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FAN53418
同步DC-DC MOSFET驱动器
特点
驱动N沟道高边和低边MOSFET的
同步降压CON组fi guration
内置自适应“贯通”保护
高开关频率（ 500kHz的> ）
- 30ns的输出上升/下降时间瓦特/ 3000pF的负载
20ns的传播延迟
12V高侧和低12V侧驱动
OD输入输出禁用 - 允许同步
与PWM控制器
SOIC- 8封装
概述
该FAN53418是一种高频率，双MOSFET驱动器
具体来说，旨在驱动两个功率N沟道
的MOSFET同步整流器版降压转换器。
这些驱动程序结合FAN53168多相降压
PWM控制器和功率MOSFET形成一个完整的芯
先进的微处理器电压稳压器解决方案。
该FAN53418驱动两个在一个上下闸
同步整流器呃到+ 12V 。上栅极驱动imple-
ments ，只有一个外部自举电容和
二极管的需要。这降低了实现的复杂度
并且允许使用更高的性能的，具有成本效益，
N沟道MOSFET 。
在FAN53418输出驱动器具备的能力
英法fi ciently开关功率MOSFET工作频率超过
为500kHz 。每个驱动器能够驱动一个3000pF的负载
用 20ns的传播延迟和30ns的过渡时间。
自适应贯通保护集成，以防止
这两个MOSFET同时导通。加成
盟友的输出禁止功能，包括同步
司机与PWM控制器。该FAN53418是
额定工作0℃至+ 85℃，可在一个
低成本SOIC -8封装。
应用
多相位VRM / VRD监管机构的微处理器
动力
高电流/高频DC / DC转换器
大功率模块化电源
基本应用
+12V
BST
D1
Q1
1
BST
DRVH
8
L1
2
IN
FAN54318
3
OD
保护地
6
Q2
4
VCC
VCC
DRVL 5
SW
7
VIN
图1.基本应用电路
REV 。 1.0.0 03年6月11日
FAN53418
引脚CON组fi guration
BST
1
8
DRVH
IN
2
FAN53418
SOIC-8
7
SW
OD
3
6
保护地
VCC
4
5
DRVL
引脚说明
引脚数
1
引脚名称
BST
引脚功能说明
自举电源输入
。提供供电电压高边MOSFET驱动器。
连接至自举电容（一般为100nF的1μF ） 。请参阅应用程序
一节的详细信息。
PWM信号输入
。该管脚接收的数字逻辑电平的PWM开关信号
从控制器。
输出禁用
。低电平时，此引脚禁用PWM开关和拉DRVH
和DRVL低。
电源输入
。 + 12V芯片的偏置电源。绕过一个1μF的陶瓷电容。
低侧栅极驱动输出
。连接到低端电源的栅极
MOSFET的（多个） 。
电源地
。电源地靠近连接至低边MOSFET ，以尽量减少
接地环路。
开关节点输入
。连接到开关HS和LS MOSFET之间的节点。
这是必要的适应性射击直通保护。此外，它提供的回报
高侧驱动器的自举。
高侧栅极驱动输出
。连接到高端电源的栅极
MOSFET的（多个） 。
2
3
4
5
6
7
IN
OD
VCC
DRVL
保护地
SW
8
DRVH
内部框图
VCC
4
IN 2
1 BST
8 DRVH
延迟
+1V
7 SW
5 DRVL
+1V
外径3
1k
6 PGND
2
REV 。 1.0.0 03年6月11日
FAN53418
绝对最大额定值
绝对最大额定值是超出该设备可能被损坏的值或具有其使用寿命
受损。在这些条件下的功能操作，是不是暗示。
参数
电源电压： V
CC
到PGND
申银万国PGND
BST到SW电压： V
BST
– V
SW
BST电压： V
BST
⑩保护地
DRVH
DRVL （ <200ns时间）
在任何其他引脚电压
分钟。
-0.3
-5
-0.3
-0.3
V
SW
– 0.3
-2
-0.3
马克斯。
+15
+15
+15
V
CC
+ 15
V
BST
+ 0.3
V
CC
+ 0.3
V
CC
+ 0.3
单位
V
V
V
V
V
V
V
热信息
参数
工作结温（T
J
)
储存温度
引线焊接温度10秒
汽相， 60秒
红外， 15秒
功耗（P
D
) @ T
A
= 25°C
热阻（
Θ
JA
)*
95
分钟。
0
–65
典型值。
马克斯。
+150
+150
+300
+215
+220
1052
单位
°C
°C
°C
°C
°C
mW
° C / W
推荐工作条件
参数
电源电压V
CC
工作环境温度
工作结温（T
J
)
见图1
分钟。
10.8
0
0
典型值。
12
马克斯。
13.2
+85
+150
单位
V
°C
°C
条件
V
CC
到GND
注意：
1. Θ
JA
被定义为2盎司， 4层铜印刷电路板1中
2
散热片。
REV 。 1.0.0 03年6月11日
3
FAN53418
电气连接特定的阳离子
（VCC = 12V ，和T
A
= 0 ° C至+ 85°C ，V
BST
= 4V到26V ，除非另有说明。 ）
本表示该申请在整个工作温度范围内特定连接的阳离子。
参数
输入电源
电源电压范围
电源电流
OD输入
输入高电压
输入低电压
输入电流
传播延迟时间
2
PWM输入
输入高电压
输入低电压
输入电流
高侧驱动器
输出电阻，
目前采购
输出电阻，
吸收电流
转换时间
2
t
rDRVH
t
fDRVH
传播延迟
2,3
低侧驱动器
输出电阻，
目前采购
输出电阻，
吸收电流
转换时间
2
传播延迟
2,3
t
rDRVL
t
fDRVL
t
pdhDRVL
t
pdlDRVL
参见图3 ，C
负载
= 3nF的
参见图3 ，C
负载
= 3nF的
见图3
见图3
1.8
1.0
25
21
30
10
3.0
2.5
35
30
60
20
ns
ns
ns
ns
t
pdhDRVH
t
pdlDRVH
V
BST
– V
SW
= 12V
V
BST
– V
SW
= 12V
参见图3 ，V
BST
– V
SW
= 12V,
C
负载
=3nF
参见图3 ，V
BST
– V
SW
= 12V,
C
负载
=3nF
参见图3 ，V
BST
– V
SW
= 12V
参见图3 ，V
BST
– V
SW
= 12V
1.8
1.0
35
20
40
20
3.0
2.5
45
30
65
35
ns
ns
ns
ns
V
IH（ PWM）的
V
白细胞介素（PWM）的
I
白细胞介素（PWM）的
-1
3.5
0.8
+1
V
V
A
V
IH （OD）的
V
白细胞介素（OD）的
I
白细胞介素（OD）的
t
PDL （OD）的
t
PDH （OD）的
见图2
见图2
-1
15
20
2.8
0.8
+1
30
40
V
V
A
ns
ns
V
CC
I
SYS
BST = 12V ，IN = 0V
4.15
3
13.2
6
V
mA
符号
条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
注意事项：
1.所有极限工作温度下的极限是由设计，表征和统计质量控制的保证。
设计/特性保证2. AC规格 - 在生产中测试。
3.对于传播延迟“T
PDH
“是指由低到高的信号跃变和”t
PDL
“指的是高至低的信号跃变。
4
REV 。 1.0.0 03年6月11日
FAN53418
时序特性
VIH （OD）的
OD
VIL （OD）的
保持tPDL （OD）的
90%
tPDH时间（OD）的
HDRV / LDRV
10%
图2.输出禁止时间
IN
吨F（ DRVL ）
吨PDL （ DRVL ）
吨PDL （ DRVH ）
吨F（ DRVH ）
吨R（ DRVH ）
吨PDH （ DRVH ）
吨R（ DRVL ）
DRVL
DRVH -SW
VTH
VTH
SW
1V
吨PDH （ DRVH ）
图3的非重叠时序图（时序被引用到90 ％和10％点，除非另有说明）
REV 。 1.0.0 03年6月11日
5
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FAN53418
同步DC-DC MOSFET驱动器
特点
驱动N沟道高边和低边MOSFET的
同步降压CON组fi guration
内置自适应“贯通”保护
高开关频率（ 500kHz的> ）
- 30ns的输出上升/下降时间瓦特/ 3000pF的负载
20ns的传播延迟
12V高侧和低12V侧驱动
OD输入输出禁用 - 允许同步
与PWM控制器
SOIC- 8封装
概述
该FAN53418是一种高频率，双MOSFET驱动器
具体来说，旨在驱动两个功率N沟道
的MOSFET同步整流器版降压转换器。
这些驱动程序结合FAN53168多相降压
PWM控制器和功率MOSFET形成一个完整的芯
先进的微处理器电压稳压器解决方案。
该FAN53418驱动两个在一个上下闸
同步整流器呃到+ 12V 。上栅极驱动imple-
ments ，只有一个外部自举电容和
二极管的需要。这降低了实现的复杂度
并且允许使用更高的性能的，具有成本效益，
N沟道MOSFET 。
在FAN53418输出驱动器具备的能力
英法fi ciently开关功率MOSFET工作频率超过
为500kHz 。每个驱动器能够驱动一个3000pF的负载
用 20ns的传播延迟和30ns的过渡时间。
自适应贯通保护集成，以防止
这两个MOSFET同时导通。加成
盟友的输出禁止功能，包括同步
司机与PWM控制器。该FAN53418是
额定工作0℃至+ 85℃，可在一个
低成本SOIC -8封装。
应用
多相位VRM / VRD监管机构的微处理器
动力
高电流/高频DC / DC转换器
大功率模块化电源
基本应用
+12V
BST
D1
Q1
1
BST
DRVH
8
L1
2
IN
FAN54318
3
OD
保护地
6
Q2
4
VCC
VCC
DRVL 5
SW
7
VIN
图1.基本应用电路
REV 。 1.0.0 03年6月11日
FAN53418
引脚CON组fi guration
BST
1
8
DRVH
IN
2
FAN53418
SOIC-8
7
SW
OD
3
6
保护地
VCC
4
5
DRVL
引脚说明
引脚数
1
引脚名称
BST
引脚功能说明
自举电源输入
。提供供电电压高边MOSFET驱动器。
连接至自举电容（一般为100nF的1μF ） 。请参阅应用程序
一节的详细信息。
PWM信号输入
。该管脚接收的数字逻辑电平的PWM开关信号
从控制器。
输出禁用
。低电平时，此引脚禁用PWM开关和拉DRVH
和DRVL低。
电源输入
。 + 12V芯片的偏置电源。绕过一个1μF的陶瓷电容。
低侧栅极驱动输出
。连接到低端电源的栅极
MOSFET的（多个） 。
电源地
。电源地靠近连接至低边MOSFET ，以尽量减少
接地环路。
开关节点输入
。连接到开关HS和LS MOSFET之间的节点。
这是必要的适应性射击直通保护。此外，它提供的回报
高侧驱动器的自举。
高侧栅极驱动输出
。连接到高端电源的栅极
MOSFET的（多个） 。
2
3
4
5
6
7
IN
OD
VCC
DRVL
保护地
SW
8
DRVH
内部框图
VCC
4
IN 2
1 BST
8 DRVH
延迟
+1V
7 SW
5 DRVL
+1V
外径3
1k
6 PGND
2
REV 。 1.0.0 03年6月11日
FAN53418
绝对最大额定值
绝对最大额定值是超出该设备可能被损坏的值或具有其使用寿命
受损。在这些条件下的功能操作，是不是暗示。
参数
电源电压： V
CC
到PGND
申银万国PGND
BST到SW电压： V
BST
– V
SW
BST电压： V
BST
⑩保护地
DRVH
DRVL （ <200ns时间）
在任何其他引脚电压
分钟。
-0.3
-5
-0.3
-0.3
V
SW
– 0.3
-2
-0.3
马克斯。
+15
+15
+15
V
CC
+ 15
V
BST
+ 0.3
V
CC
+ 0.3
V
CC
+ 0.3
单位
V
V
V
V
V
V
V
热信息
参数
工作结温（T
J
)
储存温度
引线焊接温度10秒
汽相， 60秒
红外， 15秒
功耗（P
D
) @ T
A
= 25°C
热阻（
Θ
JA
)*
95
分钟。
0
–65
典型值。
马克斯。
+150
+150
+300
+215
+220
1052
单位
°C
°C
°C
°C
°C
mW
° C / W
推荐工作条件
参数
电源电压V
CC
工作环境温度
工作结温（T
J
)
见图1
分钟。
10.8
0
0
典型值。
12
马克斯。
13.2
+85
+150
单位
V
°C
°C
条件
V
CC
到GND
注意：
1. Θ
JA
被定义为2盎司， 4层铜印刷电路板1中
2
散热片。
REV 。 1.0.0 03年6月11日
3
FAN53418
电气连接特定的阳离子
（VCC = 12V ，和T
A
= 0 ° C至+ 85°C ，V
BST
= 4V到26V ，除非另有说明。 ）
本表示该申请在整个工作温度范围内特定连接的阳离子。
参数
输入电源
电源电压范围
电源电流
OD输入
输入高电压
输入低电压
输入电流
传播延迟时间
2
PWM输入
输入高电压
输入低电压
输入电流
高侧驱动器
输出电阻，
目前采购
输出电阻，
吸收电流
转换时间
2
t
rDRVH
t
fDRVH
传播延迟
2,3
低侧驱动器
输出电阻，
目前采购
输出电阻，
吸收电流
转换时间
2
传播延迟
2,3
t
rDRVL
t
fDRVL
t
pdhDRVL
t
pdlDRVL
参见图3 ，C
负载
= 3nF的
参见图3 ，C
负载
= 3nF的
见图3
见图3
1.8
1.0
25
21
30
10
3.0
2.5
35
30
60
20
ns
ns
ns
ns
t
pdhDRVH
t
pdlDRVH
V
BST
– V
SW
= 12V
V
BST
– V
SW
= 12V
参见图3 ，V
BST
– V
SW
= 12V,
C
负载
=3nF
参见图3 ，V
BST
– V
SW
= 12V,
C
负载
=3nF
参见图3 ，V
BST
– V
SW
= 12V
参见图3 ，V
BST
– V
SW
= 12V
1.8
1.0
35
20
40
20
3.0
2.5
45
30
65
35
ns
ns
ns
ns
V
IH（ PWM）的
V
白细胞介素（PWM）的
I
白细胞介素（PWM）的
-1
3.5
0.8
+1
V
V
A
V
IH （OD）的
V
白细胞介素（OD）的
I
白细胞介素（OD）的
t
PDL （OD）的
t
PDH （OD）的
见图2
见图2
-1
15
20
2.8
0.8
+1
30
40
V
V
A
ns
ns
V
CC
I
SYS
BST = 12V ，IN = 0V
4.15
3
13.2
6
V
mA
符号
条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
注意事项：
1.所有极限工作温度下的极限是由设计，表征和统计质量控制的保证。
设计/特性保证2. AC规格 - 在生产中测试。
3.对于传播延迟“T
PDH
“是指由低到高的信号跃变和”t
PDL
“指的是高至低的信号跃变。
4
REV 。 1.0.0 03年6月11日
FAN53418
时序特性
VIH （OD）的
OD
VIL （OD）的
保持tPDL （OD）的
90%
tPDH时间（OD）的
HDRV / LDRV
10%
图2.输出禁止时间
IN
吨F（ DRVL ）
吨PDL （ DRVL ）
吨PDL （ DRVH ）
吨F（ DRVH ）
吨R（ DRVH ）
吨PDH （ DRVH ）
吨R（ DRVL ）
DRVL
DRVH -SW
VTH
VTH
SW
1V
吨PDH （ DRVH ）
图3的非重叠时序图（时序被引用到90 ％和10％点，除非另有说明）
REV 。 1.0.0 03年6月11日
5
QQ：2880707522 复制
