FCH041N60F 600V N沟道MOSFET ， FRFET
2013年3月
FCH041N60F
600V N沟道MOSFET ， FRFET
特点
R
DS （ ON）
= 36mΩ
（典型值）
超低栅极电荷（典型值Q
g
=277nC)
低有效输出电容
100 ％雪崩测试
符合RoHS
的SuperFET II
描述
的SuperFET
二是， Farichild专有的新一代高
这是利用一种先进的充电电压MOSFET系列
对导通电阻和低杰出的低的制衡机制
栅极充电性能。
这种先进的技术已经针对减少
导通损耗，提供出色的开关性能，并
承受极端的dv / dt率和较高的雪崩能量。
因此，的SuperFET
II是非常适合于各种交流/直流
在开关模式工作的系统电源转换
小型化和更高的效率。
D
G
克
S
TO-247
S
MOSFET的最大额定值
T
C
= 25
o
C除非另有说明*
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DM
E
AS
I
AR
E
AR
dv / dt的
P
D
T
J
, T
英镑
T
L
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
漏电流
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
MOSFET的dv / dt
峰值二极管恢复的dv / dt
功耗
(T
C
= 25
o
C)
- 减免上述25
o
C
参数
-dc
-AC
- 连续（T
C
= 25
o
C)
- 脉冲
- 连续（T
C
= 100
o
C)
（注1 ）
（注2 ）
（注1 ）
（注1 ）
（注3）
(f>1Hz)
FCH041N60F
600
±20
30
76
48.1
228
2025
15
5.95
100
50
595
4.76
-55到+150
300
单位
V
V
A
A
mJ
A
mJ
V / ns的
W
W/
o
C
o
C
o
C
工作和存储温度范围
最大无铅焊接温度的目的，
1/8 ？从案例5秒
热特性
符号
R
θJC
R
θJA
参数
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
FCH041N60F
0.21
40
单位
o
C / W
2013仙童半导体公司
FCH041N60F牧师C3
1
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FCH041N60F 600V N沟道MOSFET ， FRFET
包装标志和订购信息
器件标识
FCH041N60F
设备
FCH041N60F
包
TO-247
带尺寸
-
胶带宽度
-
QUANTITY
30
电气特性
T
C
= 25
o
C除非另有说明
符号
参数
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
开关特性
BV
DSS
ΔBV
DSS
ΔT
J
I
DSS
I
GSS
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
零栅极电压漏极电流
门到身体漏电流
I
D
= 10毫安，V
GS
= 0V ，T
J
= 25
o
C
I
D
= 10毫安，V
GS
= 0V ，T
J
=
I
D
= 10毫安，参考25
o
C
V
DS
= 480V ，T
C
= 125
o
C
V
GS
= ±20V, V
DS
= 0V
V
DS
= 480V, V
GS
= 0V
600
650
-
-
-
-
-
-
0.67
-
-
-
-
-
-
1
10
±100
V
V
V/
o
C
μA
nA
150
o
C
基本特征
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
FS
栅极阈值电压
静态漏极至源极导通电阻
正向跨导
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250μA
V
GS
= 10V ，我
D
= 38A
V
DS
= 20V ，我
D
= 38A
（注4 ）
3
-
-
-
36
64.5
5
41
-
V
mΩ
S
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS
C
OSS
EFF 。
Q
G（ TOT ）
Q
gs
Q
gd
ESR
输入电容
输出电容
反向传输电容
输出电容
有效输出电容
总栅极电荷，在10V
门源栅极电荷
栅漏“米勒”充电
等效串联电阻
V
DS
= 380V ，我
D
= 38A
V
GS
= 10V
（注4 ）
V
DS
= 100V, V
GS
= 0V
F = 1MHz的
V
DS
= 380V, V
GS
= 0V ， F = 1.0MHz的
V
DS
= 0V至480V ，V
GS
= 0V
-
-
-
-
-
-
-
-
-
10800
324
4.5
185
748
277
65.3
116
1
14365
430
-
-
-
360
-
-
-
pF
pF
pF
pF
pF
nC
nC
nC
f=1MHz
开关特性
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
V
DD
= 380V ，我
D
= 38A
R
根
= 4.7Ω
（注4 ）
-
-
-
-
63
66
244
53
136
142
498
116
ns
ns
ns
ns
漏源二极管的特性
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
最大连续漏极至源极二极管的正向电流
最大脉冲漏极至源极二极管的正向电流
漏极至源极二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
V
GS
= 0V时，我
SD
= 38A
V
GS
= 0V时，我
SD
= 38A
dI
F
/ DT = 100A / μs的
（注4 ）
-
-
-
-
-
-
-
-
190
1490
77
231
1.2
-
-
A
A
V
ns
nC
注意事项：
1.重复评价：脉冲宽度有限的最高结温
2. I
AS
= 15A ，R
G
= 25Ω ，起始物为
J
= 25°C
3. I
SD
≤
38A ， di / dt的
≤
200A / μs的，V
DD
≤
380V ，起始物为
J
= 25°C
4.基本上是独立的工作温度典型特征
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FCH041N60F 600V N沟道MOSFET ， FRFET
典型性能特性
图1.区域特征
1000
V
GS
=
15.0V
10.0V
8.0V
7.0V
6.5V
6.0V
5.5V
5.0V
图2.传输特性
250
100
*注意：
1. V
DS
= 20V
2. 250
μ
s脉冲测试
I
D
，漏电流[ A]
I
D
，漏电流[ A]
100
10
25 C
150 C
o
o
10
-55 C
o
1
1
*注意：
1. 250
μ
s脉冲测试
2. T
C
= 25 C
o
0.1
0.05 0.1
0.1
1
V
DS
，漏源电压[V]
10
20
2
4
6
V
GS
，栅源电压[V]
8
图3.导通电阻变化对比
漏电流和栅极电压
60
55
50
45
V
GS
= 10V
图4.体二极管正向电压
变化与源电流
和温度
250
100
R
DS （ ON）
[m
Ω
],
漏源导通电阻
I
S
，反向漏电流[ A]
150 C
o
10
25 C
o
40
V
GS
= 20V
1
*注意：
1. V
GS
= 0V
35
30
0
50
*注：t
C
= 25 C
100
150
I
D
，漏电流[ A]
200
250
o
0.1
0.1
2. 250
μ
s脉冲测试
0.4
0.8
1.2
V
SD
，体二极管正向电压[ V]
1.6
图5.电容特性
10
5
图6.栅极电荷特性
10
V
GS
，栅源电压[V]
C
国际空间站
10
电容[ pF的]
4
8
10
3
C
OSS
西塞=的Cgs + Cgd的（CDS =短路）
COSS =硫化镉+ Cgd的
CRSS = Cgd的
V
DS
= 120V
V
DS
= 300V
V
DS
= 480V
6
10
2
4
C
RSS
10
1
*注意：
1. V
GS
= 0V
2， F = 1MHz的
0
2
10
0
100
200
300
400
500
V
DS
，漏源电压[V]
600
0
0
50
*注：我
D
= 38A
100
150
200
250
Q
g
，总栅极电荷[ NC ]
300
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典型性能特性
（续）
图7.击穿电压变化
与温度的关系
1.15
图8.导通电阻变化
与温度的关系
2.5
BV
DSS
， [归]
漏源击穿电压
1.10
R
DS （ ON）
， [归]
漏源导通电阻
2.0
1.05
1.5
1.00
1.0
*注意：
1. V
GS
= 10V
2. I
D
= 38A
0.95
*注意：
1. V
GS
= 0V
2. I
D
= 10毫安
0.90
-80
-40
0
40
80
120
o
T
J
，结温[C]
160
0.5
-80
-40
0
40
80
120
o
T
J
，结温[C]
160
图9.最高安全工作区
与外壳温度
500
图10.最大漏极电流
80
I
D
，漏电流[ A]
100
10
μ
s
100
μ
s
1ms
10ms
DC
I
D
，漏电流[ A]
60
V
GS
= 10V
10
40
在这一领域
由R有限公司
DS （ ON）
1
*注意：
1. T
C
= 25 C
2. T
J
= 150 C
3.单脉冲
o
o
20
R
θ
JC
= 0.21 C / W
o
0.1
0.1
10
100
V
DS
，漏源电压[V]
1
1000
0
25
50
75
100
125
o
T
C
，外壳温度[C]
150
图11. EOSS与漏极至源极电压
45
36
E
OSS
, [
μ
J]
27
18
9
0
0
100
200
300
400
500
V
DS
，漏源极电压[ V]
600
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典型性能特性
（续）
图12.瞬态热响应曲线
0.3
热响应[Z
θ
JC
]
0.1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
单脉冲
P
DM
t
1
t
2
o
*注意：
1. Z
θ
JC
（ T） = 0.21 ℃/ W（最大值） 。
2.占空比，D = T
1
/t
2
3. T
JM
- T
C
= P
DM
* Z
θ
JC
(t)
0.01
-5
10
10
-4
10
10
矩形脉冲持续时间（秒）
-3
-2
10
-1
10
0
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