IGBT -模块
Kollektor发射极 - Sperrspannung
Kollektor - Dauergleichstrom
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
Gesamt - Verlustleistung
栅射极Spitzenspannung
Dauergleichstrom
Periodischer Spitzenstrom
隔离， Prüfspannung
FD 400 R 16 KF4
集电极 - 发射极电压
DC集电极电流
重复峰值集电极电流
总功耗
栅极 - 发射极电压峰值
直流正向电流
重复峰值FORW 。当前
绝缘测试电压
V
CES
I
C
I
CRM
P
合计
V
GE
I
F
I
FRM
V
ISOL
V
CE坐
v
CE坐
v
GE （ TO ）
C
IES
i
CES
i
GES
i
EGS
t
on
分钟。
-
-
-
4,5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
2100
3,3
4,4
5,5
65
3
30
-
-
0,8
1
1,1
1,3
0,25
0,3
1600
400
800
3100
± 20
400
800
3,4
马克斯。
-
3,7
4,8
6,5
-
-
-
400
400
V
A
A
W
V
A
A
kV
V
V
V
V
nF
mA
mA
nA
nA
Hchstzulssige Werte /最大额定值
ELEKTRISCHE Eigenschaften /电气特性
t
p
= 1毫秒
t
C
= 25 ° C，晶体管/晶体管
t
p
=1ms
RMS中，f = 50Hz时， t为1分钟。
Kollektor发射极Gleichsperrspannung集电极 - 发射极直接断态电压V
GE
= -15V ，T
C
=-40°C...+125°C
Kollektor发射极Sttigungsspannung集电极 - 发射极饱和电压
i
C
= 400A ，V
GE
= 15V ，T
vj
=25°C
i
C
= 400A ，V
GE
= 15V ，T
vj
=125°C
门Schwellenspannung
栅极阈值电压
i
C
= 30mA时V
CE
=v
GE
, t
vj
=25°C
Eingangskapazitt
输入容量
f
O
=1MHz,t
vj
=25°C,v
CE
=25V, v
GE
=0V
Kollektor发射极Reststrom
集电极 - 发射极截止电流
v
CE
=1600V, v
GE
= 0V ，T
vj
=25°C
v
CE
=1600V, v
GE
= 0V ，T
vj
=125°C
栅极 - 射极Reststrom
栅极漏电流
v
CE
=0V, v
GE
= 20V ，T
vj
=25°C
发射极 - 栅极Reststrom
栅极漏电流
v
CE
=0V, v
EG
= 20V ，T
vj
=25°C
Einschaltzeit （ induktive上）
开启时间（感性负载）
i
C
=400A,v
CE
=900V,v
L
=±15V
v
L
= ± 15V ，R
G
=4,7, t
vj
=25°C
v
L
= ± 15V ，R
G
=4,7, t
vj
=125°C
Speicherzeit （ induktive上）
存储时间（感性负载）
i
C
=400A,v
CE
=900V,v
L
=±15V
v
L
= ± 15V ，R
G
=4,7, t
vj
=25°C
v
L
= ± 15V ，R
G
=4,7, t
vj
=125°C
Fallzeit （ induktive上）
下降时间（感性负载）
i
C
=400A,v
CE
=900V,v
L
=±15V
v
L
= ± 15V ，R
G
=4,7, t
vj
=25°C
v
L
= ± 15V ，R
G
=4,7, t
vj
=125°C
Charakteristische Werte /特性值：晶体管
- s
- s
- s
- s
- s
- s
t
s
t
f
晶体管/晶体管
Einschaltverlustenergie亲普尔斯
Abschaltverlustenergie亲普尔斯
Inversdiode /逆二极管
Durchlaspannung
Rückstromspitze
Charakteristische Werte /特征值
导通的每脉冲能量损失
关断每个脉冲的能量损失
i
C
=400A,v
CE
=900V,v
L
=±15V
R
G
=4,7, t
vj
= 125 ℃下，L-
S
=70nH
i
C
=400A,v
CE
=900V,v
L
=±15V
R
G
=4,7, t
vj
= 125 ℃下，L-
S
=70nH
i
F
= 400A ，V
GE
= 0V ，T
vj
=25°C
i
F
= 400A ，V
GE
= 0V ，T
vj
=125°C
i
F
= 400A ， - 二
F
/dt=2,5kA/s
v
RM
=900V, v
EG
= 10V ，T
vj
=25°C
v
RM
=900V, v
EG
= 10V ，T
vj
=125°C
i
F
= 400A ， - 二
F
/dt=2,5kA/s
v
RM
=900V, v
EG
= 10V ，T
vj
=25°C
v
RM
=900V, v
EG
= 10V ，T
vj
=125°C
晶体管， DC ，亲茨威格/每臂
二极管/二极管， DC ，亲MODUL /每个模块
二极管/二极管， DC ，亲茨威格/每臂
亲模块/每个模块
亲茨威格/每臂
E
on
E
关闭
-
-
-
-
-
-
-
-
170
90
2,4
2,2
270
330
50
110
- MWS
- MWS
2,8 V
- V
- A
- A
- μAs
- μAs
0,04
0,05
0,1
0,01
0,02
150
-40...+125
-40...+125
Al
2
O
3
3
2
8...10
约1500
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
°C
°C
°C
正向电压
峰值反向恢复电流
v
F
I
RM
Sperrverzgerungsladung
恢复电荷
Q
r
Innerer Wrmewiderstand
Thermische Eigenschaften /热性能
热阻，结到外壳
R
thJC
bergangs - Wrmewiderstand
Hchstzul 。 Sperrschichttemperatur
Betriebstemperatur
Lagertemperatur
热电阻，案件散热器
最大。结温
工作温度
储存温度
R
thCK
t
VJ最大
t
运
t
英镑
维也纳内隔离
内部绝缘
Anzugsdrehmoment F。机甲。 Befestigung /安装扭矩
Anzugsdrehmoment F。 elektr 。 Anschlüsse /终端连接扭矩
Mechanische Eigenschaften /机械性能
终端M4
终端M8
M1
M2
Gewicht
重量
G
麻省理工学院dieser technischen信息werden Halbleiterbauelemente spezifiziert ， jedoch keine Eigenschaften zugesichert 。在Verbindung MIT书房SIE镀金
zugehrigen Technischen Erluterungen 。本技术信息指定半导体器件，但承诺没有的特点。它是在有效
结合与归属感技术说明。
Bedingung献给书房Kurzschluschutz /条件短路保护
t
fg
= 10 s
V
CC
= 1000 V
R
GF
= R
GR
= 4,7
i
CMK1
≈
4000 A
v
CEM
= 1300 V
t
vj
= 125°C
v
L
= ±15V
i
CMK2
≈
3000 A
Unabhngig davon鎏金贝abweichenden Bedingungen /对于其他条件V
CEM
= V
CES
- 20nH X |迪
c
/ DT |
1 ） Hchstzulssiger DIF / DT -范沃特/最大额定DIF / DT值
Nm
Nm
Nm
g
QQ：2880707522 复制
