FDS4410A单N沟道逻辑电平，的PowerTrench
MOSFET
2005年5月
FDS4410A
单个n
-
通道，逻辑电平，的PowerTrench
MOSFET
特点
■
10 A， 30 V
R
DS （ ON）
= 13.5 m
@ V
GS
= 10 V
R
DS （ ON）
= 20 m
@ V
GS
= 4.5 V
■
开关速度快
■
低栅电荷
■
高性能沟道技术极低
R
DS （ ON）
■
高功率和电流处理能力
概述
这N沟道逻辑电平MOSFET采用Fair-生产
孩子安森美半导体先进的PowerTrench工艺有
特别是针对已尽量减少通态电阻和
同时保持出色的开关性能。
这些装置非常适用于低电压和电池
供电应用的低线的功率损耗和快速
开关是必需的。
D
D
D
D
5
6
4
3
2
1
SO-8
销1
S
S
S
G
7
8
绝对最大额定值
T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
P
D
T
J
, T
英镑
R
θ
JA
R
θ
JC
漏源电压
栅源电压
漏电流
- 连续
- 脉冲
功率消耗单操作
（注1A ）
（注1B ）
工作和存储结温范围
（注1A ）
参数
评级
30
±
20
10
50
2.5
1.0
-55到+150
单位
V
V
A
W
°
C
°
C / W
热特性
热阻，结到环境
（注1A ）
（注1B ）
热阻，结到外壳
（注1 ）
50
125
25
包装标志和订购信息
器件标识
FDS4410A
设备
FDS4410A
带尺寸
13"
胶带宽度
12mm
QUANTITY
2500台
2005仙童半导体公司
1
www.fairchildsemi.com
FDS4410A版本B
FDS4410A单N沟道逻辑电平，的PowerTrench
MOSFET
电气特性
T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
开关特性
BV
DSS
BV
DSS
T
J
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
T
J
R
DS （ ON）
漏源击穿电压
击穿电压温度
COEF网络cient
零栅极电压漏极电流
V
GS
= 0 V，I
D
= 250 A
I
D
= 250 μA ，参考25
°
C
V
DS
= 24 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 24 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 55°C
门体漏
V
GS
=
±
20 V, V
DS
= 0 V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
I
D
= 250 μA ，参考25
°
C
V
GS
= 10 V，I
D
= 10 A
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 9 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 10 A，T
J
= 125
°
C
V
GS
= 10 V, V
DS
= 5 V
V
DS
= 5 V，I
D
= 10 A
V
DS
= 15 V, V
GS
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
50
48
1
1.9
–5
9.8
12.0
13.7
13.5
20
23
基本特征
（注2 ）
栅极阈值电压
栅极阈值电压
温度COEF网络cient
静态漏源导通电阻
3
V
毫伏/
°
C
m
30
25
1
10
±
100
nA
V
毫伏/
°
C
A
参数
测试条件
民
典型值
最大
单位
I
D（上）
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
G
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
I
S
V
SD
t
rr
Q
rr
注意事项：
通态漏电流
正向跨导
A
S
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
V
GS
= 15 mV时， F = 1.0 MHz的
V
DS
= 15 V，I
D
= 1 A，V
GS
= 10 V,
R
根
= 6
1205
290
115
2.4
pF
pF
pF
19
10
44
19
16
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
开关特性
（注2 ）
导通延迟时间
开启上升时间
关断延迟时间
关断下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DD
= 15 V，I
D
= 10 A，V
GS
= 5 V
9
5
28
9
12
3.4
4.0
漏源二极管的特性和最大额定值
最大连续漏源二极管的正向电流
漏源二极管的正向电压
二极管的反向恢复时间
二极管的反向恢复电荷
V
GS
= 0 V，I
S
= 2.1 A
I
F
= 10A ，D
iF
/d
t
= 100 A / μs的
（注2 ）
0.74
24
27
2.1
1.2
A
V
nS
nC
1. R
θ
JA
是结点到外壳和外壳到环境的热阻，其中热的情况下引用德网络定义为漏极引脚焊锡安装面的总和。
R
θ
JC
由设计而
θ
CA
是通过用户的电路板的设计来确定。
一个），安装在一个时50℃ / W的
1年
2
2盎司纯铜垫
B） 125 ° C / W安装时
最低垫。
在信纸尺寸的纸张1 ： 1规模
2.测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 2.0 ％
2
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FDS4410A单N沟道逻辑电平，的PowerTrench
MOSFET
典型特征
50
3
R
DS （ ON）
归一化
漏源导通电阻
V
GS
= 10V
4.0V
V
GS
= 3.0V
2.5
40
I
D
，漏电流（ A）
6.0V
30
4.5V
3.5.V
2
3.5V
1.5
4.0V
4.5V
1
6.0V
10V
20
10
3.0V
0
0
0.5
1
1.5
2
V
DS
，漏源电压（V ）
0.5
0
10
20
30
40
50
I
D
，漏电流（ A）
图1.区域特征。
图2.导通电阻变化与
漏电流和栅极电压。
0.05
1.8
R
DS （ ON）
归一化
漏源导通电阻
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0.6
-50
I
D
= 10A
V
GS
= 10V
I
D
= 5 A
R
DS （ ON）
，导通电阻（ OHM ）
0.04
0.03
T
A
= 125 C
0.02
o
T
A
= 25 C
0.01
o
0
-25
0
25
50
75
100
125
T
J
，结温（ ° C）
150
175
2
4
6
8
V
GS
，门源电压（ V）
10
图3.导通电阻变化与
温度。
50
图4.导通电阻变化与
栅极 - 源极电压。
100
I
S
，反向漏电流（ A）
V
DS
= 5V
40
I
D
，漏电流（ A）
V
GS
= 0V
10
T
A
= 125
o
C
1
0.1
0.01
0.001
25 C
o
30
20
T
A
= 125
o
C
10
25
o
C
-55
o
C
-55
o
C
0
1
1.5
2
2.5
3
V
GS
，门源电压（ V）
3.5
4
0.0001
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
V
SD
，体二极管正向电压（ V）
1.2
图5.传输特性。
图6.体二极管正向电压的变化
与源电流和温度。
3
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典型特征
10
V
GS
，栅源电压（V ）
I
D
= 10 A
8
电容（pF）
20V
6
V
DS
= 10V
15V
1200
1600
F = 1MHz的
V
GS
= 0 V
C
国际空间站
800
4
C
OSS
400
2
C
RSS
0
0
5
10
15
Q
g
，栅极电荷（ NC）
20
25
0
0
5
10
15
20
25
V
DS
，漏源极电压（ V）
30
图7.栅极电荷特性。
100
P（ PK） ，峰值瞬态功率（ W）
图8.电容特性。
50
100s
I
D
，漏电流（ A）
10
R
DS （ ON）
极限
1ms
10ms
100ms
1s
10s
DC
V
GS
= 10V
单脉冲
R
θ
JA
= 125
o
C / W
T
A
= 25 C
0.01
0.01
o
40
单脉冲
R
θ
JA
= 125°C / W
T
A
= 25°C
30
1
20
0.1
10
0.1
1
10
V
DS
，漏源电压（V ）
100
0
0.001
0.01
0.1
1
t
1
，时间（秒）
10
100
图9.最高安全工作区。
图10.单脉冲最大
功耗。
1
R（T ） ，规范有效的瞬变
热阻
D = 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
R
θ
JA
（吨） = R （t）的R *
θ
JA
R
θ
JA
= 125°C / W
P（ PK）
t
1
t
2
单脉冲
0.01
T
J
- T
A
= P * R
θ
JA
(t)
占空比D = T
1
/t
2
0.001
0.0001
0.001
0.01
0.1
t
1
， TIM E（秒）
1
10
100
1000
图11.瞬态热响应曲线。
热特性进行使用注1c中所述的条件。
瞬态热响应将取决于西尔扣器板的设计变化。
4
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商标
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并非意在将所有这样的商标的详尽清单。
ACEX
快
ActiveArray
FASTr
深不见底 FPS
CoolFET
FRFET
CROSSVOLT
GlobalOptoisolator
DOME
GTO
EcoSPARK HiSeC
E
2
CMOS
I
2
C
Ensigna
我罗
FACT
ImpliedDisconnect
FACT静音系列
的IntelliMAX
等平面
LittleFET
MICROCOUPLER
的MicroFET
采用MicroPak
MICROWIRE
MSX
MSXPro
OCX
OCXPro
一刀切。周围的世界。 OPTOLOGIC
OPTOPLANAR
电源特许经营
吃豆
可编程有源下垂
POP
Power247
的PowerEdge
PowerSaver技术
的PowerTrench
QFET
QS
QT光电
静音系列
RapidConfigure
RapidConnect
SerDes
SILENT SWITCHER
SMART START
SPM
隐形
的SuperFET
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
SyncFET
TinyLogic
TINYOPTO
TruTranslation
UHC
UltraFET
的UniFET
VCX
放弃
飞兆半导体公司保留随时修改而不任何进一步通知的权利
产品中，为了提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD不承担任何责任
所产生的应用或使用任何产品或电路此处所述的成本;它也不
在其专利权利的任何执照，也没有他人的权利。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统没有FAIRCHILD半导体公司明确的书面批准。
如本文所用：
2.关键部件是在生命的任何组件
1.生命支持设备或系统的设备或
支持设备或系统，其故障执行能
其中， （ a）打算通过外科手术移植到系统中
可以合理预期造成的生命的失败
人体，或（b ）支持或维持生命，或（c ），其
支持设备或系统，或影响其安全性或
不履行时，按照正确使用
与标示中的使用说明，可以
有效性。
合理预期会导致显著伤害
用户。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
形成或
在设计
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据，和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候，恕不另行通知，以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知，以便随时改进设计。
初步
一是生产
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
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已经停产了仙童半导体公司。
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修订版I15
5
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