ESMT
8Mbit的（ 1Mx8 ）
F25L008A
3V只有串行闪存
特点
单电源电压2.7 3.6V
速度
- 读取最大频率： 33MHz的
- 快速阅读最大频率： 50MHz的; 100MHz的
低功耗
- 典型工作电流
- 15
μ
典型待机电流
可靠性
- 100,000次编程/擦除周期
- 20岁的数据保留
节目
- 字节编程时间7
μ
S（典型值）
抹去
- 芯片擦除时间8秒（典型值）
块擦除时间1秒（典型值）
- 扇区擦除时间为60ms （典型值） ，
自动地址递增（ AAI）字编程
- 降低整个芯片的编程时间
字节编程操作
SPI串行接口
- SPI兼容：模式0和模式3
编程或擦除检测结束
写保护（
WP
)
保持引脚（ HOLD ）
提供套餐
- 8引脚SOIC 200万
订购信息
产品型号
F25L008A -50PAG
速度
50MHz
包
8引脚SOIC
200mil
200mil
300mil
300mil
评论
无铅
无铅
无铅
无铅
F25L008A -100PAG 100MHz的8引脚SOIC
F25L008A -50DG
F25L008A -100DG
50MHz
100MHz
8引脚PDIP
8引脚PDIP
概述
该F25L008A是8Megablt ，只有3V CMOS串行闪存
组织成8比特的1M字节的存储器设备。该装置是
封装采用8引脚SOIC 200mil 。 ESMT的存储设备
可靠地存储，即使100,000编程和数据存储
擦除周期。
该F25L008A设有一个扇区擦除架构。该装置
存储器阵列分为256个统一的行业与4K字节
每一个; 16均匀的块，每个64K字节。扇区可
单独擦除，而不会影响其他部门的数据。
块可以单独被删除，而不会影响在数据
其他模块。整片擦除功能提供了灵活性
修改设备中的数据。
该部门保护/撤消功能禁用这两个方案，并
中的扇区的任意组合擦除操作
内存。
晶豪科科技有限公司
出版日期：五月。 2007年
修改：
1.4
1/31
ESMT
47
2
:
32
31
1
:
16
15
0
:
0
4KB
:
4KB
4KB
:
4KB
4KB
:
4KB
02F000H - 02FFFFH
:
020000H - 020FFFH
01F000H - 01FFFFH
:
010000H - 010FFFH
00F000H - 00FFFFH
:
000000 - 000FFFh
0
0
0
0
0
0
0
1
0
0
1
0
F25L008A
表2 ： F25L008A块保护表
顶部
防护等级
0
上1/16
上部1/8
上部1/4
上部1/2
所有块
所有块
所有块
0
0
0
0
1
1
1
1
状态寄存器位
BP2
BP1
0
0
1
1
0
0
1
1
BP0
0
1
0
1
0
1
0
1
受保护的存储区
块范围
无
15座
块14 15
12座 15
块8 15
块0 15
块0 15
块0 15
地址范围
无
F0000H - FFFFFH
E0000H - FFFFFH
C0000H - FFFFFH
80000H - FFFFFH
00000H - FFFFFh地址
00000H - FFFFFh地址
00000H - FFFFFh地址
底部
防护等级
0
底部1/16
底部1/8
底部1/4
底部1/2
所有块
所有块
所有块
0
0
0
0
1
1
1
1
状态寄存器位
BP2
BP1
0
0
1
1
0
0
1
1
BP0
0
1
0
1
0
1
0
1
受保护的存储区
块范围
无
块0
块0 1
块0 3
块0 7
块0 15
块0 15
块0 15
地址范围
无
00000H 地址0FFFFh
00000H - 1FFFFH
00000H - 3FFFFH
00000H - 7FFFFH
00000H - FFFFFh地址
00000H - FFFFFh地址
00000H - FFFFFh地址
块保护（ BP2 ， BP1 ， BP0 ）
块保护（ BP2 ， BP1 ， BP0 ）位定义的大小
存储器区域，如在表2中限定为软件保护
对任何存储器写（编程或擦除）操作。该
写状态寄存器（ WRSR ）指令用于编程
BP2中，P1 ，BP0只要位
WP
是高还是
块保护-看（ BPL ）位为0芯片擦除只能是
如果执行块保护位全部为0。上电后， BP2 ，
BP1和BP0被设置为1 。
块保护锁断（ BPL ）
WP
引脚驱动为低电平（V
IL
） ，使块保护
-lock -向下（ BPL ）位。当BPL被设置为1时，它可以防止任何
进一步改变的BPL ， BP2 ， BP1和BP0位。当
WP
引脚驱动为高电平（V
IH
） ， BPL位没有任何作用，其
值是“不关心” 。上电后， BPL位复位为0 。
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修改：
1.4
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ESMT
8Mbit的（ 1Mx8 ）
F25L008A
3V只有串行闪存
特点
单电源电压2.7 3.6V
速度
- 读取最大频率： 33MHz的
- 快速阅读最大频率： 50MHz的; 100MHz的
低功耗
- 典型工作电流
- 15
μ
典型待机电流
可靠性
- 100,000次编程/擦除周期
- 20岁的数据保留
节目
- 字节编程时间7
μ
S（典型值）
抹去
- 芯片擦除时间8秒（典型值）
- 块擦除时间1秒（典型值）
- 扇区擦除时间为90μs （典型值）
自动地址递增（ AAI）字编程
- 降低整个芯片的编程时间
字节编程操作
SPI串行接口
- SPI兼容：模式0和模式3
编程或擦除检测结束
写保护（
WP
)
保持引脚（ HOLD ）
所有无铅产品均符合RoHS标准
订购信息
产品型号
F25L008A -50PAG
速度
50MHz
包
8引脚SOIC
200mil
200mil
300mil
300mil
评论
无铅
无铅
无铅
无铅
F25L008A -100PAG 100MHz的8引脚SOIC
F25L008A -50DG
F25L008A -100DG
50MHz
100MHz
8引脚PDIP
8引脚PDIP
概述
该F25L008A是8Megablt ，只有3V CMOS串行闪存
组织成8比特的1M字节的存储器设备。该装置是
封装采用8引脚SOIC 200mil 。 ESMT的存储设备
可靠地存储，即使100,000编程和数据存储
擦除周期。
该F25L008A设有一个扇区擦除架构。该装置
存储器阵列分为256个统一的行业与4K字节
每一个; 16均匀的块，每个64K字节。扇区可
单独擦除，而不会影响其他部门的数据。
块可以单独被删除，而不会影响在数据
其他模块。整片擦除功能提供了灵活性
修改设备中的数据。
该部门保护/撤消功能禁用这两个方案，并
中的扇区的任意组合擦除操作
内存。
晶豪科科技有限公司
出版日期： 2008年7月
修改：
1.6
1/32
ESMT
47
2
:
32
31
1
:
16
15
0
:
0
4KB
:
4KB
4KB
:
4KB
4KB
:
4KB
02F000H - 02FFFFH
:
020000H - 020FFFH
01F000H - 01FFFFH
:
010000H - 010FFFH
00F000H - 00FFFFH
:
000000 - 000FFFh
0
0
0
0
0
0
0
1
0
0
1
0
F25L008A
表2 ： F25L008A块保护表
防护等级
0
上1/16
上部1/8
上部1/4
上部1/2
所有块
所有块
所有块
0
0
0
0
1
1
1
1
状态寄存器位
BP2
BP1
0
0
1
1
0
0
1
1
BP0
0
1
0
1
0
1
0
1
受保护的存储区
块范围
无
15座
块14 15
12座 15
块8 15
块0 15
块0 15
块0 15
地址范围
无
F0000H - FFFFFH
E0000H - FFFFFH
C0000H - FFFFFH
80000H - FFFFFH
00000H - FFFFFh地址
00000H - FFFFFh地址
00000H - FFFFFh地址
块保护（ BP2 ， BP1 ， BP0 ）
块保护（ BP2 ， BP1 ， BP0 ）位定义的大小
存储器区域，如在表2中限定为软件保护
对任何存储器写（编程或擦除）操作。该
写状态寄存器（ WRSR ）指令用于编程
BP2中，P1 ，BP0只要位
WP
是高还是
块保护-看（ BPL ）位为0芯片擦除只能是
如果执行块保护位全部为0。上电后， BP2 ，
BP1和BP0被设置为1 。
块保护锁断（ BPL ）
WP
引脚驱动为低电平（V
IL
） ，使块保护
-lock -向下（ BPL ）位。当BPL被设置为1时，它可以防止任何
进一步改变的BPL ， BP2 ， BP1和BP0位。当
WP
引脚驱动为高电平（V
IH
） ， BPL位没有任何作用，其
值是“不关心” 。上电后， BPL位复位为0 。
晶豪科科技有限公司
出版日期： 2008年7月
修改：
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