1999年7月
FDG6301N
双N通道FET数字
概述
这些双N沟道逻辑电平增强模式
场效应晶体管都采用飞兆半导体生产的
专有的,高密度, DMOS技术。这
非常高密度的工艺特别适合于
最大限度地减少通态电阻。该装置已
特别是对于低电压应用中作为设计
替代双极数字晶体管和小
信号的MOSFET。
特点
25 V , 0.22连续, 0.65高峰。
R
DS ( ON)
= 4
@ V
GS
= 4.5 V,
R
DS ( ON)
= 5
@ V
GS
= 2.7 V.
非常低的水平栅极驱动要求可直接
在3 V的电路操作(V
GS ( TH)
< 1.5V) 。
门源齐纳的ESD耐用性
( >6kV人体模型) 。
紧凑的工业标准SC70-6表面贴装
封装。
SC70-6
SOT-23
SuperSOT
TM
-6
SuperSOT
TM
-8
SO-8
SOT-223
D1
G2
S2
1或4的
*
.01
2或5
6或3
SC70-6
S1
G1
D2
3或6
5或2
4或1
*
*
引脚排列是对称的;管脚1和4可以互换。
在载体内的单位可以是定向的,并且不会影响设备的功能。
绝对最大额定值
符号
参数
T
A
= 25 ° C除非另有说明
FDG6301N
单位
V
DSS
V
GSS
I
D
P
D
T
J
,T
英镑
ESD
漏源电压
栅源电压
漏/输出电流
- 连续
- 脉冲
最大功率耗散
(注1 )
25
8
0.22
0.65
0.3
-55到150
6.0
V
V
A
W
°C
kV
工作和存储温度范围
静电放电额定值MIL -STD- 883D
人体模型( 100 PF / 1500
)
热阻,结到环境
热特性
R
θJA
415
° C / W
FDG6301N Rev.E
1
电气特性
(T
A
= 25
O
C除非另有说明)
符号
参数
条件
民
典型值
最大
单位
开关特性
BV
DSS
漏源击穿电压
击穿电压温度。系数
零栅极电压漏极电流
V
GS
= 0 V,I
D
= 250 A
I
D
= 250 μA ,参考25
o
C
V
DS
= 20 V, V
GS
= 0 V
T
J
= 55°C
V
GS
= 8 V, V
DS
= 0 V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
I
D
= 250 μA ,参考25℃
V
GS
= 4.5 V,I
D
= 0.22 A
T
J
=125°C
V
GS
= 2.7 V,I
D
= 0.19 A
o
25
25
1
10
100
V
毫伏/
o
C
A
A
nA
BV
DSS
/
T
J
I
DSS
I
GSS
V
GS ( TH)
门 - 体泄漏电流
基本特征
(注2 )
栅极阈值电压
栅极阈值电压Temp.Coefficient
静态漏源导通电阻
0.65
0.85
-2.1
2.6
5.3
3.7
1.5
V
毫伏/
o
C
V
GS ( TH)
/
T
J
R
DS ( ON)
4
7
5
I
D(上)
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
I
S
V
SD
通态漏电流
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输电容
打开 - 延迟时间
打开 - 上升时间
打开 - 关闭延迟时间
打开 - 关闭下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
最大连续电流源
漏源二极管的正向电压
V
GS
= 4.5 V, V
DS
= 5 V
V
DS
= 5 V,I
D
= 0.22 A
V
DS
= 10 V, V
GS
= 0 V,
F = 1.0 MHz的
0.22
0.2
9.5
6
1.3
A
S
pF
pF
pF
10
10
8
7
0.4
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
0.25
A
V
动态特性
开关特性
(注2 )
V
DD
= 5 V,I
D
= 0.5 A,
V
GS
= 4.5 V ,R
根
= 50
5
4.5
4
3.2
V
DS
= 5 V,I
D
= 0.22 A,
V
GS
= 4.5 V
0.29
0.12
0.03
漏源二极管的特性和最大额定值
V
GS
= 0 V,I
S
= 0.25 A
(注2 )
0.8
1.2
注意事项:
1. R
θ
JA
在这里的情况下热参考被定义为漏极引脚的焊锡安装表面的结到壳体和壳到环境的热阻之和。
θ
JC
保证
通过设计,同时
θ
CA
是通过用户的电路板的设计来确定。
θ
JA
= 415
O
最低垫在静止空气中安装在FR- 4电路板C / W。
2.脉冲测试:脉冲宽度< 300μS ,占空比< 2.0 % 。
FDG6301N Rev.E
1