （ ON）

g

FS

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

Q

g

Q

gs

Q

gd

T

C

= 25 ° C除非另有说明

参数

漏源击穿电压

击穿电压温度系数

零栅极电压漏极电流

测试条件

V

GS

= 0 V，I

D

= 250

A

I

D

= 250

A,

参考25 ℃下

V

DS

= 500 V, V

GS

= 0 V

V

DS

= 400 V ，T

C

= 125°C

V

GS

= 30 V, V

DS

= 0 V

V

GS

= -30 V, V

DS

= 0 V

V

DS

= V

GS

, I

D

= 250

A

V

GS

= 10 V，I

D

= 1.25 A

V

DS

= 40 V，I

D

= 1.25 A

V

DS

= 25 V, V

GS

= 0 V,

F = 1.0 MHz的

（注4 ）

民

500

--

典型值

--

0.7

--

最大单位

--

1

10

100

-100

V

V /°C的

A

nA

门体漏电流，正向

门体漏电流，反向

基本特征

栅极阈值电压

静态漏源导通电阻

正向跨导

2.0

--

2.1

1.5

4.0

2.5

--

V

S

动态特性

输入电容

输出电容

反向传输电容

--

280

50

8.5

365

65

11

pF

开关特性

导通延迟时间

开启上升时间

打开-O FF延迟时间

（注4,5）

V

DD

= 250 V，I

D

= 2.5A,

R

G

= 25

--

10

25

35

25

10

1.5

5.5

30

60

80

60

13

--

ns

nC

关断下降时间

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

V

DS

= 400 V，I

D

= 2.5A,

V

GS

= 10 V

（注4,5）

--

漏源二极管的特性和最大额定值

I

S

I

SM

V

SD

t

rr

Q

rr

注意事项：

1.重复额定值：脉冲宽度有限的最高结温

2， L = 58mH ，我

AS

= 2.5A ，V

DD

= 50V ，R

G

= 25

,

起始物为

J

= 25°C

3. I

SD

≤

2.5A ， di / dt的

≤200A/s,

V

DD

≤

BV

DSS ，

起始物为

J

= 25°C

4.脉冲测试：脉冲宽度

≤

300μS ，占空比

≤

2%

5.基本上是独立工作温度

最大连续漏源二极管的正向电流

最大脉冲漏源二极管的正向电流

漏源二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

V

GS

= 0 V，I

S

= 2.5 A

V

GS

= 0 V，I

S

= 3 A,

dI

F

/ DT = 100 A / μs的

（注4 ）

--

170

0.7

2.5

10

1.4

--

A

V

ns

C

2

FQD3N50C / FQU3N50C版本B

www.fairchildsemi.com

FQD3N50C / FQU3N50C 500V N沟道MOSFET

典型性能特性

图1.区域特征

图2.传输特性

10

V

GS

上图：

1

10

I

D

，漏电流[ A]

I

D

，漏电流[ A]

15.0 V

10.0 V

8.0 V

7.0 V

6.5 V

6.0 V

5.5 V

底部： 5.0 V

150

°

C

10

0

10

0

25

°

C

-55

°

C

10

-1

注意事项：

1. 250

s脉冲测试

2. T

C

= 25

°

C

-1

记

1. V

DS

= 40V

2. 250

s脉冲测试

10

-1

10

0

10

1

2

4

6

8

10

V

DS

，漏源电压[V]

V

GS

，栅源电压[V]

图3.导通电阻变化对比

漏电流和栅极电压

图4.体二极管正向电压

变化与源电流

和Temperatue

8.0

7.5

R

DS （ ON）

[

],

漏源导通电阻

7.0

6.5

6.0

5.5

5.0

4.5

4.0

3.5

3.0

2.5

2.0

1.5

0

2

4

6

8

10

注：t

J

= 25

°

C

V

GS

= 10V

I

DR

，反向漏电流[ A]

10

0

V

GS

= 20V

150

°

C

25

°

C

注意事项：

1. V

GS

= 0V

2. 250

s脉冲测试

10

-1

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

I

D

，漏电流[ A]

V

SD

，源极 - 漏极电压[ V]

图5.电容特性

C

国际空间站

= C

gs

+ C

gd

(C

ds

=短路）

C

OSS

= C

ds

+ C

gd

图6.栅极电荷特性

12

600

C

RSS

= C

gd

10

V

GS

，栅源电压[V]

V

DS

= 100V

V

DS

= 250V

V

DS

= 400V

电容[ pF的]

C

国际空间站

400

8

C

OSS

6

200

C

RSS

注意;

1. V

GS

= 0 V

2. F = 1 MHz的

4

2

注：我

D

= 3A

0

-1

10

0

10

0

10

1

0

5

10

V

DS

，漏源电压[V]

Q

G

，总栅极电荷[ NC ]

3

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FQD3N50C / FQU3N50C 500V N沟道MOSFET

典型性能特性

（续）

图7.击穿电压变化

与温度的关系

图8.导通电阻变化

与温度的关系

1.2

3.0

BV

DSS

（归一化）

漏源击穿电压

1.1

R

DS （ ON）

（归一化）

漏源导通电阻

2.5

2.0

1.0

1.5

1.0

0.9

注意事项：

1. V

GS

= 0 V

2. I

D

= 250

A

0.5

注意事项：

1. V

GS

= 10 V

2. I

D

= 1.5 A

0.8

-100

-50

0

50

100

150

200

0.0

-100

-50

0

50

100

150

200

T

J

，结温[

°

C]

T

J

，结温[

°

C]

图9.最高安全工作区

图10.最大漏极电流

与外壳温度

3

10

2

在这一领域

由R有限公司

DS （ ON）

I

D

，漏电流[ A]

10

0

100

s

1毫秒

10毫秒

100毫秒

DC

注意事项：

1. T

C

= 25

°

C

2. T

J

= 150

°

C

3.单脉冲

I

D

，漏电流[ A]

10

3

10

1

2

1

10

-1

10

-2

10

0

10

1

10

2

0

25

50

75

100

125

150

V

DS

，漏源电压[V]

T

C

，外壳温度[

°

C]

图11.瞬态热响应曲线

Z

θ

JC

（T ），热响应

D = 0 .5

10

0

0 .2

0 .1

0 .0 5

N 2 O TE S：

1 . Z

θ

JC

(t) = 3 .5

°

C /女男斧头。

2 。 UTY F交流为R，D = T

1

/t

2

3 . T

JM

- T

C

= P

D M

* Z

θ

JC

(t)

10

-1

0 .0 2

0 .0 1

仙GLE P ü LS ê

P

DM

t

1

t

2

10

-2

10

-5

10

-4

10

-3

10

-2

10

-1

10

0

10

1

t

1

，S之四重W上的已经P ü LS E D ü RA TIO N [秒]

4

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FQD3N50C / FQU3N50C 500V N沟道MOSFET

栅极电荷测试电路波形&

电阻开关测试电路波形&

非钳位感应开关测试电路波形&

5

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2008年3月

QFET

FQD3N50C / FQU3N50C

500V N沟道MOSFET

特点

2.5A ， 500V ，R

DS （ ON）

= 2.5 @V

GS

= 10 V

低栅极电荷（典型的10 NC）

低的Crss （典型值8.5pF ）

快速开关

100％的雪崩测试

改进的dv / dt能力

符合RoHS

描述

这些N沟道增强型功率场效应

晶体管都采用飞兆半导体专有的，平面出品

条纹， DMOS技术。

这种先进的技术已特别针对

最大限度地减少通态电阻，优越的开关

性能，并能承受高能量脉冲雪崩

和减刑模式。这些装置非常适用于高

高效率开关电源，有源功率因数

基于半桥校正，电子镇流器

拓扑结构。

D

G

S

D- PAK

FQD系列

I- PAK

摹 S

FQU系列

S

绝对最大额定值

符号

V

DSS

I

D

I

DM

V

GSS

E

AS

I

AR

E

AR

dv / dt的

P

D

T

J

, T

英镑

T

L

漏源电压

漏电流

- 连续（T

C

= 25°C)

- 连续（T

C

= 100°C)

漏电流

- 脉冲

（注1 ）

参数

FQD3N50C/FQU3N50C

500

2.5

1.5

10

±

30

（注2 ）

（注1 ）

（注3）

单位

V

A

V

mJ

A

mJ

V / ns的

W

W / ℃，

°C

栅源电压

单脉冲雪崩能量

雪崩电流

重复性雪崩能量

峰值二极管恢复的dv / dt

功率耗散（T

C

= 25°C)

- 减免上述25℃

工作和存储温度范围

最大无铅焊接温度的目的，

8分之1 ＆ QUOT ;从案例5秒

200

2.5

3.5

4.5

35

0.28

-55到+150

300

热特性

符号

R

θJC

R

θJA

R

θJA

参数

热阻，结到外壳

热阻，结到环境*

热阻，结到环境

典型值

--

最大

3.5

50

110

单位

° C / W

*当安装在推荐的最小焊盘尺寸（ PCB安装）

2008飞兆半导体公司

1

www.fairchildsemi.com

FQD3N50C / FQU3N50C版本B

FQD3N50C / FQU3N50C 500V N沟道MOSFET

包装标志和订购信息

器件标识

FQD3N50C

FQU3N50C

设备

FQD3N50CTM

FQD3N50CTF

FQU3N50CTU

包

D- PAK

I- PAK

带尺寸

380mm

-

胶带宽度

16mm

-

QUANTITY

2500

70

电气特性

符号

开关特性

BV

DSS

ΔBV

DSS

/

T

J

I

DSS

I

GSSF

I

GSSR

V

GS （ TH）

R

DS （ ON）

g

FS

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

Q

g

Q

gs

Q

gd

T

C

= 25 ° C除非另有说明

参数

漏源击穿电压

击穿电压温度系数

零栅极电压漏极电流

测试条件

V

GS

= 0 V，I

D

= 250

A

I

D

= 250

A,

参考25 ℃下

V

DS

= 500 V, V

GS

= 0 V

V

DS

= 400 V ，T

C

= 125°C

V

GS

= 30 V, V

DS

= 0 V

V

GS

= -30 V, V

DS

= 0 V

V

DS

= V

GS

, I

D

= 250

A

V

GS

= 10 V，I

D

= 1.25 A

V

DS

= 40 V，I

D

= 1.25 A

V

DS

= 25 V, V

GS

= 0 V,

F = 1.0 MHz的

（注4 ）

民

500

--

典型值

--

0.7

--

最大单位

--

1

10

100

-100

V

V /°C的

A

nA

门体漏电流，正向

门体漏电流，反向

基本特征

栅极阈值电压

静态漏源导通电阻

正向跨导

2.0

--

2.1

1.5

4.0

2.5

--

V

S

动态特性

输入电容

输出电容

反向传输电容

--

280

50

8.5

365

65

11

pF

开关特性

导通延迟时间

开启上升时间

打开-O FF延迟时间

（注4,5）

V

DD

= 250 V，I

D

= 2.5A,

R

G

= 25

--

10

25

35

25

10

1.5

5.5

30

60

80

60

13

--

ns

nC

关断下降时间

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

V

DS

= 400 V，I

D

= 2.5A,

V

GS

= 10 V

（注4,5）

--

漏源二极管的特性和最大额定值

I

S

I

SM

V

SD

t

rr

Q

rr

注意事项：

1.重复额定值：脉冲宽度有限的最高结温

2， L = 58mH ，我

AS

= 2.5A ，V

DD

= 50V ，R

G

= 25

,

起始物为

J

= 25°C

3. I

SD

≤

2.5A ， di / dt的

≤200A/s,

V

DD

≤

BV

DSS ，

起始物为

J

= 25°C

4.脉冲测试：脉冲宽度

≤

300μS ，占空比

≤

2%

5.基本上是独立工作温度

最大连续漏源二极管的正向电流

最大脉冲漏源二极管的正向电流

漏源二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

V

GS

= 0 V，I

S

= 2.5 A

V

GS

= 0 V，I

S

= 3 A,

dI

F

/ DT = 100 A / μs的

（注4 ）

--

170

0.7

2.5

10

1.4

--

A

V

ns

C

2

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FQD3N50C / FQU3N50C 500V N沟道MOSFET

典型性能特性

图1.区域特征

图2.传输特性

10

V

GS

上图：

1

10

I

D

，漏电流[ A]

I

D

，漏电流[ A]

15.0 V

10.0 V

8.0 V

7.0 V

6.5 V

6.0 V

5.5 V

底部： 5.0 V

150

°

C

10

0

10

0

25

°

C

-55

°

C

10

-1

注意事项：

1. 250

s脉冲测试

2. T

C

= 25

°

C

-1

记

1. V

DS

= 40V

2. 250

s脉冲测试

10

-1

10

0

10

1

2

4

6

8

10

V

DS

，漏源电压[V]

V

GS

，栅源电压[V]

图3.导通电阻变化对比

漏电流和栅极电压

图4.体二极管正向电压

变化与源电流

和Temperatue

8.0

7.5

R

DS （ ON）

[

],

漏源导通电阻

7.0

6.5

6.0

5.5

5.0

4.5

4.0

3.5

3.0

2.5

2.0

1.5

0

2

4

6

8

10

注：t

J

= 25

°

C

V

GS

= 10V

I

DR

，反向漏电流[ A]

10

0

V

GS

= 20V

150

°

C

25

°

C

注意事项：

1. V

GS

= 0V

2. 250

s脉冲测试

10

-1

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

I

D

，漏电流[ A]

V

SD

，源极 - 漏极电压[ V]

图5.电容特性

C

国际空间站

= C

gs

+ C

gd

(C

ds

=短路）

C

OSS

= C

ds

+ C

gd

图6.栅极电荷特性

12

600

C

RSS

= C

gd

10

V

GS

，栅源电压[V]

V

DS

= 100V

V

DS

= 250V

V

DS

= 400V

电容[ pF的]

C

国际空间站

400

8

C

OSS

6

200

C

RSS

注意;

1. V

GS

= 0 V

2. F = 1 MHz的

4

2

注：我

D

= 3A

0

-1

10

0

10

0

10

1

0

5

10

V

DS

，漏源电压[V]

Q

G

，总栅极电荷[ NC ]

3

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FQD3N50C / FQU3N50C 500V N沟道MOSFET

典型性能特性

（续）

图7.击穿电压变化

与温度的关系

图8.导通电阻变化

与温度的关系

1.2

3.0

BV

DSS

（归一化）

漏源击穿电压

1.1

R

DS （ ON）

（归一化）

漏源导通电阻

2.5

2.0

1.0

1.5

1.0

0.9

注意事项：

1. V

GS

= 0 V

2. I

D

= 250

A

0.5

注意事项：

1. V

GS

= 10 V

2. I

D

= 1.5 A

0.8

-100

-50

0

50

100

150

200

0.0

-100

-50

0

50

100

150

200

T

J

，结温[

°

C]

T

J

，结温[

°

C]

图9.最高安全工作区

图10.最大漏极电流

与外壳温度

3

10

2

在这一领域

由R有限公司

DS （ ON）

I

D

，漏电流[ A]

10

0

100

s

1毫秒

10毫秒

100毫秒

DC

注意事项：

1. T

C

= 25

°

C

2. T

J

= 150

°

C

3.单脉冲

I

D

，漏电流[ A]

10

3

10

1

2

1

10

-1

10

-2

10

0

10

1

10

2

0

25

50

75

100

125

150

V

DS

，漏源电压[V]

T

C

，外壳温度[

°

C]

图11.瞬态热响应曲线

Z

θ

JC

（T ），热响应

D = 0 .5

10

0

0 .2

0 .1

0 .0 5

N 2 O TE S：

1 . Z

θ

JC

(t) = 3 .5

°

C /女男斧头。

2 。 UTY F交流为R，D = T

1

/t

2

3 . T

JM

- T

C

= P

D M

* Z

θ

JC

(t)

10

-1

0 .0 2

0 .0 1

仙GLE P ü LS ê

P

DM

t

1

t

2

10

-2

10

-5

10

-4

10

-3

10

-2

10

-1

10

0

10

1

t

1

，S之四重W上的已经P ü LS E D ü RA TIO N [秒]

4

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栅极电荷测试电路波形&

电阻开关测试电路波形&

非钳位感应开关测试电路波形&

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