FC3357
NPN硅晶体管RF
描述
FC3357
是上海镭芯微电子有限公司生产的超高频½噪声功率晶½管,采用平面
NPN
硅外延双极型工艺。具有高功率增益、½噪声系数、大动态范围和理想的电流特
性,封装½式为
SOT-89
贴片式封装,主要应用于
VHF UHF
和
CATV
高频½带½噪
声放大器。
主要特性
高增益:︱S
21
︱
2
典型值为9分贝
½躁声: NF 典型值为 1.1 dB
增益带½乘积: f
T
典型值为6.5GHz
@
V
CE
=10V,I
C
=20mA,f=1GHz
@
V
CE
=10V,I
C
=7mA,f=1GHz
@
V
CE
=10V,I
C
=20mA
订购信息
产品号
FC3357
标准包装
1K/盘
极限工½条件范围 (T
A
=25℃)
参数
集电极基极击穿电压
集电极发射极击穿电压
发射极基极击穿电压
集电极电流
*功耗
结温度
存储温度
*采用散热板
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
j
T
英镑
极值
20
12
3
100
1.2
150
-65
~
单½
V
V
V
mA
W
℃
℃
+150
h
FE
规格
等级
标号
h
FE
RH
RH
50-100
RF
RF
80-150
RE
RE
125-250
LASERON MICRO ELECTRONIC CO 。 , LTD。
-
- 1
FC3357
NPN硅晶体管RF
电学特性 (T
A
=25℃)
参数
集电极基极击穿电压
集电极发射极击穿电压
集电极基极漏电流
发射极基极漏电流
直流增益
增益带½乘积
输出反馈电容
插入功率增益
噪声系数
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
CBO
I
EBO
h
FE
f
T
CRE
| S
21
|
2
8.5
NF
1.1
2.0
分贝V
CE
=10V,I
C
=7mA,f=1GHz
50
150
6.5
0.65
9
1.8
3.0
最小 典型 最大 单½
20
12
0.1
1.0
250
GHz的
V
V
uA
uA
测试条件
I
C
=1.0uA
I
C
=100uA
V
CB
=10V
V
EB
=1V
V
CE
=10V,I
C
=20mA
V
CE
=10V,I
C
=20mA
pF的V
CB
=10V,I
E
=0mA,f=1MHz
分贝V
CE
=10V,I
C
=20mA,f=1GHz
分贝V
CE
=10V,I
C
=40mA,f=1GHz
封装½式
SOT-89
管脚定义: 1 :基极(基) 2 :集电极(珍藏)
3:发射极(Emitter)
LASERON MICRO ELECTRONIC CO 。 , LTD。
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FC3357
NPN硅晶体管RF
典型特性曲线(T
A
=25℃)
LASERON MICRO ELECTRONIC CO 。 , LTD。
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FC3357
NPN硅晶体管RF
LASERON MICRO ELECTRONIC CO 。 , LTD。
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FC3357
NPN硅晶体管RF
SMITH图
测试条件:V
CE
=10V,I
C
=20mA,Zo=50Ω,
S
21
- 频率
S
12
- 频率
S
11
- 频率
S
22
- 频率
LASERON MICRO ELECTRONIC CO 。 , LTD。
-
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