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FDMA3028N双N沟道PowerTrench

MOSFET

2011年6月

FDMA3028N

双N沟道PowerTrench

MOSFET

30 V ， 3.8 A， 68毫欧

特点

最大

DS （ ON）

= 68毫欧，在V

= 4.5 V，I

= 3.8 A

最大

DS （ ON）

= 88毫欧，在V

= 2.5 V，I

= 3.4 A

最大

DS （ ON）

= 123毫欧的V

= 1.8 V，I

= 2.9 A

低调 - 0.8 mm最大 - 在新包

的MicroFET 2×2毫米

符合RoHS

概述

这个装置是专具体来说作为一个单一封装解决方案

在蜂窝手机和其他双开关要求

超便携式应用。它配备了两个独立的

N沟道MOSFET的低导通电阻最低

传导损耗。这些新产品的2x2封装报价

其物理尺寸和出色的散热性能以及

适合于线性模式的应用程序。

销1

顶部

2×2的MicroFET

G2 S2

底部

MOSFET的最大额定值

= 25 C ，除非另有说明

符号

, T

英镑

漏源极电压

栅极至源极电压

漏电流 - 连续

-Pulsed

功耗

工作和存储结温范围

（注1A ）

（注1B ）

（注1A ）

参数

评级

±12

3.8

1.5

0.7

-55到+150

单位

°C

热特性

单操作热阻，结到环境

θJA

双操作热阻，结到环境

单操作热阻，结到环境

双操作热阻，结到环境

（注1A ）

（注1B ）

（注1C ）

（注1D ）

（注1E ）

（注1楼）

173

151

160

133

° C / W

包装标志和订购信息

器件标识

328

设备

FDMA3028N

包

2×2的MicroFET

带尺寸

7 ’’

胶带宽度

8 mm

QUANTITY

3000台

www.fairchildsemi.com

2011仙童半导体公司

FDMA3028N Rev.C2

FDMA3028N双N沟道PowerTrench

MOSFET

电气特性

= 25 C ，除非另有说明

符号

参数

测试条件

民

典型值

最大

单位

开关特性

DSS

ΔBV

DSS

ΔT

DSS

GSS

漏源击穿电压

击穿电压温度

系数

零栅极电压漏极电流

门源漏电流

= 250

μA,

= 0 V

= 250

μA,

参考25 ℃下

= 24 V, V

= 0 V

= ±12 V, V

= 0 V

±100

毫伏/°C的

μA

基本特征

GS （ TH）

ΔV

GS （ TH）

ΔT

门源阈值电压

温度COEF网络cient

= V

, I

= 250

μA

= 250

μA,

参考25 ℃下

= 4.5 V，I

= 3.8 A

DS （ ON）

静态漏极至源极导通电阻

= 2.5 V，I

= 3.4 A

= 1.8 V，I

= 2.9 A

= 4.5 V，I

= 3.8 A，T

= 125 °C

正向跨导

= 5 V，I

= 3.8 A

0.6

0.9

-3

123

108

mΩ

1.5

毫伏/°C的

动态特性

国际空间站

OSS

RSS

输入电容

输出电容

反向传输电容

栅极电阻

= 15 V, V

= 0 V,

F = 1 MHz的

282

2.4

375

开关特性

D（上）

D（关闭）

G（ TOT ）

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

总栅极电荷

门源费

栅漏“米勒”充电

= 15 V，I

= 3.8 A

= 5 V

= 15 V，I

= 3.8 A,

= 4.5 V ，R

根

= 6

5.3

2.5

3.7

0.4

5.2

漏源二极管的特性

源极到漏极二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

= 0 V，I

= 1.3 A

= 3.8 A， di / dt的= 100 A / μs的

（注2 ）

0.7

3.3

1.2

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MOSFET

电气特性

= 25 C ，除非另有说明

注意事项：

1. R

θJA

与安装在一个1的设备中确定

盎司铜焊盘上的1.5× 1.5的FR-4材料中。板。

θJC

由设计而

θJA

通过确定

用户的电路板设计。

（一）R

θJA

= 86℃ / W安装在1时

垫2盎司纯铜， 1.5 " ×1.5 " X 0.062 "厚的PCB 。对于单操作。

（二）R

θJA

=装在2盎司纯铜最小焊盘时， 173 ° C / W 。对于单操作。

（三）R

θJA

（四）R

θJA

（五）R

θJA

（六）R

θJA

= 69

装在一个1在C / W的时

垫2盎司纯铜， 1.5 “× 1.5 ”× 0.062 “厚的PCB 。对于双操作。

= 151

安装在2盎司纯铜最小焊盘当C / W 。对于双操作。

= 160

安装在30mm的时C / W的

垫2盎司纯铜。对于单操作。

= 133

安装在30mm的时C / W的

垫2盎司纯铜。对于双操作。

一。安装在86 ° C / W

在A 1

2盎司纯铜垫

B 。安装在173 ° C / W

2盎司纯铜最低垫

。安装在69 ° C / W

在A 1

2盎司纯铜垫

。安装在151 ° C / W

2盎司纯铜最低垫

。安装时160℃ / W的

30mm

2盎司纯铜垫

F。安装在133 ° C / W

30mm

2盎司纯铜

2.脉冲测试：脉冲宽度< 300我们，占空比< 2.0 ％

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MOSFET

典型特征

= 25 ° C除非另有说明

= 4.5 V

= 3.5 V

漏电流（ A）

归

漏极至源极导通电阻

2.5

= 1.8 V

脉冲持续时间= 80

占空比= 0.5 ％ MAX

= 3 V

=2.5 V

2.0

1.5

= 2.5 V

= 1.8 V

脉冲持续时间= 80

占空比= 0.5 ％ MAX

1.0

= 3 V

= 3.5 V

= 4.5 V

0.0

0.5

1.0

1.5

漏源极电压（ V）

2.0

0.5

漏极电流（ A）

图1.地区特点

图2.归一导通电阻

VS漏极电流和栅极电压

1.6

归

漏极至源极导通电阻

1.4

DS （ON ），

漏

源导通电阻

(

)

= 3.8 A

= 4.5 V

200

脉冲持续时间= 80

占空比= 0.5 ％ MAX

150

= 3.8 A

= 125

1.2

1.0

0.8

0.6

-75

100

= 25

-50

-25

25 50 75 100 125 150

结温

(

)

1.5

2.0

2.5

3.0

3.5

4.0

4.5

门源电压（ V）

图3.归一导通电阻

VS结温

，反向漏电流（ A）

图4.导通电阻与栅极到

源极电压

脉冲持续时间= 80

占空比= 0.5 ％ MAX

= 0 V

，漏电流（ A）

= 5 V

= 150

= 25

= 150

0.1

= 25

= -55

0.01

= -55

0.001

0.0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

，门源电压（ V）

，体二极管正向电压（ V）

图5.传输特性

图6.源极到漏极二极管

正向电压随电流源

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MOSFET

典型特征

= 25 ° C除非另有说明

，门源电压（ V）

500

= 3.8 A

= 10 V

= 15 V

电容（pF）

国际空间站

= 20 V

100

OSS

RSS

F = 1 MHz的

= 0 V

，栅极电荷（ NC）

0.1

，漏源极电压（ V）

图7.栅极电荷特性

图8.电容VS漏

至源极电压

100

(

)

瞬态峰值功率（ W）

，漏电流（ A）

单脉冲

= 173

C / W

= 25

100

这个区域是

限于由R

DS （ ON）

1毫秒

10毫秒

100毫秒

10 s

0.1

单脉冲

=最大额定

= 173

C / W

= 25

0.5

-4

-3

0.01

0.1

100

-2

-1

100

1000

，漏源极电压（ V）

T，脉冲宽度（秒）

图9.正向偏置安全

工作区

图10.单脉冲最大

功耗

归热

阻抗Z

占空比，降序排列

0.1

D = 0.5

0.2

0.1

0.05

0.02

0.01

单脉冲

= 173 C / W

注意事项：

DUTY因子：D = T

PEAK牛逼

= P

X Z

θJA

个R

θJA

+ T

0.01

0.005

-4

-3

-2

-1

100

1000

吨，矩形脉冲持续时间（秒）

图11.结至环境瞬态热响应曲线

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