FDN5618P
2000年7月
初步
FDN5618P
60V P沟道逻辑电平的PowerTrench
MOSFET
概述
这60V P沟道MOSFET采用飞兆半导体的高
电压的PowerTrench工艺。它已被优化为
电源管理应用。
特点
-1.25 A， -60 V.
DS （ ON）
= 0.170
@ V
GS
= –10 V
R
DS （ ON）
= 0.230
@ V
GS
= –4.5 V
开关速度快
高性能沟道技术极
低R
DS （ ON）
应用
DC- DC转换器
负荷开关
电源管理
D
D
S
SuperSOT -3
TM
G
T
A
= 25°C除非另有说明
o
G
S
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
漏源电压
栅源电压
漏电流
- 连续
- 脉冲
P
D
T
J
, T
英镑
最大功率耗散
参数
评级
–60
±20
（注1A ）
单位
V
V
A
W
°C
–1.25
–10
0.5
0.46
-55到+150
（注1A ）
（注1B ）
工作和存储结温范围
热特性
R
θJA
R
θJC
热阻，结到环境
热阻，结到外壳
（注1A ）
（注1 ）
250
75
° C / W
° C / W
包装标志和订购信息
器件标识
618
设备
FDN5618P
带尺寸
7’’
胶带宽度
8mm
QUANTITY
3000台
2000
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
FDN5618P版本B （ W）
FDN5618P
电气特性
符号
BV
DSS
ΔBV
DSS
===T
J
I
DSS
I
GSSF
I
GSSR
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
===T
J
R
DS （ ON）
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
零栅极电压漏极电流
门体泄漏，正向
门体泄漏，反向
（注2 ）
测试条件
V
GS
= 0 V，I
D
= –250
A
I
D
= –250
μA ，引用
至25℃
V
DS
= –48 V,
V
GS
= 20V,
V
GS
= –20 V
V
GS
= 0 V
V
DS
= 0 V
V
DS
= 0 V
民
-60
典型值
最大单位
V
开关特性
–58
–1
100
–100
–1
–1.6
4
0.148
0.185
0.245
–5
4.3
430
52
19
6.5
8
16.5
4
V
DS
= –30 V,
V
GS
= –10 V
I
D
= –1.25 A,
8.6
1.5
1.3
–0.42
–1.2
13
16
30
8
13.8
0.170
0.230
0.315
–3
毫伏/°C的
A
nA
nA
V
毫伏/°C的
基本特征
栅极阈值电压
栅极阈值电压
温度COEF网络cient
静态漏源
导通电阻
通态漏电流
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输电容
（注2 ）
V
DS
= V
GS
, I
D
= –250
A
I
D
= –250
μA ，引用
至25℃
V
GS
= –10 V,
I
D
= –1.25 A
V
GS
= –4.5 V,
I
D
= –1.0 A
V
GS
= -10 V，I
D
= -3一件T
J
=125°C
V
GS
= –10 V,
V
DS
= –5 V
V
DS
= –5 V,
I
D
= –1.25 A
I
D（上）
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
I
S
V
SD
A
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
A
V
动态特性
V
DS
= –30 V,
F = 1.0 MHz的
V
GS
= 0 V,
开关特性
导通延迟时间
开启上升时间
关断延迟时间
关断下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DD
= –30 V,
V
GS
= –10 V,
I
D
= –1 A,
R
根
= 6
漏源二极管的特性和最大额定值
最大连续漏源二极管的正向电流
漏源二极管正向
V
GS
= 0 V，I
S
= –0.42
电压
（注2 ）
–0.7
注意事项：
1.
R
θJA
是总和的结到壳体和壳到环境的热阻，其中所述壳体热参考被定义为所述焊料安装面
漏极引脚。
θJC
由设计而
= CA
是通过用户的电路板的设计来确定。
一个），安装在一个时250℃ / W的
在0.02
2
垫的2盎司铜。
二）安装在一个时为270℃ / W的
最小焊盘。
在信纸尺寸的纸张1 ： 1规模
2.
脉冲测试：脉冲宽度
≤=300 s,
占空比
≤=2.0
FDN5618P版本B （ W）
FDN5618P
2000年7月
初步
FDN5618P
60V P沟道逻辑电平的PowerTrench
MOSFET
概述
这60V P沟道MOSFET采用飞兆半导体的高
电压的PowerTrench工艺。它已被优化为
电源管理应用。
特点
-1.25 A， -60 V.
DS （ ON）
= 0.170
@ V
GS
= –10 V
R
DS （ ON）
= 0.230
@ V
GS
= –4.5 V
开关速度快
高性能沟道技术极
低R
DS （ ON）
应用
DC- DC转换器
负荷开关
电源管理
D
D
S
SuperSOT -3
TM
G
T
A
= 25°C除非另有说明
o
G
S
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
漏源电压
栅源电压
漏电流
- 连续
- 脉冲
P
D
T
J
, T
英镑
最大功率耗散
参数
评级
–60
±20
（注1A ）
单位
V
V
A
W
°C
–1.25
–10
0.5
0.46
-55到+150
（注1A ）
（注1B ）
工作和存储结温范围
热特性
R
θJA
R
θJC
热阻，结到环境
热阻，结到外壳
（注1A ）
（注1 ）
250
75
° C / W
° C / W
包装标志和订购信息
器件标识
618
设备
FDN5618P
带尺寸
7’’
胶带宽度
8mm
QUANTITY
3000台
2000
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
FDN5618P版本B （ W）
FDN5618P
电气特性
符号
BV
DSS
ΔBV
DSS
===T
J
I
DSS
I
GSSF
I
GSSR
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
===T
J
R
DS （ ON）
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
零栅极电压漏极电流
门体泄漏，正向
门体泄漏，反向
（注2 ）
测试条件
V
GS
= 0 V，I
D
= –250
A
I
D
= –250
μA ，引用
至25℃
V
DS
= –48 V,
V
GS
= 20V,
V
GS
= –20 V
V
GS
= 0 V
V
DS
= 0 V
V
DS
= 0 V
民
-60
典型值
最大单位
V
开关特性
–58
–1
100
–100
–1
–1.6
4
0.148
0.185
0.245
–5
4.3
430
52
19
6.5
8
16.5
4
V
DS
= –30 V,
V
GS
= –10 V
I
D
= –1.25 A,
8.6
1.5
1.3
–0.42
–1.2
13
16
30
8
13.8
0.170
0.230
0.315
–3
毫伏/°C的
A
nA
nA
V
毫伏/°C的
基本特征
栅极阈值电压
栅极阈值电压
温度COEF网络cient
静态漏源
导通电阻
通态漏电流
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输电容
（注2 ）
V
DS
= V
GS
, I
D
= –250
A
I
D
= –250
μA ，引用
至25℃
V
GS
= –10 V,
I
D
= –1.25 A
V
GS
= –4.5 V,
I
D
= –1.0 A
V
GS
= -10 V，I
D
= -3一件T
J
=125°C
V
GS
= –10 V,
V
DS
= –5 V
V
DS
= –5 V,
I
D
= –1.25 A
I
D（上）
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
I
S
V
SD
A
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
A
V
动态特性
V
DS
= –30 V,
F = 1.0 MHz的
V
GS
= 0 V,
开关特性
导通延迟时间
开启上升时间
关断延迟时间
关断下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DD
= –30 V,
V
GS
= –10 V,
I
D
= –1 A,
R
根
= 6
漏源二极管的特性和最大额定值
最大连续漏源二极管的正向电流
漏源二极管正向
V
GS
= 0 V，I
S
= –0.42
电压
（注2 ）
–0.7
注意事项：
1.
R
θJA
是总和的结到壳体和壳到环境的热阻，其中所述壳体热参考被定义为所述焊料安装面
漏极引脚。
θJC
由设计而
= CA
是通过用户的电路板的设计来确定。
一个），安装在一个时250℃ / W的
在0.02
2
垫的2盎司铜。
二）安装在一个时为270℃ / W的
最小焊盘。
在信纸尺寸的纸张1 ： 1规模
2.
脉冲测试：脉冲宽度
≤=300 s,
占空比
≤=2.0
FDN5618P版本B （ W）
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