FDB8444TS的N-沟道PowerTrench
MOSFET和温度传感器
2007年8月
FDB8444TS
N沟道PowerTrench MOSFET的带温度传感器
40V ， 70A ， 5mΩ的
特点
典型
DS （ ON）
= 3.8mΩ在V
GS
= 10V ，我
D
= 70A
典型Q
G（ TOT ）
= 130nC在V
GS
= 10V
低米勒电荷
低Q
rr
体二极管
UIS能力（单脉冲，重复脉冲）
符合AEC Q101
符合RoHS
tm
应用
汽车引擎控制
动力管理
电磁阀和电机驱动器
电子变速箱
分布式电源架构和VRM的
主开关的12V系统
TO263 5 LEADS
2007
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
FDB8444TS版本A （ W）
1
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FDB8444TS的N-沟道PowerTrench
MOSFET和温度传感器
MOSFET的最大额定值
T
C
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
DSS
漏源极电压
V
GS
I
D
E
AS
P
D
栅极至源极电压
漏电流连续（T
C
= 140℃ ，V
GS
= 10V)
o
o
参数
评级
40
±20
70
20
参见图4
（注1 ）
439
181
1.2
-55到+175
o
单位
V
V
A
mJ
W
W/
o
C
o
C
连续（T
AMB
= 25℃ ，V
GS
= 10V ，其中R
θJA
= 43 ℃/ W）
脉冲
单脉冲雪崩能量
功耗
减免上述25
o
C
T
J
, T
英镑
工作和存储温度
热特性
R
θJC
R
θJA
热阻结到外壳
热阻结到环境TO- 263 ， 1英寸的铜焊盘面积
2
0.83
43
o
o
C / W
C / W
包装标志和订购信息
器件标识
FDB8444TS
设备
FDB8444TS
包
TO- 263 5LDS
带尺寸
330mm
胶带宽度
24mm
QUANTITY
800个
电气特性
T
C
= 25 ° C除非另有说明
符号
参数
测试条件
民
典型值
最大
单位
开关特性
B
VDSS
I
DSS
I
GSS
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0V
V
DS
= 32V,
V
GS
= 0V
V
GS
= ±20V
T
C
= 150 C
o
40
-
-
-
-
-
-
-
-
1
250
±100
V
μA
nA
基本特征
V
GS （ TH）
r
DS （ ON）
门源阈值电压
漏极至源极导通电阻
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250μA
I
D
= 70A ，V
GS
= 10V
I
D
= 70A ，V
GS
= 10V,
T
J
= 175
o
C
2
-
-
2.8
3.8
6.5
4
5
8.5
mΩ
V
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
G
Q
G（ TOT ）
Q
g(10)
Q
G（ TH ）
Q
gs
Q
gs2
Q
gd
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
总栅极电荷，在20V
总栅极电荷，在10V
阈值的栅极电荷
门源栅极电荷
栅极电荷阈值，以高原
栅漏“米勒”充电
V
DS
= 25V, V
GS
= 0V,
F = 1MHz的
F = 1MHz的
V
GS
= 0到20V
V
GS
= 0至10V
V
GS
= 0 2V
V
DD
= 20V
I
D
= 70A
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
8410
765
485
1.8
260
130
15.5
33
17.7
30
-
-
-
-
338
169
-
-
-
-
pF
pF
pF
Ω
nC
nC
nC
nC
nC
nC
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FDB8444TS的N-沟道PowerTrench
MOSFET和温度传感器
电气特性
T
C
= 25
o
C除非另有说明
符号
参数
测试条件
民
典型值
最大
单位
开关特性
t
on
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
关闭
开启时间
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
打开-O FF时间
V
DD
= 20V ，我
D
= 70A
V
GS
= 10V ，R
GS
= 2Ω
-
-
-
-
-
-
-
14.6
19.1
44
17.3
-
96
-
-
-
-
98
ns
ns
ns
ns
ns
ns
漏源二极管的特性
V
SD
t
rr
Q
rr
源极到漏极二极管电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
I
SD
= 70A
I
SD
= 40A
I
SD
= 70A ，二
SD
/ DT = 100A / μs的
-
-
-
-
1.0
0.9
51
70
1.25
1.0
66
91
V
ns
nC
温度检测二极管的特性
V
f
S
f
温度检测二极管电压
温度检测二极管
温度COEF网络cient
I
f
= 1毫安
I
f
= 1mA时， -55
o
<牛逼
J
< 175
o
C
1.58
-2.55
1.61
-2.74
1.63
-3.11
V
毫伏/
o
C
注意事项：
1:
起始物为
J
= 25
o
C，L = 0.28mH ，我
AS
= 56A.
该产品的设计，以满足极端测试条件和环境，汽车行业要求。为
的要求的副本，请参阅AEC Q101在： http://www.aecouncil.com/
所有飞兆半导体产品的制造，在ISO9000和QS9000质量体系的组装和测试
认证。
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FDB8444TS的N-沟道PowerTrench
MOSFET和温度传感器
典型特征
功耗MULIPLIER
1.2
I
D
，漏电流（ A）
160
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
电流限制
按封装
V
GS
= 10V
120
80
40
0
25
50
75
100
125
150
T
C
，外壳温度
(
o
C
)
175
0
25
50
75
100
125
150
o
C
)
T
C
，外壳温度
(
175
图1 。
归功耗与案例
温度
2
1
归热
阻抗Z
θ
JC
占空比 - 降序排列
D = 0.50
0.20
0.10
0.05
0.02
0.01
图2中。
最大连续漏极电流与
外壳温度
0.1
P
DM
t
1
t
2
注意事项：
DUTY因子：D = T
1
/t
2
PEAK牛逼
J
= P
DM
X Z
θJC
个R
θJC
+ T
C
0.01
1E-3
-5
10
单脉冲
10
-4
网络连接gure 3 。
归一化的最大瞬态热阻抗
5000
10
10
10
吨，矩形脉冲持续时间（ S）
-3
-2
-1
10
0
10
1
V
GS
= 10V
跨
可能限流
在这个区域
T
C
= 25
o
C
对于温度
上述25
o
C减免PEAK
当前，如下所示：
I = I
2
175 - T
C
150
I
DM
,
峰值电流（ A）
1000
100
单脉冲
10
-5
10
10
-4
10
10
10
吨，矩形脉冲持续时间（ S）
-3
-2
-1
10
0
10
1
图4中。
峰值电流能力
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4
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MOSFET和温度传感器
典型特征
1000
10us
500
I
AS
，雪崩电流（ A）
I
D
，漏电流（ A）
100
100
如果R = 0
t
AV
= （L）（我
AS
） / （ 1.3 *额定BV
DSS
- V
DD
)
若R
≠
0
t
AV
= （ L / R） LN [（我
AS
* R ） / （ 1.3 *额定BV
DSS
- V
DD
) +1]
100us
10
有限
按封装
起始物为
J
= 25
o
C
10
起始物为
J
= 150
o
C
1
操作在此
区域可以
限制根据RDS （ ON）
单脉冲
TJ =最大额定
o
TC = 25℃
1ms
10ms
DC
0.1
1
10
V
DS
，漏源极电压（ V）
100
1
0.01
0.1
1
10
100
1000 5000
t
AV
，一次雪崩（毫秒）
注意：
参见飞兆半导体应用笔记AN7514和AN7515
图5中。
正向偏置安全工作区
图6.松开电感式开关
能力
140
I
D
，漏电流（ A）
120
100
80
60
40
20
V
GS
= 20V
V
GS
= 10V
V
GS
= 5V
V
GS
= 4.5V
脉冲持续时间= 80
μ
s
占空比= 0.5 ％ MAX
140
I
D
，漏电流（ A）
120
100
80
60
40
20
脉冲持续时间= 80
μ
s
占空比= 0.5 ％ MAX
V
DD
= 5V
T
J
= 175 C
o
T
J
= 25
o
C
T
J
= -55
o
C
0
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
0
0
V
GS
，门源电压（ V）
1
2
3
V
DS
，漏源极电压（ V）
4
图7 。
传输特性
网络连接gure 8 。
饱和特性
r
DS （ ON）
，漏极到源极
导通电阻
(
m
Ω
)
I
D
=
70A脉冲持续时间= 80
μ
s
占空比= 0.5 ％ MAX
归
漏极至源极导通电阻
10
8
6
4
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
-80
I
D
= 70A
V
GS
= 10V
脉冲持续时间= 80
μ
s
占空比= 0.5 ％ MAX
T
J
= 175 C
o
T
J
= 25
o
C
2
0
4
8
12
16
20
V
GS
，门源电压
(
V
)
-40
0
40
80
120
160
T
J
，结温
(
o
C
)
200
图9 。
漏极至源极导通电阻
变异VS门源电压
网络连接gure 10 。
归漏极至源极导
电阻与结温
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