订购数量： EN5063
FC155
PNP外延平面硅晶体管（偏置电阻）
PNP Epitaxail平面硅晶体管
恒流电路的应用
特点
·复杂类型2设备（晶体管，电阻
包含在一个可用距离和低饱和晶体管）
包装，便于高密度安装。
电气连接
1 ：发射器1
2 ：基地1
3 ： 2基地
4 ：收藏家2
5 ：发射器2
6 ：收集1
包装尺寸
单位：mm
2104A
[FC155]
1 ：发射器1
2 ：基地1
3 ： 2基地
4 ：收藏家2
5 ：发射器2
6 ：收集1
三洋： CP6
特定网络阳离子
绝对最大额定值
在Ta = 25℃
参数
[TR1]
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流（脉冲）
基极电流
集电极耗散
总功耗
结温
储存温度
[TR2]
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流（脉冲）
基极电流
集电极耗散
总功耗
结温
储存温度
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICP
IB
PC
PT
Tj
TSTG
1个单位
–20
–15
–5
–500
–1
–100
200
300
150
-55到+150
V
V
V
mA
A
mA
mW
mW
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICP
IB
PC
PT
Tj
TSTG
1个单位
–20
–15
–5
–500
–1
–5
200
300
150
-55到+150
V
V
V
mA
A
mA
mW
mW
符号
条件
评级
单位
C
C
C
C
三洋电机有限公司。半导体公司经营业务指挥部
东京办事处东京大厦。 ， 1-10 ， 1丁目，上野，台东区，东京， 110-8534 JAPAN
52098HA （ KT ） / 31495MO （ KOTO ） TA- 0178 No.5063-1 / 4
FC155
电气特性
在Ta = 25℃
参数
[TR1]
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
增益带宽积
输出电容
-E饱和电压
C- B击穿电压
C- E击穿电压
输入断态电压
输入通态电压
输入阻抗
电阻率
[TR2]
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
增益带宽积
输出电容
-E饱和电压
B -E饱和电压
C- B击穿电压
C- E击穿电压
E- B击穿电压
ICBO
IEBO
hFE(1)
hFE(2)
fT
COB
VCE （ SAT ）
VBE （ SAT ）
VCB = -15V ， IE = 0
VEB = -4V ， IC = 0
VCE = -2V ， IC = -10mA
VCE = -2V ， IC = -400mA
VCE = -2V ， IC = -50mA
VCE = -10V ， F = 1MHz的
IC = -200mA ， IB = -10mA
IC = -200mA ， IB = -10mA
–20
–15
–5
160
70
400
6.5
–200
–0.95
–360
–1.2
–0.1
–0.1
560
兆赫
pF
mV
V
V
V
V
V
A
A
ICBO
IEBO
的hFE
fT
COB
VCE （ SAT ）
VCB = -15V ， IE = 0
VEB = -4V ， IC = 0
VCE = -2V ， IC = -100mA
VCE = -2V ， IC = -50mA
VCE = -10V ， F = 1MHz的
IC = -100mA ， IB = -5mA
–20
–15
–0.7
–0.85
3.3
–0.80
–1.2
4.7
0.47
–0.95
–1.8
6.1
–0.1
–210
100
150
5
–100
–250
兆赫
pF
mV
V
V
V
V
V
k
–270
–390
A
A
符号
CONDITONS
评级
民
典型值
最大
单位
V（ BR ） CBO IC = -10μA ， IE = 0
V（ BR ） CEO IC = -1mA ， RBΕ = ∞
六（关闭）
VCE = -5V ， IC = -100μA
第六章（上）
R1
R1/R2
VCE = -0.2V ， IC = -10mA
V（ BR ） CBO IC = -10μA ， IE = 0
V（ BR ） CEO IC = -1mA ， RBΕ = ∞
V（ BR ） EBO IC = -10μA ， IC
=0
No.5063-2/4
FC155
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PS No.5063-4 / 4
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