FAN7371 - 高电流高边栅极驱动器IC
2009年11月
FAN7371
大电流高边栅极驱动器IC
特点
!
浮动通道引导。到+ 600V
!
4A / 4A的供出/吸入电流驱动能力
!
的共模dv / dt噪声消除电路
!
3.3V和5V输入逻辑兼容
!
输出同相输入信号
!
欠压锁定为V
BS
!
25V并联稳压器上的V
DD
和V
BS
!
8引脚小外形封装( SOP )
描述
该FAN7371是一款单芯片的高边栅极驱动IC ,
可驱动高速MOSFET和IGBT的
高达+ 600V 。它有一个缓冲输出级
专为高脉冲电流全部NMOS晶体管
驱动能力和最小的跨导。
飞兆半导体的高压工艺和共模
降噪技术,提供稳定运行
下高的dv / dt噪声circum-的高边驱动器
立场。一个先进的电平转换电路提供高侧
栅极驱动器运行至V
S
= -9.8V (典型值)
V
BS
=15V.
UVLO电路可防止故障时, V
BS
is
小于指定的阈值电压低。
高电流和低输出电压降功能
使该器件适合sustaine开关驱动器和
在等离子显示器的能量回收开关驱动器
面板应用,变频电机驱动,开关电源
供给和高功率的DC-DC转换器的应用程序。
8-SOP
应用
!
高速栅极驱动器
!
Sustaine开关驱动器在PDP的应用
!
能量恢复电路开关驱动器中
PDP的应用
!
大功率降压转换器
!
变频电机驱动
订购信息
产品型号
FAN7371M
(1)
FAN7371MX
(1)
包
8-SOP
操作
温度范围
-40°C ~ 125°C
生态状况
RoHS指令
包装方法
管
磁带&卷轴
注意:
1.这些设备通过JESD22A - 111通过波峰焊测试。
对于生态地位飞兆半导体的定义,请访问:
http://www.fairchildsemi.com/company/green/rohs_green.html 。
2008飞兆半导体公司
FAN7371版本1.0.2
www.fairchildsemi.com
FAN7371 - 高电流高边栅极驱动器IC
绝对最大额定值
应力超过绝对最大额定值可能会损坏设备。该设备可能无法正常运行或操作
竹叶提取高于推荐的工作条件,并强调部分这些级别是不推荐的。此外
化,长期暴露在高于推荐的工作条件下,会影响器件的可靠性。该
绝对最大额定值仅为应力额定值。牛逼
A
= 25°C除非另有规定。
符号
V
S
V
B
V
HO
V
DD
V
IN
dV
S
/ DT
P
D
θ
JA
T
J
T
英镑
T
A
注意事项:
2
特征
高侧浮动偏置电压
高侧浮动电源电压
(2)
高侧浮动输出电压
低端和逻辑电源电压
(2)
逻辑输入电压
允许偏移电压摆率
功耗
(3, 4, 5)
热阻
结温
储存温度
工作环境温度
分钟。
V
B
-V
分流
-0.3
V
S
-0.3
-0.3
-0.3
马克斯。
V
B
+0.3
625.0
V
B
+0.3
V
分流
V
DD
+0.3
± 50
0.625
200
单位
V
V
V
V
V
V / ns的
W
° C / W
°C
°C
°C
-55
-55
-40
+150
+150
+125
3
4
5
该IC包含V并联稳压器
DD
和V
BS
以25V的正常击穿电压。请注意,这
电源引脚不应由一个低阻抗电压源大于在V驱动
分流
在特定网络版
电气特性部分
安装在76.2 X 114.3 X 1.6毫米板( FR-4玻璃环氧材料)。
请参考以下标准:
JESD51-2 :集成电路热测试方法,环境条件,自然对流和
JESD51-3 :低有效导热系数测试板引线表面贴装封装。
不超过功耗(P
D
)在任何情况下。
推荐工作条件
推荐的操作条件表德网络网元设备的实际运行情况。推荐
工作条件规定,以确保最佳性能达到数据表规格。飞兆半导体不
建议超过或设计,以绝对最大额定值。
符号
V
BS
V
S
V
HO
V
IN
V
DD
参数
高侧浮动电源电压
高侧浮动电源偏置电压
高侧输出电压
逻辑输入电压
电源电压
分钟。
V
S
+10
6-V
DD
V
S
GND
10
马克斯。
V
S
+20
600
V
B
V
DD
20
单位
V
V
V
V
V
2008飞兆半导体公司
FAN7371版本1.0.2
4
www.fairchildsemi.com
FAN7371 - 高电流高边栅极驱动器IC
2007年10月
FAN7371
大电流高边栅极驱动器IC
特点
浮动通道引导。到+ 600V
4A / 4A的供出/吸入电流驱动能力
的共模dv / dt噪声消除电路
3.3V和5V输入逻辑兼容
输出同相输入信号
欠压锁定为V
BS
25V并联稳压器上的V
DD
和V
BS
8引脚小外形封装( SOP )
描述
该FAN7371是一款单芯片的高边栅极驱动IC ,
可驱动高速MOSFET和IGBT的
高达+ 600V 。它有一个缓冲输出级
专为高脉冲电流全部NMOS晶体管
驱动能力和最小的跨导。
飞兆半导体的高压工艺和共模
降噪技术,提供稳定运行
下高的dv / dt噪声circum-的高边驱动器
立场。一个先进的电平转换电路提供高侧
栅极驱动器运行至V
S
= -9.8V (典型值)
V
BS
=15V.
UVLO电路可防止故障时, V
BS
is
小于指定的阈值电压低。
高电流和低输出电压降功能
使该器件适合用于维持和能源
恢复电路开关驱动器的等离子体显示
面板应用,变频电机驱动,开关电源
供给和高功率的DC-DC转换器的应用程序。
8-SOP
应用
高速栅极驱动器
维持在PDP应用开关驱动器
能量恢复电路开关驱动器中
PDP的应用
大功率降压转换器
变频电机驱动
订购信息
产品型号
FAN7371M
包
8-SOP
无铅
是的
工作温度范围包装方法
-40°C ~ 125°C
管
磁带&卷轴
FAN7371MX
注意:
1
这些设备通过波峰焊测试通过JESD22A - 111 。
2007仙童半导体公司
FAN7371版本1.0.1
www.fairchildsemi.com
FAN7371 - 高电流高边栅极驱动器IC
绝对最大额定值
应力超过绝对最大额定值可能会损坏设备。该设备可能无法正常运行或操作
竹叶提取高于推荐的工作条件,并强调部分这些级别是不推荐的。此外
化,长期暴露在高于推荐的工作条件下,会影响器件的可靠性。该
绝对最大额定值仅为应力额定值。牛逼
A
= 25°C除非另有规定。
符号
V
S
V
B
V
HO
V
DD
V
IN
dV
S
/ DT
P
D
θ
JA
T
JMAX
T
英镑
注意事项:
2
特征
高侧浮动偏置电压
高侧浮动电源电压
(2)
高侧浮动输出电压
低端和逻辑电源电压
(2)
逻辑输入电压
允许偏移电压摆率
功耗
(3, 4, 5)
热阻
最高结温
储存温度
分钟。
V
B
-V
分流
-0.3
V
S
-0.3
-0.3
-0.3
马克斯。
V
B
+0.3
625.0
V
B
+0.3
V
分流
V
DD
+0.3
± 50
0.625
200
150
单位
V
V
V
V
V
V / ns的
W
° C / W
°C
°C
-55
150
3
4
5
该IC包含V并联稳压器
DD
和V
BS
以25V的正常击穿电压。请注意,这
电源引脚不应由一个低阻抗电压源大于在V驱动
分流
在特定网络版
电气特性部分
安装在76.2 X 114.3 X 1.6毫米板( FR-4玻璃环氧材料)。
请参考以下标准:
JESD51-2 :集成电路热测试方法,环境条件,自然对流和
JESD51-3 :低有效导热系数测试板引线表面贴装封装。
不超过功耗(P
D
)在任何情况下。
推荐工作条件
推荐的操作条件表德网络网元设备的实际运行情况。推荐
工作条件规定,以确保最佳性能达到数据表规格。飞兆半导体不
建议超过或设计,以绝对最大额定值。
符号
V
B
V
S
V
HO
V
IN
V
DD
T
A
参数
高侧浮动电源电压
高侧浮动电源偏置电压
高侧输出电压
逻辑输入电压
电源电压
工作环境温度
分钟。
V
S
+10
6-V
DD
V
S
GND
10
-40
马克斯。
V
S
+20
600
V
B
V
DD
20
125
单位
V
V
V
V
V
°C
2007仙童半导体公司
FAN7371版本1.0.1
4
www.fairchildsemi.com