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对产品线
Diodes公司
绿色
FZT655
150V NPN中功率晶体管SOT223
特点
BV
首席执行官
> 150V
I
C
= 1A大电流连续
低饱和电压
互补PNP类型 - FZT755
无铅完成;符合RoHS (注1 & 2 )
卤素和无锑。 “绿色”设备(注3 )
符合AEC -Q101标准的高可靠性
机械数据
案例: SOT223
表壳材质:模压塑料。 “绿色”模塑料。
防火等级94V- 0
湿度灵敏性:每J- STD- 020 1级
码头:完成 - 雾锡镀信息,每焊
MIL- STD- 202方法208
重量: 0.112克(近似值)
SOT223
顶视图
设备符号
顶视图
引脚输出
订购信息
(注4 )
产品
FZT655TA
注意事项:
记号
FZT655
卷尺寸(英寸)
7
胶带宽度(mm)
12
QUANTITY每卷
1,000
1.欧盟指令2002/ 95 / EC指令(RoHS ) & 2011/65 / EU指令(RoHS 2 )兼容。所有适用的RoHS指令的豁免申请。
2.关于Diodes公司的免费锑, "Green"和无铅卤素 - 和定义的详细信息,请参阅http://www.diodes.com 。
3.卤素 - 锑 - 自由"Green “的产品被定义为那些含有<900ppm溴, <900ppm氯( <1500ppm总溴+ Cl)的和
<1000ppm锑化合物。
4.对于包装的详细信息,请访问我们的网站http://www.diodes.com 。
标识信息
FZT
655
FZT655 =产品型号标识代码
FZT655
文件编号DS33151版本4 - 2
1 7
www.diodes.com
2012年12月
Diodes公司
对产品线
Diodes公司
FZT655
最大额定值
(@T
A
= + 25 ℃,除非另有说明)。
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
峰值脉冲电流
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
价值
150
150
7
1
2
单位
V
V
V
A
A
热特性
(@T
A
= + 25 ℃,除非另有说明)。
特征
功耗
热阻,结到环境
热阻,结到信息(注7)
工作和存储温度范围
(注5 )
(注6 )
(注5 )
(注6 )
符号
P
D
R
θJA
R
θJL
T
J,
T
英镑
价值
2
3
62.5
41.7
19.41
-55到+150
单位
W
W
° C / W
° C / W
° C / W
°C
ESD额定值
(注8)
特征
静电放电 - 人体模型
静电放电 - 机型号
注意事项:
符号
ESD HBM
ESD MM
价值
4,000
400
单位
V
V
JEDEC类
3A
C
5.对于设备的表面安装在25毫米x 25mm的FR4 PCB与高覆盖单面的1盎司铜皮,在静止空气条件;测量设备时,
在稳态条件下运行。
6.同注( 5 ),除了在设备上安装50毫米×50毫米单面2盎司重量的铜。
从结点到焊接点7,热敏电阻(在集电极引线的端部) 。
8.请参考JEDEC规范JESD22- A114和JESD22- A115 。
FZT655
文件编号DS33151版本4 - 2
2 7
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2012年12月
Diodes公司
对产品线
Diodes公司
FZT655
热特性和降额信息
70
50
25毫米x 25mm的
2盎司FR4
D=0.5
单脉冲
D=0.05
热阻( ° C / W)
60
50
40
30
20
10
热阻( ° C / W)
T
AMB
=25°C
T
AMB
=25°C
40
30
50毫米×50毫米
2盎司FR4
D=0.5
20
D=0.2
单脉冲
D=0.05
D=0.1
D=0.2
D=0.1
10
0
100
0
100
1m
10m 100m
1
10
100
1k
1m
10m 100m
1
10
100
1k
脉冲宽度(S )
脉冲宽度(S )
瞬态热阻抗
瞬态热阻抗
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
0
20
40
60
80
100 120 140 160
50毫米×50毫米
2盎司FR4
25毫米x 25mm的
2盎司FR4
最大功耗( W)
100
50毫米×50毫米
2盎司FR4
10
25毫米x 25mm的
2盎司FR4
1
100
1m
10m 100m
1
10
100
1k
脉冲宽度(S )
最大功耗( W)
单脉冲
T
AMB
=25°C
温度(℃)
脉冲功率耗散
降额曲线
FZT655
文件编号DS33151版本4 - 2
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2012年12月
Diodes公司
对产品线
Diodes公司
FZT655
电气特性
(@T
A
= + 25 ℃,除非另有说明)。
特征
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压(注9 )
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极 - 发射极饱和电压(注9 )
基射极饱和电压(注9 )
基射极导通电压(注9 )
直流电流增益(注9 )
电流增益带宽积
输出电容(注9 )
注意事项:
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
V
BE(上)
h
FE
f
T
C
敖包
150
150
7
50
50
20
30
典型值
8.1
<10
<10
120
180
0.85
0.74
85
100
50
最大
100
100
500
500
1.1
1.0
300
20
单位
V
V
V
nA
nA
mV
V
V
兆赫
pF
测试条件
I
C
= 100A
I
C
= 1毫安
I
E
= 100A
V
CB
= 125V
V
EB
= 5.6V
I
C
= 500毫安,我
B
= 50毫安
I
C
= 1A ,我
B
= 200毫安
I
C
= 500毫安,我
B
= 50毫安
I
C
= 500毫安,V
CE
= 5V
I
C
= 10毫安,V
CE
= 5V
I
C
= 500毫安,V
CE
= 5V
I
C
= 1A ,V
CE
= 5V
V
CE
= 20V ,我
C
= 10毫安,
F = 20MHz的
V
CB
= 10V , F = 1MHz的
脉冲条件下9.进行测定。脉冲宽度
300μS 。占空比
2%
FZT655
文件编号DS33151版本4 - 2
4 7
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2012年12月
Diodes公司
对产品线
Diodes公司
FZT655
典型电气特性
(@T
A
= + 25 ℃,除非另有说明)。
FZT655
文件编号DS33151版本4 - 2
5 7
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2012年12月
Diodes公司
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
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    FZT655TA
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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电话:0755-22655674/15099917285
联系人:小邹
地址:深圳市福田区上步工业区201栋西座228室
FZT655TA
Diodes
22+
6148
原厂封装
原装正品★真实库存★价格优势★欢迎洽谈
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电话:18929336553
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美台(DIODES)
21+
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FZT655TA
DIODES/美台
20+
28000
SOT-223
原装正品,价格优势
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联系人:唐
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FZT655TA
DIODES
1822+
73279
SOT-223-4
原装正品 钻石品质 假一赔十
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电话:0755-82561519
联系人:李先生
地址:深圳市福田区上步工业区304栋西5楼503室
FZT655TA
ZETEX
2401+
5960
SOT89
原装正品-现货-绝对有货-实单价可谈
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电话:13510131896
联系人:欧阳
地址:龙岗区布吉街道粤宝花园3栋514
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ZETEX
20+
6000
SOT223
百分之百原装进口现货
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FZT655TA
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FZT655TA
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23+
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