FDD5690
2002年12月
FDD5690
60V N沟道的PowerTrench
MOSFET
概述
这N沟道MOSFET的设计专门
用，以提高直流/直流转换器的总效率
同步或传统开关PWM
控制器。
这些MOSFET的开关速度和更低的栅极
收费比其他的MOSFET具有可比性
DS （ ON）
特定连接的阳离子。
其结果是一个MOSFET，很容易和更安全的驾驶
（即使是在非常高的频率） ，和DC / DC电源
设计具有更高的整体效率。
特点
30 A， 60 V
DS （ ON）
= 0.027 @ V
GS
= 10 V
R
DS （ ON）
= 0.032
@ V
GS
= 6 V.
低栅极电荷（ 23nC典型值） 。
快速开关速度。
高性能沟道技术极
低R
DS （ ON）
.
D
D
G
S
TO-252
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
漏源电压
栅源电压
最大漏极电流
最大漏极电流
P
D
-Continuous
-Pulsed
o
G
S
T
C
=25
o
C除非另有说明
参数
评级
60
（注1 ）
（注1A ）
单位
V
V
A
±20
30
9
100
50
3.2
1.3
-55到+150
最大功率耗散@ T
C
= 25 C
T
A
= 25 C
T
A
= 25 C
o
o
（注1 ）
（注1A ）
（注1B ）
W
T
J
, T
英镑
工作和存储结温范围
°C
热特性
R
θ
JC
R
θ
JA
热阻，结点到外壳
热阻，结点到环境
（注1 ）
（注1A ）
（注1B ）
2.5
40
96
° C / W
° C / W
° C / W
包装标志和订购信息
器件标识
FDD5690
设备
FDD5690
带尺寸
13’’
胶带宽度
16mm
QUANTITY
2500
2002
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
FDD5690 ，牧师
C
FDD5690
电气特性
符号
W
DSS
I
AR
BV
DSS
ΔBV
DSS
T
J
I
DSS
I
GSSF
I
GSSR
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
测试条件
民
典型值
最大单位
90
30
mJ
A
V
毫伏/°C的
1
100
-100
A
nA
nA
开关特性
单脉冲漏源
V
DD
= 30 V，I
D
= 30 A
雪崩能量
最大漏源雪崩电流
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
零栅极电压漏极电流
门体漏电流，
前锋
门体漏电流，
反向
（注2 ）
V
GS
= 0 V，I
D
= 250
A
I
D
= 250μA ，引用至25℃
V
DS
= 48 V, V
GS
= 0 V
V
GS
= 20V, V
DS
= 0 V
V
GS
= -20 V, V
DS
= 0 V
60
57
基本特征
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
T
J
R
DS （ ON）
栅极阈值电压
栅极阈值电压
温度COEF网络cient
静态漏源
导通电阻
通态漏电流
正向跨导
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
A
I
D
= 250
μA ，引用
至25℃
V
GS
= 10 V，I
D
= 9 A
V
GS
= 10 V，I
D
9 = A，T
J
= 125°C
V
GS
= 6 V，I
D
= 8 A
V
GS
= 10 V, V
DS
= 5 V
V
DS
= 5 V，I
D
= 9 A
2
2.5
-6
0.023
0.032
0.026
4
V
毫伏/°C的
0.027
0.048
0.032
I
D（上）
g
FS
25
24
A
S
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
输入电容
输出电容
反向传输电容
（注2 ）
V
DS
= 25 V, V
GS
= 0 V
F = 1.0 MHz的
1110
150
75
pF
pF
pF
开关特性
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DD
= 30 V，I
D
= 1 A
V
GS
= 10 V ，R
根
= 6
10
9
24
10
18
18
39
18
32
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
DS
= 30 V，I
D
= 9 A
V
GS
= 10 V,
23
4
6.8
漏源二极管的特性和最大额定值
I
S
V
SD
最大连续漏源二极管的正向电流
漏源二极管正向
电压
V
GS
= 0 V，I
S
= 2.3 A
（注2 ）
2.3
0.75
1.2
A
V
注意事项：
1.
R
θJA
在这里的情况下热参考被定义为漏极标签的结到壳体和壳到环境的热阻之和。
R
θJC
由设计而
= CA
是通过用户的电路板的设计来确定。
一）R
θJA
安装时= 40℃ / W
在2盎司铜1平方英寸垫。
B ）R
θJA
上的最小= 96℃ / W的
安装垫。
在信纸尺寸的纸张1 ： 1规模
2.
脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
s,
占空比
≤
2.0%
FDD5690 ，牧师
C
商标
下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用的是
并非意在将所有这样的商标的详尽清单。
ACEX
FACT
ActiveArray
FACT静音系列
深不见底
快
CoolFET
FASTr
CROSSVOLT
FRFET
DOME
GlobalOptoisolator
EcoSPARK
GTO
2
TM
ê CMOS
HiSeC
EnSigna
TM
I
2
C
一刀切。周围的世界。
电源特许经营
可编程有源下垂
放弃
ImpliedDisconnect ？吃豆？
POP
等平面
Power247
LittleFET
的PowerTrench
的MicroFET
QFET
采用MicroPak
QS
MICROWIRE
QT光电
MSX
静音系列
MSXPro
RapidConfigure
OCX
RapidConnect
OCXPro
SILENT SWITCHER
OPTOLOGIC
SMART START
OPTOPLANAR
SPM
隐形
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
SyncFET
TinyLogic
TruTranslation
UHC
UltraFET
VCX
飞兆半导体公司保留随时修改而不进一步RIGHT
注意以下所有产品在提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD
不承担任何产品的应用或使用承担任何责任所产生的
或者电路本文描述;它也没有传达任何许可在其专利
权利，也没有他人的权利。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统没有FAIRCHILD半导体公司明确的书面批准。
如本文所用：
2.关键部件是在生命的任何组件
1.生命支持设备或系统的设备或
支持设备或系统，其故障执行能
其中， （ a）打算通过外科手术移植到系统中
可以合理预期造成的生命的失败
人体，或（b ）支持或维持生命，或（c ），其
支持设备或系统，或影响其安全性或
不履行时，按照正确使用
与标示中的使用说明，可以
有效性。
合理预期会导致显著伤害
用户。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
形成或
在设计
一是生产
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据，和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候，恕不另行通知，以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知，以便随时改进设计。
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
初步
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
牧师I1
QQ：2881677436 复制
