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FDS6692
2003年9月
FDS6692
30V N沟道的PowerTrench
MOSFET
概述
这N沟道MOSFET的设计
具体而言，以提高直流/直流整体效率
使用同步或传统转换器
开关PWM控制器。它已被优化为
低栅极电荷，低R
DS （ ON）
和快速的开关速度。
特点
12 A， 30 V
R
DS （ ON）
= 12毫欧@ V
GS
= 10 V.
R
DS （ ON）
= 14.5毫欧@ V
GS
= 4.5 V
高性能沟道技术极
低R
DS （ ON）
低栅极电荷（ 18 NC典型值）
高功率和电流处理能力
应用
DC / DC转换器
D
D
D
D
5
6
4
3
2
1
SO-8
S
S
S
G
7
8
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
P
D
漏源电压
栅源电压
漏电流
- 连续
- 脉冲
T
A
= 25°C除非另有说明
o
参数
评级
30
±
16
（注1A ）
单位
V
V
A
W
12
50
2.5
1.2
1.0
-55到+175
功率消耗单操作
（注1A ）
（注1B ）
（注1C ）
T
J
, T
英镑
工作和存储结温范围
°C
热特性
R
θJA
R
θJA
R
θJC
热阻，结到环境
热阻，结到环境
热阻，结到外壳
（注1A ）
（注1C ）
（注1 ）
50
125
25
° C / W
° C / W
° C / W
包装标志和订购信息
器件标识
FDS6692
设备
FDS6692
带尺寸
13’’
胶带宽度
12mm
QUANTITY
2500台
2003
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
FDS6692版本D（ W）
FDS6692
电气特性
符号
参数
开关特性
BV
DSS
ΔBV
DSS
T
J
I
DSS
I
GSSF
I
GSSR
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
零栅极电压漏极电流
门体泄漏，正向
门体泄漏，反向
（注2 ）
T
A
= 25 ° C除非另有说明
测试条件
V
GS
= 0 V，I
D
= 250
A
I
D
= 250
A,
参考25 ℃下
V
DS
= 24 V, V
GS
= 0 V
V
GS
= 16 V, V
DS
= 0 V
V
GS
= –16 V, V
DS
= 0 V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
A
I
D
= 250
A,
参考25 ℃下
V
GS
= 10 V,
I
D
= 12 A
V
GS
= 4.5 V,
I
D
= 11 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 12 A，T
J
= 125°C
V
GS
= 10 V,
V
DS
= 5 V,
V
DS
= 5 V
I
D
= 12 A
民
典型值
最大单位
30
26
1
100
–100
V
毫伏/°C的
A
nA
nA
基本特征
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
T
J
R
DS （ ON）
栅极阈值电压
栅极阈值电压
温度COEF网络cient
静态漏源
导通电阻
通态漏电流
正向跨导
1
1.6
–5
9.5
11.5
14
3
V
毫伏/°C的
12
14.5
m
I
D（上）
g
FS
50
50
A
S
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
输入电容
输出电容
反向传输电容
（注2 ）
V
DS
= 15 V,
F = 1.0 MHz的
V
GS
= 0 V,
2164
357
138
pF
pF
pF
开关特性
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
导通延迟时间
开启上升时间
关断延迟时间
关断下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DD
= 15 V，I
D
= 1 A,
V
GS
= 10 V ，R
根
= 6
9
5
35
10
18
10
56
20
25
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
DS
= 15 V，I
D
= 12 A,
V
GS
= 5 V
18
5
5
漏源二极管的特性和最大额定值
I
S
V
SD
最大连续漏源二极管的正向电流
漏源二极管正向
V
GS
= 0 V，I
S
= 2.1 A
电压
2.1
（注2 ）
A
V
0.7
1.2
注意事项：
1.
R
θJA
是的S UM的结点至外壳和外壳到环境的热阻，其中热的情况下引用定义为焊接安装面
漏极引脚。
θJC
由设计而
= CA
是通过用户的电路板的设计来确定。
一） 50℃ / W的时
2
安装在一个1英寸
2盎司纯铜垫
B） 105 ° C / W时，
2
安装在一个0.04
2盎司纯铜垫
C）安装时， 125 ° C / W
上的最小垫。
在信纸尺寸的纸张1 ： 1规模
2.
脉冲测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 2.0 ％
FDS6692版本D（ W）
FDS6692
典型特征
50
6.0V
I
D
，漏电流（ A）
40
4.5V
3.5V
3.0V
R
DS （ ON）
归一化
漏源导通电阻
V
GS
= 10V
2.25
2
1.75
1.5
3.5V
1.25
1
0.75
0
0.5
1
1.5
2
2.5
0
10
20
30
40
50
I
D
，漏电流（ A）
4.5V
6.0V
10V
V
GS
= 3.0V
30
20
10
2.5V
0
V
DS
，漏源电压（V ）
图1.区域特征。
图2.导通电阻变化与
漏电流和栅极电压。
0.03
R
DS （ ON）
，导通电阻（ OHM ）
1.8
R
DS （ ON）
归一化
漏源导通电阻
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0.6
-50
I
D
= 12A
V
GS
= 10V
I
D
= 6 A
0.025
0.02
T
A
= 125 C
0.015
o
0.01
T
A
= 25 C
0.005
2
4
6
8
V
GS
，门源电压（ V）
10
o
-25
0
25
50
75
100
o
125
150
T
J
，结温（ C）
图3.导通电阻变化与
温度。
50
V
DS
= 5V
I
D
，漏电流（ A）
40
图4.导通电阻变化与
栅极 - 源极电压。
100
25 C
125 C
o
I
S
，反向漏电流（ A）
T
A
= -55 C
o
o
V
GS
= 0V
10
T
A
= 125 C
1
0.1
0.01
0.001
0.0001
25 C
-55 C
o
o
o
30
20
10
0
1.5
2
2.5
3
3.5
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
V
GS
，门源电压（ V）
V
SD
，体二极管正向电压（ V）
图5.传输特性。
图6.体二极管正向电压的变化
与源电流和温度。
FDS6692版本D（ W）
FDS6692
典型特征
10
V
GS
，栅源电压（V ）
I
D
= 12A
8
20V
6
电容（pF）
V
DS
= 10V
15V
3000
2500
C
国际空间站
2000
1500
1000
500
C
RSS
0
0
5
10
15
20
25
30
35
0
5
10
15
20
25
30
Q
g
，栅极电荷（ NC）
V
DS
，漏源极电压（ V）
C
OSS
F = 1MHz的
V
GS
= 0 V
4
2
0
图7.栅极电荷特性。
100
100s
R
DS （ ON）
极限
I
D
，漏电流（ A）
10
1ms
10ms
100ms
1
V
GS
= 10V
单脉冲
o
R
θ
JA
= 125℃ / W
T
A
= 25 C
0.01
0.01
o
图8.电容特性。
50
P（ PK） ，峰值瞬态功率（ W）
单脉冲
R
θJA
= 125°C / W
T
A
= 25°C
40
1s
10s
DC
30
20
0.1
10
0.1
1
10
100
0
0.001
0.01
0.1
1
10
100
V
DS
，漏源电压（V ）
t
1
，时间（秒）
图9.最高安全工作区。
图10.单脉冲最大
功耗。
R（T ） ，规范有效
瞬态热阻
1
D = 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
R
θ
JA
（吨） = R（T） + R
θ
JA
R
θJA
= 125℃ / W
P（ PK）
0.02
0.01
t
1
t
2
单脉冲
0.01
T
J
- T
A
= P * R
θ
JA
(t)
占空比D = T
1
/ t
2
0.001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
图11.瞬态热响应曲线。
热特性进行使用注1c中所述的条件。
瞬态热响应将取决于电路板的设计变化。
FDS6692版本D（ W）
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