FDS3670
2000年11月
FDS3670
100V N沟道的PowerTrench
MOSFET
概述
这N沟道MOSFET的设计
具体而言，以提高直流/直流整体效率
使用同步或传统转换器
开关PWM控制器。
这些MOSFET的开关速度和更低的
比其他的MOSFET具有可比性的栅极电荷
R
DS （ ON）
特定连接的阳离子。
其结果是一个MOSFET，很容易和更安全的驾驶
（即使是在非常高的频率） ，并且DC / DC电力
电源设计具有更高的整体效率。
特点
6.3 A， 100 V
DS （ ON）
= 32毫欧@ V
GS
= 10 V
R
DS （ ON）
= 35毫欧@ V
GS
= 6 V
低栅极电荷（ 57 NC典型值）
开关速度快
高性能沟道技术极
低R
DS （ ON）
高功率和电流处理能力
D
D
D
D
5
6
7
4
3
2
1
SO-8
S
S
S
G
8
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
P
D
漏源电压
栅源电压
漏电流
- 连续
- 脉冲
T
A
= 25°C除非另有说明
o
参数
评级
100
±20
（注1A ）
单位
V
V
A
W
6.3
50
2.5
1.2
1.0
-55到+150
功率消耗单操作
（注1A ）
（注1B ）
（注1C ）
T
J
, T
英镑
工作和存储结温范围
°C
热特性
R
θJA
R
θJC
热阻，结到环境
热阻，结到外壳
（注1A ）
（注1 ）
50
25
° C / W
° C / W
包装标志和订购信息
器件标识
FDS3670
设备
FDS3670
带尺寸
13’’
胶带宽度
12mm
QUANTITY
2500台
FDS3670版本C （ W）
2000
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
FDS3670
电气特性
符号
W
DSS
I
AR
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
单脉冲漏源
雪崩能量
最大漏源雪崩
当前
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
零栅极电压漏极电流
门体泄漏，正向
门体泄漏，反向
（注2 ）
测试条件
V
DD
= 50 V,
I
D
= 6.3 A
民
典型值
最大单位
360
6.3
mJ
A
漏源雪崩额定值
（注2 ）
开关特性
BV
DSS
ΔBV
DSS
===T
J
I
DSS
I
GSSF
I
GSSR
V
GS
= 0 V，I
D
= 250
A
I
D
= 250
A,
参考25 ℃下
V
DS
= 80 V,
V
GS
= 20 V,
V
GS
= –20 V,
V
GS
= 0 V
V
DS
= 0 V
V
DS
= 0 V
100
92
10
100
–100
V
毫伏/°C的
A
nA
nA
基本特征
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
===T
J
R
DS （ ON）
栅极阈值电压
栅极阈值电压
温度COEF网络cient
静态漏源
导通电阻
通态漏电流
正向跨导
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
A
I
D
= 250
A,
参考25 ℃下
V
GS
= 10 V,
I
D
= 6.3 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 6.3 A，T
J
= 125°C
I
D
= 5.7 A
V
GS
= 6 V,
V
GS
= 10 V,
V
DS
= 5 V
V
DS
= 5 V,
I
D
= 6.3 A
2
2.5
–7.2
22
39
24
4
V
毫伏/°C的
32
64
35
m
I
D（上）
g
FS
25
31
A
S
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
输入电容
输出电容
反向传输电容
（注2 ）
V
DS
= 50 V,
F = 1.0 MHz的
V
GS
= 0 V,
2490
265
80
pF
pF
pF
开关特性
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
导通延迟时间
开启上升时间
关断延迟时间
关断下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DD
= 50 V,
V
GS
= 10 V,
I
D
= 1 A,
R
根
= 6
16
10
56
25
26
18
84
40
80
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
DS
= 50 V,
V
GS
= 10 V
I
D
= 25 A,
57
11
15
漏源二极管的特性和最大额定值
I
S
V
SD
最大连续漏源二极管的正向电流
漏源二极管正向
电压
V
GS
= 0 V,
I
S
= 2.1 A
（注2 ）
2.1
0.72
1.2
A
V
注意事项：
1.
R
θJA
是总和的结到壳体和壳到环境的热阻，其中所述壳体热参考被定义为所述焊料安装面
漏极引脚。
θJC
由设计而
= CA
是通过用户的电路板的设计来确定。
一） 50℃ / W的时
安装在一个1英寸
2
2盎司纯铜垫
在信中1 ： 1规模
尺寸的纸张
B） 105 ° C / W时，
安装在0.04
in
2
的2盎司垫
铜
C） 125°C / W安装在一个时
最小焊盘。
FDS3670版本C （ W）
FDS3670
2.
脉冲测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 2.0 ％
典型特征
60
R
DS （ ON）
归一化
漏源导通电阻
V
GS
= 10V
50
I
D
，漏电流（ A）
40
30
4.0V
20
10
3.5V
0
0
1
2
3
4
5
V
DS
，漏源电压（V ）
5.5V
5.0V
4.5V
2
1.8
1.6
V
GS
= 4.0V
1.4
4.5V
1.2
1
0.8
0
10
20
30
40
50
60
I
D
， DIRAIN电流（A）
5.0V
5.5V 7.0V
10V
图1.区域特征。
图2.导通电阻变化与
漏电流和栅极电压。
0.06
2.2
R
DS （ ON）
归一化
漏源导通电阻
2
1.8
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0.6
0.4
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
，结温（
o
C)
I
D
= 7.2A
V
GS
= 10V
I
D
= 3.6A
R
DS （ ON）
，导通电阻（
)
0.05
T
A
= 125
o
C
0.04
0.03
0.02
0.01
0
3
4
5
6
7
8
9
10
V
GS
，门源电压（ V）
T
A
= 25
o
C
图3.导通电阻变化
withTemperature 。
60
V
DS
= 5V
50
I
D
，漏电流（ A）
40
30
125
o
C
20
25
o
C
10
0
2
3
4
5
6
V
GS
，门源电压（ V）
T
A
= -55
o
C
I
S
，反向漏电流（ A）
图4.导通电阻变化与
栅极 - 源极电压。
100
V
GS
= 0V
10
1
0.1
-55
o
C
0.01
0.001
0.0001
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
V
SD
，体二极管正向电压（ V）
T
A
= 125
o
C
25
o
C
图5.传输特性。
图6.体二极管正向电压的变化
与源电流和温度。
FDS3670版本C （ W）
商标
下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用的是
并非意在将所有这样的商标的详尽清单。
ACEX
深不见底
CoolFET
CROSSVOLT
DOME
E
2
CMOS
TM
EnSigna
TM
FACT
FACT静音系列
快
放弃
FASTr
GlobalOptoisolator
GTO
HiSeC
等平面
MICROWIRE
OPTOLOGIC
OPTOPLANAR
吃豆
POP
的PowerTrench
QFET
QS
QT光电
静音系列
SILENT SWITCHER
SMART START
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
SyncFET
TinyLogic
UHC
VCX
飞兆半导体公司保留随时修改而不进一步RIGHT
注意以下所有产品在提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD
不承担任何产品的应用或使用承担任何责任所产生的
或者电路本文描述;它也没有传达任何许可在其专利
权利，也没有他人的权利。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统没有FAIRCHILD半导体公司明确的书面批准。
如本文所用：
1.生命支持设备或系统的设备或
2.关键部件是在生命的任何组件
支持设备或系统，其故障执行能
其中， （ a）打算通过外科手术移植到系统中
可以合理预期造成的生命的失败
人体，或（b ）支持或维持生命，或（c ），其
支持设备或系统，或影响其安全性或
不履行时，按照正确使用
与标示中的使用说明，可以
有效性。
合理预期会导致显著伤害
用户。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
形成或
在设计
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据，和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候，恕不另行通知，以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知，以便随时改进设计。
初步
一是生产
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
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