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1999年7月
FDG6301N
双N通道FET数字
概述
这些双N沟道逻辑电平增强模式
场效应晶体管都采用飞兆半导体生产的
专有的,高密度, DMOS技术。这
非常高密度的工艺特别适合于
最大限度地减少通态电阻。该装置已
特别是对于低电压应用中作为设计
替代双极数字晶体管和小
信号的MOSFET。
特点
25 V , 0.22连续, 0.65高峰。
R
DS ( ON)
= 4
@ V
GS
= 4.5 V,
R
DS ( ON)
= 5
@ V
GS
= 2.7 V.
非常低的水平栅极驱动要求可直接
在3 V的电路操作(V
GS ( TH)
< 1.5V) 。
门源齐纳的ESD耐用性
( >6kV人体模型) 。
紧凑的工业标准SC70-6表面贴装
封装。
SC70-6
SOT-23
SuperSOT
TM
-6
SuperSOT
TM
-8
SO-8
SOT-223
D1
G2
S2
1或4的
*
.01
2或5
6或3
SC70-6
S1
G1
D2
3或6
5或2
4或1
*
*
引脚排列是对称的;管脚1和4可以互换。
在载体内的单位可以是定向的,并且不会影响设备的功能。
绝对最大额定值
符号
参数
T
A
= 25 ° C除非另有说明
FDG6301N
单位
V
DSS
V
GSS
I
D
P
D
T
J
,T
英镑
ESD
漏源电压
栅源电压
漏/输出电流
- 连续
- 脉冲
最大功率耗散
(注1 )
25
8
0.22
0.65
0.3
-55到150
6.0
V
V
A
W
°C
kV
工作和存储温度范围
静电放电额定值MIL -STD- 883D
人体模型( 100 PF / 1500
)
热阻,结到环境
热特性
R
θJA
415
° C / W
FDG6301N Rev.E
1
电气特性
(T
A
= 25
O
C除非另有说明)
符号
参数
条件
典型值
最大
单位
开关特性
BV
DSS
漏源击穿电压
击穿电压温度。系数
零栅极电压漏极电流
V
GS
= 0 V,I
D
= 250 A
I
D
= 250 μA ,参考25
o
C
V
DS
= 20 V, V
GS
= 0 V
T
J
= 55°C
V
GS
= 8 V, V
DS
= 0 V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
I
D
= 250 μA ,参考25℃
V
GS
= 4.5 V,I
D
= 0.22 A
T
J
=125°C
V
GS
= 2.7 V,I
D
= 0.19 A
o
25
25
1
10
100
V
毫伏/
o
C
A
A
nA
BV
DSS
/
T
J
I
DSS
I
GSS
V
GS ( TH)
门 - 体泄漏电流
基本特征
(注2 )
栅极阈值电压
栅极阈值电压Temp.Coefficient
静态漏源导通电阻
0.65
0.85
-2.1
2.6
5.3
3.7
1.5
V
毫伏/
o
C
V
GS ( TH)
/
T
J
R
DS ( ON)
4
7
5
I
D(上)
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
I
S
V
SD
通态漏电流
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输电容
打开 - 延迟时间
打开 - 上升时间
打开 - 关闭延迟时间
打开 - 关闭下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
最大连续电流源
漏源二极管的正向电压
V
GS
= 4.5 V, V
DS
= 5 V
V
DS
= 5 V,I
D
= 0.22 A
V
DS
= 10 V, V
GS
= 0 V,
F = 1.0 MHz的
0.22
0.2
9.5
6
1.3
A
S
pF
pF
pF
10
10
8
7
0.4
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
0.25
A
V
动态特性
开关特性
(注2 )
V
DD
= 5 V,I
D
= 0.5 A,
V
GS
= 4.5 V ,R
= 50
5
4.5
4
3.2
V
DS
= 5 V,I
D
= 0.22 A,
V
GS
= 4.5 V
0.29
0.12
0.03
漏源二极管的特性和最大额定值
V
GS
= 0 V,I
S
= 0.25 A
(注2 )
0.8
1.2
注意事项:
1. R
θ
JA
在这里的情况下热参考被定义为漏极引脚的焊锡安装表面的结到壳体和壳到环境的热阻之和。
θ
JC
保证
通过设计,同时
θ
CA
是通过用户的电路板的设计来确定。
θ
JA
= 415
O
最低垫在静止空气中安装在FR- 4电路板C / W。
2.脉冲测试:脉冲宽度< 300μS ,占空比< 2.0 % 。
FDG6301N Rev.E
1
典型电气特性
0.5
I
D
,漏源电流(A )
5
3.5V
3.0V
0.3
R
DS ( ON)
归一化
0.4
漏源导通电阻
V
GS
=4.5V
4.5
4
3.5
V
GS
= 2.5V
2.7V
3.0V
3.5V
2.7V
2.5V
0.2
3
2.5
2
4.0V
4.5V
5.0V
2.0V
0.1
0
0
1
2
3
4
5
V
DS
,漏源电压(V )
0
0.1
0.2
I
D
,漏电流( A)
0.3
0.4
图1.区域特征
.
图2.导通电阻变化与
漏电流和栅极电压
.
1.8
漏源导通电阻
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0.6
-50
20
R
DS ( ON)
归一化
V
GS
= 4.5V
R
DS ( ON)
,导通电阻( OHM )
I
D
= 0.22A
I
D
= 0.10A
16
12
8
T
A
=125°C
4
25°C
0
1
2
3
4
5
V
GS
,门源电压( V)
-25
0
J
25
50
75
100
125
150
T,结温( ° C)
图3.导通电阻变化
与温度。
图4.导通电阻变化与
栅极 - 源极电压。
V
DS
= 5V
I
D
,漏电流( A)
0.15
T
J
= -55°C
25°C
125°C
I
S
,反向漏电流( A)
0.2
0.4
V
GS
= 0V
0.1
T
J
= 125°C
0.01
0.1
25°C
-55°C
0.001
0.05
0
0.5
0.0001
1
1.5
2
2.5
3
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
五,门源电压( V)
GS
V
SD
,体二极管正向电压( V)
图5.传输特性。
图6.体二极管正向电压
变化与源电流
和温度。
FDG6301N Rev.E1
典型电气特性
(续)
6
V
GS
,栅源电压(V )
30
I
D
= 0.22A
5
4
3
2
1
0
0
0.1
0.2
V
DS
= 5V
10V
电容(pF)
15
西塞
8
科斯
5
CRSS
3
2
0.1
F = 1 MHz的
V
GS
= 0 V
0.3
1
3
10
25
V
DS
,漏源极电压( V)
0.3
0.4
0.5
0.6
Q
g
,栅极电荷( NC)
图7.栅极电荷特性。
图8.电容特性
.
1
50
I
D
,漏电流( A)
0.3
S
RD
(O
N
IM
)L
IT
10m
s
10
0m
s
功率(W)的
40
单脉冲
R
θ
JA
=415°C/W
T
A
= 25°C
0.1
1s
30
0.03
V
GS
= 4.5V
单脉冲
R
θ
JA
= 415 ° C / W
T
A
= 25°C
0.8
2
5
10
s
DC
20
10
0.01
0.4
10
25
40
0
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
200
V
DS
,漏源电压(V )
单脉冲时间(秒)
图9.最高安全工作区。
图10.单脉冲最大功率
耗散。
1
瞬态热阻
R(T ) ,规范有效
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.005
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
单脉冲
P( PK)
R
θ
JA
(吨) = R (t)的R *
θ
JA
R
θ
JA
=415
° C / W
t
1
t
2
T
J
- T
A
= P * R
θ
JA
(t)
占空比D = T
1
/ t
2
0.002
0.0001
0.001
0.01
0.1
t
1
,时间(秒)
1
10
100
200
图11.瞬态热响应曲线。
热特性进行使用注意事项1所述的条件。
瞬态热响应将取决于电路板的设计变化。
FDG6301N Rev.E1
SC70-6带和卷轴数据和封装尺寸
SC70-6封装
CON组fi guration :
图1.0
自定义标签
包装说明:
SC70-6部件运带。载带是
从耗散取得(碳填写)聚碳酸酯
树脂。盖带是一种多层膜(热激活
粘合剂的性质) ,主要由聚酯薄膜,
粘合剂层,密封剂和防静电喷洒剂。
在标准选项,这些摇摇晃晃的部分是随
3000个单位7"或177厘米卷筒直径。卷轴是
深蓝色的颜色,是由聚苯乙烯塑料(抗
静电涂层) 。其他选项来10000个单位13"
或330厘米卷筒直径。这与一些其他选项是
在包装信息表中描述。
这些完整卷轴是单独的条码标签和
放置在由一个比萨饼盒(如图1.0所示)
与飞兆半导体的标志可回收瓦楞纸牛皮纸
打印。一个比萨盒包含最多三个卷轴。
而这些比萨饼盒被放置在一个条形码内
标记发货箱,有不同的尺寸
取决于部件运数。
防静电盖带
F63TNR
静电消散
LABEL
压纹载带
21
21
SC70-6封装信息
包装选项
包装类型
每卷/管材/袋数量
带尺寸
箱尺寸(mm )
每箱数量最多
每单位重量(克)
每卷重量(kg )
注/评论
标准
(无流量代码)
TNR
3,000
7"迪亚
184x187x47
9,000
0.0055
0.1140
D87Z
TNR
10,000
13"
343x343x64
30,000
0.0055
0.3960
21
21
21
销1
SC70-6单位座向
343毫米X 342毫米X 64毫米
为D87Z选项框的中间
F63TNR条码标签
F63TNR
LABEL
F63TNR标签样本
184毫米X 187毫米毫米x 47毫米
比萨盒的标准选
F63TNR
LABEL
LOT : CBVK741B019
FSID : FDG6302P
数量: 3000
产品规格:
D / C1 : D9842
D / C2 :
QTY1 :
QTY2 :
SPEC REV :
CPN :
N / F: F
(F63TNR)3
SC70-6带片头和片尾
CON组fi guration :
图2.0
载带
盖带
组件
拖车带
300毫米最小或
75皆空
引导带
500毫米最小或
125皆空
1999年8月,版本C
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批号
数量
封装
单价/备注
操作
    QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ:2369405325 复制

    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    FDG6301N
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2880133232 复制 点击这里给我发消息 QQ:2880133232 复制 点击这里给我发消息 QQ:2880133232 复制

电话:0755-83202411
联系人:杨泽鹏
地址:深圳市福田区 汉国中心55楼
FDG6301N
Fairchild(飞兆/仙童)
22+
6693
原装原厂公司现货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:953787052 复制 点击这里给我发消息 QQ:849036869 复制

电话:15899765957 19573525995
联系人:朱小姐
地址:深圳市福田区华强北街道华航社区海外装饰大厦B座539
FDG6301N
ON(安森美)
24+
9600
SC-70-6
原装正品热卖
QQ:
电话:0755-82574045
联系人:张女士
地址:广东省深圳市福田区华强北赛格广场66楼6608B
FDG6301N
ON
2125+
75000
SC70-6
只做原装实单申请
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2276945435 复制 点击这里给我发消息 QQ:2801615837 复制

电话:0755-82522939
联系人:彭小姐
地址:广东省深圳市福田区福华路嘉汇新汇商中心1020
FDG6301N
ON
3000
22+
原包装原标现货,假一罚十,
0.1
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:421123133 复制

电话:13410941925
联系人:李先生【原装正品,可开发票】
地址:深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋1511A12
FDG6301N
ON(安森美)
24+
7800
SC-70-6
原装正品现货,可开增值税专用发票
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881443942 复制

电话:0755-83291010 83678410
联系人:赵小姐
地址:深圳市福田区华强北华联发大厦西座402
FDG6301N
FAIRCHILD
22+
33000
363
全新百分百进口正品原装现货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1337449016 复制 点击这里给我发消息 QQ:851428111 复制

电话:0755-23051326
联系人:张先生
地址:深圳市福田区华强北佳和大厦A座11B03室
FDG6301N
FAIRCHILD/仙童
2023+
6815
SOT-363
专注进口原装,公司现货出售
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:229754250 复制

电话:0755-83254070/18680328178
联系人:李小姐
地址:深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛格科技工业园4栋9层9B10房
FDG6301N
Onsemi
新年份
15000
NA
原装现货质量保证,可出样品可开税票
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电话:0755-23991909
联系人:林裕忠
地址:深圳市福田区中航路国利大厦新亚洲电子市场二期N4C478房间
FDG6301N
ON(安森美)
24+
8000
SC-70-6
全新原装正品,热卖价优
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电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:何小姐
地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
FDG6301N
FAIRCHILD
21+
15000.00
SOT363
全新原装正品/质量有保证
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