【FDD66062004年2月FDD660630V N沟道的PowerTrenchMOSFET概述这N】,IC型号FDD6606,FDD6606 PDF资料,FDD6606经销商,ic,电子元器件-51电子网

FDD6606

2004年2月

FDD6606

30V N沟道的PowerTrench

MOSFET

概述

这N沟道MOSFET的设计

具体而言，以提高直流/直流整体效率

使用同步或传统转换器

开关PWM控制器。它已被优化为

低栅极电荷，低R

DS （ ON）

和快速的开关速度。

特点

75 A， 30 V

DS （ ON）

= 6毫欧@ V

= 10 V

DS （ ON）

= 8毫欧@ V

= 4.5 V

低栅电荷

快速开关

高性能沟道技术极

低R

DS （ ON）

应用

DC / DC转换器

电机驱动

D- PAK

TO-252

(TO-252)

= 25°C除非另有说明

绝对最大额定值

符号

DSS

GSS

漏源电压

栅源电压

漏电流

- 连续

- 脉冲

参数

评级

（注3）

（注1A ）

（注1 ）

（注1A ）

（注1B ）

单位

100

3.8

1.6

-55到+175

功率消耗单操作

, T

英镑

工作和存储结温范围

°C

热特性

θJC

θJA

热阻，结到外壳

热阻，结到环境

（注1 ）

（注1A ）

（注1B ）

2.1

° C / W

包装标志和订购信息

器件标识

FDD6606

设备

FDD6606

包

D- PAK （TO- 252）

带尺寸

13’’

胶带宽度

12mm

QUANTITY

2500台

2004

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION

FDD6606版本B （ W）

FDD6606

电气特性

符号

DSS

ΔBV

DSS

GSS

= 25 ° C除非另有说明

参数

漏源雪崩能源

漏源雪崩电流

测试条件

单脉冲，V

= 15 V，I

= 17 A

民

典型值

最大

240

单位

漏源雪崩额定值

（注2 ）

开关特性

漏源击穿电压

击穿电压温度

系数

零栅极电压漏极电流

门体漏

（注2 ）

= 0 V,

= 250

±100

毫伏/°C的

= 250

参考25 ℃下

= 24 V,

20 V,

= 0 V

基本特征

GS （ TH）

DS （ ON）

栅极阈值电压

温度COEF网络cient

静态漏源

导通电阻

通态漏电流

正向跨导

= V

= 250

参考25 ℃下

= 10 V,

= 17 A

= 15 A

= 4.5 V,

= 10 V，I

= 17 A，T

=125°C

= 10 V,

= 5 V,

= 5 V

= 17 A

1.9

–7

毫伏/°C的

6.0

8.0

11.9

D（上）

国际空间站

OSS

RSS

D（上）

D（关闭）

动态特性

输入电容

输出电容

反向传输电容

栅极电阻

（注2 ）

= 15 V,

F = 1.0 MHz的

= 15 mV时，

= 0 V,

2400

577

258

1.4

F = 1.0 MHz的

开关特性

导通延迟时间

开启上升时间

关断延迟时间

关断下降时间

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

= 15 V,

= 10 V,

= 1 A,

根

= 6

= 15V,

= 5 V

= 17 A,

FDD6606版本B （ W）

FDD6606

电气特性

（续）

符号

= 25 ° C除非另有说明

参数

测试条件

民

典型值

最大

3.2

单位

漏源二极管的特性和最大额定值

最大连续漏源二极管的正向电流

漏源二极管正向

电压

二极管的反向恢复时间

二极管的反向恢复电荷

= 0 V,

= 17 A,

= 3.2 A

（注2 ）

0.7

1.2

= 100 A / μs的

注意事项：

θJA

是总和的结到壳体和壳到环境的热阻，其中所述壳体热参考被定义为所述焊料安装面

漏极引脚。

θJC

由设计而

= CA

是通过用户的电路板的设计来确定。

一）R

θJA

= 40 ℃/安装在当W

1in

2盎司纯铜垫

B ）R

θJA

= 96 ° C / W安装时

上的最小垫。

在信纸尺寸的纸张1 ： 1规模

脉冲测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 2.0 ％

最大电流的计算公式为：

DS （ ON）

其中，P

最大功耗在T

= 25℃和R

DS （ ON）

是在T

J（下最大）

和V

= 10V 。封装电流限制为21A

FDD6606版本B （ W）

FDD6606

典型特征

100

=10V

4.5V

4.0V

DS （ ON）

归一化

漏源导通电阻

1.8

1.6

= 3.5V

，漏电流（ A）

3.5V

4.0V

1.4

4.5V

1.2

0.8

5.0V

10V

3.0V

，漏源电压（V ）

，漏电流（ A）

图1.区域特征。

图2.导通电阻变化与

漏电流和栅极电压。

0.02

DS （ ON）

，导通电阻（ OHM ）

DS （ ON）

归一化

漏源导通电阻

1.8

1.6

1.4

1.2

0.8

0.6

-50

-25

100

125

150

175

，结温（

= 17A

= 10V

= 8.5A

0.015

= 125

0.01

= 25

0.005

，门源电压（ V）

图3.导通电阻变化与

温度。

图4.导通电阻变化与

栅极 - 源极电压。

100

，反向漏电流（ A）

= 0V

= 5V

，漏电流（ A）

0.1

0.01

0.001

= 125 C

25 C

-55

=125

-55

，门源电压（ V）

0.0001

0.2

0.4

0.6

0.8

，体二极管正向电压（ V）

1.2

图5.传输特性

图6.体二极管正向电压的变化

与源电流和温度

FDD6606版本B （ W）

FDD6606

典型特征

，栅源电压（V ）

3500

= 17A

= 10V

15V

20V

电容（pF）

3000

2500

2000

1500

1000

国际空间站

F = 1MHz的

= 0 V

OSS

RSS

500

，栅极电荷（ NC）

，漏源极电压（ V）

图7.栅极电荷特性

1000

P（ PK），峰值瞬态功率（ W）

100

图8.电容特性

，漏电流（ A）

100

DS （ ON）

极限

10s

100s

1ms

10ms

100ms

= 10V

单脉冲

= 96

C / W

= 25

单脉冲

θJA

= 96 ° C / W

= 25°C

0.1

0.01

0.1

100

0.01

0.1

100

1000

，漏源电压（V ）

，时间（秒）

图9.最高安全工作区

图10.单脉冲最大

功耗

R（T ），规范有效的瞬变

热阻

D = 0.5

0.2

0.1

0.05

0.02

θJA

（吨） = R （t）的R *

θJA

= 96 ° C / W

P（ PK）

0.01

- T

= P * R

θJA

(t)

占空比D = T

/ t

0.01

单脉冲

0.001

0.01

0.1

，时间（秒）

100

1000

图11.瞬态热响应曲线

热特性进行使用注1b中描述的条件。

瞬态热响应将取决于电路板的设计变化。

FDD6606版本B （ W）

查看更多FDD6606PDF信息

供货商

型号

厂家

批号

数量

封装

单价/备注

操作

柒号芯城电子商务（深圳）有限公司

QQ：

QQ：2881677436 复制

QQ：2881620402 复制

电话：18922805453

联系人：连

地址：福田区华强北路1019号华强广场D座23楼

FDD6606

终端采购配单精选

深圳市壹芯创科技有限公司

QQ：

QQ：2880707522 复制

QQ：2369405325 复制

电话：0755-82780082

联系人：杨小姐

地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

FDD6606

终端采购配单精选

更多配单专家

深圳市科恒伟业电子有限公司

QQ：

QQ：2881936556 复制

QQ：1838629145 复制

QQ：1366534167 复制

电话：0755-88917652分机801-83200050

联系人：柯

地址：深圳市福田区华强北振兴华101号华匀大厦二栋五楼516室本公司可以开13%增值税发票以及3%普通发票！！

FDD6606

FAIRCHILD/仙童

21+

9850

TO-252

只做原装正品现货或订货！代理渠道订货假一赔三！

上海鑫丰电子技术有限公司

QQ：

QQ：729272152 复制

QQ：1484215649 复制

电话：021-51875986/51872153

联系人：陈小姐张先生

地址：上海市黄浦区北京东路668号科技京城西楼

FDD6606

FAIRCHILD/仙童

20+

28000

TO-252

原装正品，价格优势

深圳市海虹微电子有限公司

QQ：

QQ：2881443942 复制

电话：0755-83291010 83678410

联系人：赵小姐

地址：深圳市福田区华强北华联发大厦西座402

FDD6606

FAIRCHILD/仙童

22+

33000

全新百分百进口正品原装现货

深圳市正信鑫科技有限公司

QQ：

QQ：1686616797 复制

QQ：2440138151 复制

电话：0755-22655674/15099917285

联系人：小邹

地址：深圳市福田区上步工业区201栋西座228室

FDD6606

Ｆａｉｒｃｈｉｌｄ

22+

6361

原厂封装

原装正品★真实库存★价格优势★欢迎洽谈

锦迅科技(香港)有限公司

QQ：

QQ：1871955283 复制

QQ：2942939487 复制

电话：0755-83226745/82584980

联系人：马小姐

地址：福田区振华路深纺大厦A座1708室

FDD6606

FAIRCHILD

21+

TO252

只做原装正品,提供一站式BOM配单服务

深圳市恒达亿科技有限公司

QQ：

QQ：3004390991 复制

QQ：3004390992 复制

QQ：1245773710 复制

电话：0755-82723761/82772189

联系人：夏先生朱小姐

地址：深圳市福田区华强北街道赛格科技园3栋东座10楼A2（本公司为一般纳税人，可开增票）

FDD6606

FARICHILD

25+

4500

TSSOP

全新原装现货特价销售！

源辰芯科技（深圳）有限公司

QQ：

QQ：1076493713 复制

QQ：173779730 复制

电话：0755-82170267

联系人：李经理

地址：深圳市福田区园岭街道上林社区八卦四路2号先科机电大厦1210

FDD6606

FAIRCHILD/仙童

21+

33591

SSOP28

有挂就有货支持订货.备货

深圳市晶美隆科技有限公司

QQ：

QQ：2885348339 复制

QQ：2885348317 复制

电话：0755- 82519391 0755-83209630

联系人：李林

地址：深圳市福田区华强北电子科技大夏A座36楼C09

FDD6606

24+

11758

TO-252

全新原装现货热卖

北京首天伟业科技有限公司

QQ：

QQ：1584878981 复制

QQ：2881290686 复制

电话：010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791

联系人：刘经理

地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008

FDD6606

FSC

14+

56000

DIP

全新原装正品/质量有保证

深圳市世品佳电子有限公司

QQ：

QQ：296271020 复制

电话：0755-/83218466/83200833

联系人：销售部

地址：深圳市罗湖区北站路1号中贸大厦402

FDD6606

Fairchild Semiconductor

24+

22000

667￥/片,原装正品假一赔百！

查询更多FDD6606供应信息

深圳市碧威特网络技术有限公司