FDMS8670S的N-沟道PowerTrench
SyncFET
TM
2008年2月
FDMS8670S
N沟道的PowerTrench
SyncFET
TM
30V ， 42A ， 3.5mΩ
特点
最大
DS （ ON）
= 3.5mΩ在V
GS
= 10V ，我
D
= 20A
最大
DS （ ON）
= 5.0mΩ在V
GS
= 4.5V ，我
D
= 17A
先进的封装和硅结合的低R
DS （ ON）
和高效率
SyncFET肖特基体二极管
MSL1稳健包装设计
符合RoHS
tm
概述
该FDMS8670S已被设计为在最小化损失
电源转换应用。在这两个硅进步和
封装技术，已被合并到提供的最低
r
DS （ ON）
同时保持出色的开关性能。这
装置具有高效率的单片肖特基额外的好处
体二极管。
应用
同步整流DC / DC转换器
笔记本Vcore电压/ GPU的低边开关
负载低侧开关的网络点
电信二次侧整流
销1
S
S
D
S
G
5
6
7
8
4
3
2
1
G
S
S
S
D
D
D
D
D
D
功率56 （底视图）
D
MOSFET的最大额定值
T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
DS
V
GS
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流 - 连续（包装有限公司）
- 连续（硅有限公司）
I
D
- 连续（硅有限公司）
-Continuous
-Pulsed
功耗
P
D
T
J
, T
英镑
功耗
功耗
T
C
= 25°C
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
（注1A ）
（注1A ）
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
T
C
= 100°C
T
A
= 25°C
参数
评级
30
±20
42
116
74
20
200
78
2.5
1.3
-55到+150
°C
W
A
单位
V
V
工作和存储结温范围
热特性
R
θJC
R
θJA
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
（注1A ）
1.6
50
° C / W
包装标志和订购信息
器件标识
FDMS8670S
设备
FDMS8670S
包
电源56
1
带尺寸
13’’
胶带宽度
12mm
QUANTITY
3000台
www.fairchildsemi.com
2008飞兆半导体公司
FDMS8670S Rev.C4
FDMS8670S的N-沟道PowerTrench
SyncFET
TM
电气特性
T
J
= 25 ° C除非另有说明
符号
参数
测试条件
民
典型值
最大
单位
开关特性
BV
DSS
ΔBV
DSS
T
J
I
DSS
I
GSS
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
I
D
= 1mA时， V
GS
= 0V
I
D
= 10毫安，引用至25℃
V
DS
= 24V, V
GS
= 0V
V
GS
= ±20V, V
DS
= 0V
30
17
500
±100
V
毫伏/°C的
A
nA
基本特征
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
T
J
r
DS （ ON）
g
FS
门源阈值电压
门源阈值电压
温度COEF网络cient
漏极至源极导通电阻
正向跨导
V
GS
= V
DS
, I
D
= 1毫安
I
D
= 50mA时参考的25℃下
V
GS
= 10V ，我
D
= 20A
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 17A
V
GS
= 10V ，我
D
= 20A ，T
J
= 125°C
V
DS
= 10V ，我
D
= 20A
1
1.5
-2.8
2.8
3.6
3.9
98
3.5
5.0
6.0
S
m
3
V
毫伏/°C的
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
g
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
V
DS
= 15V, V
GS
= 0V
F = 1MHz的
F = 1MHz的
3005
865
320
1.4
4000
1150
480
5.0
pF
pF
pF
开关特性
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G（ TOT ）
Q
g(4.5V)
Q
gs
Q
gd
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷，在10V
总栅极电荷，在4.5V
门源栅极电荷
栅漏“米勒”充电
V
GS
= 0V至10V
V
GS
= 0V至4.5V V
DS
= 15V
I
D
= 20A
V
DD
= 15V ，我
D
= 20A
V
GS
= 10V ，R
根
= 5
14
19
37
10
52
24
8
10
26
35
60
20
73
34
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
nC
漏源二极管的特性
V
SD
t
rr
Q
rr
源极到漏极二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
V
GS
= 0V时，我
S
= 2A
I
F
= 20A ，的di / dt = 300A / μs的
0.4
26
24
0.7
42
39
V
ns
nC
注意事项：
1:
R
θJA
与安装在1英寸的设备决定
2
垫2盎司铜焊盘上的1.5× 1.5的FR-4材料中。板。
θJC
由设计，同时保证
R
= CA
由下式确定
用户的电路板设计。
一。装在当50℃ / W的
在A 1
2
2盎司纯铜垫
B 。安装在当125 °C / W
2盎司纯铜最小焊盘
2:
脉冲时间< 300μS ，占空比< 2 ％ 。
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2
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SyncFET
TM
典型特征
T
J
= 25 ° C除非另有说明
脉冲持续时间= 80
s
占空比= 0.5 ％ MAX
V
GS
= 3.5V
归
漏极至源极导通电阻
180
ID ，漏电流（ A）
4.0
3.5
V
GS
= 3V
脉冲持续时间= 80
s
占空比= 0.5 ％ MAX
150
120
90
60
V
GS
= 10V
V
GS
= 4.5V
V
GS
= 4V
3.0
2.5
2.0
V
GS
= 4.5V
V
GS
= 3.5V
V
GS
= 4V
V
GS
= 3V
1.5
1.0
V
GS
= 10V
30
0
0
1
2
3
4
VDS ，漏极至源极电压（ V）
0.5
0
30
60
90
120
150
180
ID ，漏极电流（ A）
图1.地区特点
图2.归一导通电阻
VS漏极电流和栅极电压
10
r
DS （ ON）
，沥去
源导通电阻
(
m
)
归
漏极至源极导通电阻
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
-75
I
D
= 20A
V
GS
= 10V
I
D
= 20A
脉冲持续时间= 80
s
占空比= 0.5 ％ MAX
8
6
T
J
= 125
o
C
4
T
J
= 25
o
C
2
3
4
5
6
7
8
9
V
GS
，门源电压（ V）
10
-50
-25
0
25 50 75 100 125 150
T
J
，结温
(
o
C
)
图3.归一导通电阻
VS结温
150
脉冲持续时间= 80
s
占空比= 0.5 ％ MAX
图4.导通电阻与栅极到
源极电压
20
10
I
S
，反向漏电流（ A）
V
GS
= 0V
I
D
，漏电流（ A）
120
90
60
T
J
= 125
o
C
T
J
= 25
o
C
1
T
J
= 125
o
C
T
J
= 25
o
C
0.1
T
J
= -55
o
C
30
T
J
= -55
o
C
0.01
0
1
2
3
V
GS
，门源电压（ V）
4
1E-3
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
V
SD
，体二极管正向电压（ V）
0.7
图5.传输特性
图6.源极到漏极二极管
正向电压随电流源
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SyncFET
TM
典型特征
T
J
= 25 ° C除非另有说明
V
GS
，门源电压（ V）
10
8
V
DD
= 10V
5000
C
国际空间站
6
V
DD
= 15V
V
DD
= 20V
电容（pF）
1000
C
OSS
4
2
0
0
10
20
30
40
Q
g
，栅极电荷（ NC）
50
60
F = 1MHz的
V
GS
= 0V
C
RSS
100
0.1
1
10
V
DS
，漏源极电压（ V）
30
图7.栅极电荷特性
图8.电容VS漏
至源极电压
120
40
I
AS
，雪崩电流（ A）
I
D
，漏电流（ A）
100
V
GS
= 10V
10
T
J
= 25
o
C
80
60
V
GS
= 4.5V
T
J
= 125
o
C
40
20
R
θ
JC
= 1.6 C / W
o
不限按包
1
0.01
0.1
1
10
100
t
AV
，一次雪崩（毫秒）
1000
0
25
50
75
100
o
125
150
T
C
，外壳温度
(
C
)
图9.松开电感
交换能力
300
图10.最大连续漏极
电流与外壳温度
500
对于温度
100
ID ，漏电流（ A）
100us
P
(
PK
)
，瞬态峰值功率（ W）
10
1
0.1
0.01
操作在此
区域可以
限于由R
DS （ ON）
单脉冲
TJ =最大额定
TA = 25℃
1ms
10ms
100ms
1s
10s
DC
100
V
GS
= 10V
上述25
o
C减免PEAK
当前，如下所示：
I = I
25
150
–
T
A
----------------------
-
125
T
A
= 25
o
C
10
单脉冲
1E-3
0.1
1
10
80
1
0.6
-3
10
10
-2
VDS ，漏极至源极电压（ V）
10
10
10
T，脉冲宽度（ S）
-1
0
1
10
2
10
3
图11.正向偏置安全
工作区
图12.单脉冲最大
功耗
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SyncFET
TM
典型特征
T
J
= 25 ° C除非另有说明
2
1
归热
阻抗Z
θ
JA
占空比，降序排列
0.1
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
P
DM
0.01
t
1
t
2
注意事项：
DUTY因子：D = T
1
/t
2
PEAK牛逼
J
= P
DM
X Z
θJA
个R
θJA
+ T
A
单脉冲
1E-3
-3
10
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
吨，矩形脉冲持续时间（ S）
图13.瞬态热响应曲线
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5
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SyncFET
TM
2007年2月
FDMS8670S
N沟道的PowerTrench
SyncFET
TM
30V ， 42A ， 3.5mΩ
特点
最大
DS （ ON）
= 3.5mΩ在V
GS
= 10V ，我
D
= 20A
最大
DS （ ON）
= 5.0mΩ在V
GS
= 4.5V ，我
D
= 17A
先进的封装和硅结合的低R
DS （ ON）
和高效率
SyncFET肖特基体二极管
MSL1稳健包装设计
符合RoHS
tm
概述
该FDMS8670S已被设计为在最小化损失
电源转换应用。在这两个硅进步和
封装技术，已被合并到提供的最低
r
DS （ ON）
同时保持出色的开关性能。这
装置具有高效率的单片肖特基额外的好处
体二极管。
应用
同步整流DC / DC转换器
笔记本Vcore电压/ GPU的低边开关
负载低侧开关的网络点
电信二次侧整流
销1
S
S
D
S
G
5
6
7
8
4
3
2
1
G
S
S
S
D
D
D
D
D
D
功率56 （底视图）
D
MOSFET的最大额定值
T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
DS
V
GS
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流 - 连续（包装有限公司）
I
D
- 连续（硅有限公司）
-Continuous
-Pulsed
P
D
T
J
, T
英镑
功耗
功耗
T
C
= 25°C
T
A
= 25°C
（注1A ）
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
T
A
= 25°C
参数
评级
30
±20
42
116
20
200
78
2.5
-55到+150
W
°C
A
单位
V
V
工作和存储结温范围
热特性
R
θJC
R
θJA
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
（注1A ）
1.6
50
° C / W
包装标志和订购信息
器件标识
FDMS8670S
设备
FDMS8670S
包
电源56
带尺寸
13’’
胶带宽度
12mm
QUANTITY
3000台
2007仙童半导体公司
FDMS8670S Rev.C3
1
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FDMS8670S的N-沟道PowerTrench
SyncFET
TM
电气特性
T
J
= 25 ° C除非另有说明
符号
参数
测试条件
民
典型值
最大
单位
开关特性
BV
DSS
ΔBV
DSS
T
J
I
DSS
I
GSS
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
I
D
= 1mA时， V
GS
= 0V
I
D
= 50mA时参考的25℃下
V
DS
= 24V, V
GS
= 0V
V
GS
= ±20V, V
DS
= 0V
30
17
500
±100
V
毫伏/°C的
A
nA
基本特征
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
T
J
r
DS （ ON）
g
FS
门源阈值电压
门源阈值电压
温度COEF网络cient
漏极至源极导通电阻
正向跨导
V
GS
= V
DS
, I
D
= 1毫安
I
D
= 50mA时参考的25℃下
V
GS
= 10V ，我
D
= 20A
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 17A
V
GS
= 10V ，我
D
= 20A ，T
J
= 125°C
V
DS
= 10V ，我
D
= 20A
1
1.5
-2.8
2.8
3.6
3.9
98
3.5
5.0
6.0
S
m
3
V
毫伏/°C的
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
g
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
V
DS
= 15V, V
GS
= 0V
F = 1MHz的
F = 1MHz的
3005
865
320
1.4
4000
1150
480
5.0
pF
pF
pF
开关特性
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G（ TOT ）
Q
g(4.5V)
Q
gs
Q
gd
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷，在10V
总栅极电荷，在4.5V
门源栅极电荷
栅漏“米勒”充电
V
GS
= 0V至10V
V
GS
= 0V至4.5V V
DS
= 15V
I
D
= 20A
V
DD
= 15V ，我
D
= 20A
V
GS
= 10V ，R
根
= 5
14
19
37
10
52
24
8
10
26
35
60
20
73
34
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
nC
漏源二极管的特性
V
SD
t
rr
Q
rr
源极到漏极二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
V
GS
= 0V时，我
S
= 2A
I
F
= 20A ，的di / dt = 300A / μs的
0.4
26
24
0.7
42
39
V
ns
nC
注意事项：
1:
R
θJA
与安装在1英寸的设备决定
2
垫2盎司铜焊盘上的1.5× 1.5的FR-4材料中。板。
θJC
由设计，同时保证
R
= CA
由下式确定
用户的电路板设计。
一。装在当50℃ / W的
在A 1
2
2盎司纯铜垫
B 。安装在当125 °C / W
2盎司纯铜最小焊盘
2:
脉冲时间< 300μS ，占空比< 2 ％ 。
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2
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FDMS8670S的N-沟道PowerTrench
SyncFET
TM
典型特征
T
J
= 25 ° C除非另有说明
脉冲持续时间= 80
s
占空比= 0.5 ％ MAX
V
GS
= 3.5V
归
漏极至源极导通电阻
180
ID ，漏电流（ A）
4.0
3.5
V
GS
= 3V
脉冲持续时间= 80
s
占空比= 0.5 ％ MAX
150
120
90
60
V
GS
= 10V
V
GS
= 4.5V
V
GS
= 4V
3.0
2.5
2.0
V
GS
= 4.5V
V
GS
= 3.5V
V
GS
= 4V
V
GS
= 3V
1.5
1.0
V
GS
= 10V
30
0
0
1
2
3
4
VDS ，漏极至源极电压（ V）
0.5
0
30
60
90
120
150
180
ID ，漏极电流（ A）
图1.地区特点
图2.归一导通电阻
VS漏极电流和栅极电压
10
r
DS （ ON）
，沥去
源导通电阻
(
m
)
归
漏极至源极导通电阻
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
-75
I
D
= 20A
V
GS
= 10V
I
D
= 20A
脉冲持续时间= 80
s
占空比= 0.5 ％ MAX
8
6
T
J
= 125
o
C
4
T
J
= 25
o
C
2
3
4
5
6
7
8
9
V
GS
，门源电压（ V）
10
-50
-25
0
25 50 75 100 125 150
T
J
，结温
(
o
C
)
图3.归一导通电阻
VS结温
150
脉冲持续时间= 80
s
占空比= 0.5 ％ MAX
图4.导通电阻与栅极到
源极电压
20
10
I
S
，反向漏电流（ A）
V
GS
= 0V
I
D
，漏电流（ A）
120
90
60
T
J
= 125
o
C
T
J
= 25
o
C
1
T
J
= 125
o
C
T
J
= 25
o
C
0.1
T
J
= -55
o
C
30
T
J
= -55
o
C
0.01
0
1
2
3
V
GS
，门源电压（ V）
4
1E-3
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
V
SD
，体二极管正向电压（ V）
0.7
图5.传输特性
图6.源极到漏极二极管
正向电压随电流源
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FDMS8670S的N-沟道PowerTrench
SyncFET
TM
典型特征
T
J
= 25 ° C除非另有说明
V
GS
，门源电压（ V）
10
8
V
DD
= 10V
5000
C
国际空间站
6
V
DD
= 15V
V
DD
= 20V
电容（pF）
1000
C
OSS
4
2
0
0
10
20
30
40
Q
g
，栅极电荷（ NC）
50
60
F = 1MHz的
V
GS
= 0V
C
RSS
100
0.1
1
10
V
DS
，漏源极电压（ V）
30
图7.栅极电荷特性
图8.电容VS漏
至源极电压
120
40
I
AS
，雪崩电流（ A）
I
D
，漏电流（ A）
100
V
GS
= 10V
10
T
J
= 25
o
C
80
60
V
GS
= 4.5V
T
J
= 125
o
C
40
20
R
θ
JC
= 1.6 C / W
o
不限按包
1
0.01
0.1
1
10
100
t
AV
，一次雪崩（毫秒）
1000
0
25
50
75
100
o
125
150
T
C
，外壳温度
(
C
)
图9.松开电感
交换能力
300
图10.最大连续漏极
电流与外壳温度
500
对于温度
100
ID ，漏电流（ A）
100us
P
(
PK
)
，瞬态峰值功率（ W）
10
1
0.1
0.01
操作在此
区域可以
限于由R
DS （ ON）
单脉冲
TJ =最大额定
TA = 25℃
1ms
10ms
100ms
1s
10s
DC
100
V
GS
= 10V
上述25
o
C减免PEAK
当前，如下所示：
I = I
25
150
–
T
A
----------------------
-
125
T
A
= 25
o
C
10
单脉冲
1E-3
0.1
1
10
80
1
0.6
-3
10
10
-2
VDS ，漏极至源极电压（ V）
10
10
10
T，脉冲宽度（ S）
-1
0
1
10
2
10
3
图11.正向偏置安全
工作区
图12.单脉冲最大
功耗
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SyncFET
TM
典型特征
T
J
= 25 ° C除非另有说明
2
1
归热
阻抗Z
θ
JA
占空比，降序排列
0.1
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
P
DM
0.01
t
1
t
2
注意事项：
DUTY因子：D = T
1
/t
2
PEAK牛逼
J
= P
DM
X Z
θJA
个R
θJA
+ T
A
单脉冲
1E-3
-3
10
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
吨，矩形脉冲持续时间（ S）
图13.瞬态热响应曲线
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SyncFET
TM
2006年12月
FDMS8670S
N沟道的PowerTrench
SyncFET
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30V ， 42A ， 3.5mΩ
特点
最大
DS （ ON）
= 3.5mΩ在V
GS
= 10V ，我
D
= 20A
最大
DS （ ON）
= 5.0mΩ在V
GS
= 4.5V ，我
D
= 17A
先进的封装和硅结合的低R
DS （ ON）
和高效率
SyncFET肖特基体二极管
MSL1稳健包装设计
符合RoHS
tm
概述
该FDMS8670S已被设计为在最小化损失
电源转换应用。在这两个硅进步和
封装技术，已被合并到提供的最低
r
DS （ ON）
同时保持出色的开关性能。这
装置具有高效率的单片肖特基额外的好处
体二极管。
应用
同步整流DC / DC转换器
笔记本Vcore电压/ GPU的低边开关
负载低侧开关的网络点
电信二次侧整流
销1
S
S
D
S
G
5
6
7
8
4
3
2
1
G
G
G
S
D
D
D
D
D
D
功率56 （底视图）
D
MOSFET的最大额定值
T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
DS
V
GS
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流 - 连续（包装有限公司）
I
D
- 连续（硅有限公司）
-Continuous
-Pulsed
P
D
T
J
, T
英镑
功耗
功耗
T
C
= 25°C
T
A
= 25°C
（注1A ）
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
T
A
= 25°C
参数
评级
30
±20
42
116
20
200
78
2.5
-55到+150
W
°C
A
单位
V
V
工作和存储结温范围
热特性
R
θJC
R
θJA
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
（注1A ）
1.6
50
° C / W
包装标志和订购信息
器件标识
FDMS8670S
设备
FDMS8670S
包
电源56
带尺寸
7’’
胶带宽度
12mm
QUANTITY
3000台
2006仙童半导体公司
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SyncFET
TM
电气特性
T
J
= 25 ° C除非另有说明
符号
参数
测试条件
民
典型值
最大
单位
开关特性
BV
DSS
ΔBV
DSS
ΔT
J
I
DSS
I
GSS
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
I
D
= 1mA时， V
GS
= 0V
I
D
= 50mA时参考的25℃下
V
DS
= 24V, V
GS
= 0V
V
GS
= ±20V, V
DS
= 0V
30
17
500
±100
V
毫伏/°C的
μA
nA
基本特征
V
GS （ TH）
ΔV
GS （ TH）
ΔT
J
r
DS （ ON）
g
FS
门源阈值电压
门源阈值电压
温度COEF网络cient
漏极至源极导通电阻
正向跨导
V
GS
= V
DS
, I
D
= 1毫安
I
D
= 50mA时参考的25℃下
V
GS
= 10V ，我
D
= 20A
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 17A
V
GS
= 10V ，我
D
= 20A ，T
J
= 125°C
V
DS
= 10V ，我
D
= 20A
1
1.5
-2.8
2.8
3.6
3.9
98
3.5
5.0
6.0
S
mΩ
3
V
毫伏/°C的
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
g
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
V
DS
= 15V, V
GS
= 0V
F = 1MHz的
F = 1MHz的
3005
865
320
1.4
4000
1150
480
5.0
pF
pF
pF
Ω
开关特性
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G（ TOT ）
Q
g(4.5V)
Q
gs
Q
gd
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷，在10V
总栅极电荷，在4.5V
门源栅极电荷
栅漏“米勒”充电
V
GS
= 0V至10V
V
GS
= 0V至4.5V V
DS
= 15V
I
D
= 20A
V
DD
= 15V ，我
D
= 20A
V
GS
= 10V ，R
根
= 5Ω
14
19
37
10
52
24
8
10
26
35
60
20
73
34
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
nC
漏源二极管的特性
V
SD
t
rr
Q
rr
源极到漏极二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
V
GS
= 0V时，我
S
= 2A
I
F
= 20A ，的di / dt = 300A / μs的
0.4
26
24
0.7
42
39
V
ns
nC
注意事项：
1:
R
θJA
与安装在1英寸的设备决定
2
垫2盎司铜焊盘上的1.5× 1.5的FR-4材料中。板。
θJC
由设计，同时保证
R
= CA
由下式确定
用户的电路板设计。
一。装在当50℃ / W的
在A 1
2
2盎司纯铜垫
B 。安装在当125 °C / W
2盎司纯铜最小焊盘
2:
脉冲时间< 300μS ，占空比< 2 ％ 。
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SyncFET
TM
典型特征
T
J
= 25 ° C除非另有说明
脉冲持续时间= 80
μ
s
占空比= 0.5 ％ MAX
V
GS
= 3.5V
归
漏极至源极导通电阻
180
ID ，漏电流（ A）
4.0
3.5
V
GS
= 3V
脉冲持续时间= 80
μ
s
占空比= 0.5 ％ MAX
150
120
90
60
V
GS
= 10V
V
GS
= 4.5V
V
GS
= 4V
3.0
2.5
2.0
V
GS
= 4.5V
V
GS
= 3.5V
V
GS
= 4V
V
GS
= 3V
1.5
1.0
V
GS
= 10V
30
0
0
1
2
3
4
VDS ，漏极至源极电压（ V）
0.5
0
30
60
90
120
150
180
ID ，漏极电流（ A）
图1.地区特点
图2.归一导通电阻
VS漏极电流和栅极电压
10
r
DS （ ON）
，沥去
源导通电阻
(
m
Ω
)
归
漏极至源极导通电阻
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
-75
I
D
= 20A
V
GS
= 10V
I
D
= 20A
脉冲持续时间= 80
μ
s
占空比= 0.5 ％ MAX
8
6
T
J
= 125
o
C
4
T
J
= 25
o
C
2
3
4
5
6
7
8
9
V
GS
，门源电压（ V）
10
-50
-25
0
25 50 75 100 125 150
T
J
，结温
(
o
C
)
图3.归一导通电阻
VS结温
150
脉冲持续时间= 80
μ
s
占空比= 0.5 ％ MAX
图4.导通电阻与栅极到
源极电压
20
10
I
S
，反向漏电流（ A）
V
GS
= 0V
I
D
，漏电流（ A）
120
90
60
T
J
= 125
o
C
T
J
= 25
o
C
1
T
J
= 125
o
C
T
J
= 25
o
C
0.1
T
J
= -55
o
C
30
T
J
= -55
o
C
0.01
0
1
2
3
V
GS
，门源电压（ V）
4
1E-3
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
V
SD
，体二极管正向电压（ V）
0.7
图5.传输特性
图6.源极到漏极二极管
正向电压随电流源
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典型特征
T
J
= 25 ° C除非另有说明
V
GS
，门源电压（ V）
10
8
V
DD
= 10V
5000
C
国际空间站
6
V
DD
= 15V
V
DD
= 20V
电容（pF）
1000
C
OSS
4
2
0
0
10
20
30
40
Q
g
，栅极电荷（ NC）
50
60
F = 1MHz的
V
GS
= 0V
C
RSS
100
0.1
1
10
V
DS
，漏源极电压（ V）
30
图7.栅极电荷特性
图8.电容VS漏
至源极电压
120
40
I
AS
，雪崩电流（ A）
I
D
，漏电流（ A）
100
V
GS
= 10V
10
T
J
= 25
o
C
80
60
V
GS
= 4.5V
T
J
= 125
o
C
40
20
R
θ
JC
= 1.6 C / W
o
不限按包
1
0.01
0.1
1
10
100
t
AV
，一次雪崩（毫秒）
1000
0
25
50
75
100
o
125
150
T
C
，外壳温度
(
C
)
图9.松开电感
交换能力
300
图10.最大连续漏极
电流与外壳温度
500
对于温度
100
ID ，漏电流（ A）
100us
P
(
PK
)
，瞬态峰值功率（ W）
10
1
0.1
0.01
操作在此
区域可以
限于由R
DS （ ON）
单脉冲
TJ =最大额定
TA = 25℃
1ms
10ms
100ms
1s
10s
DC
100
V
GS
= 10V
上述25
o
C减免PEAK
当前，如下所示：
I = I
25
150
–
T
A
-----------------------
-
125
T
A
= 25
o
C
10
单脉冲
1E-3
0.1
1
10
80
1
0.6
-3
10
10
-2
VDS ，漏极至源极电压（ V）
10
10
10
T，脉冲宽度（ S）
-1
0
1
10
2
10
3
图11.正向偏置安全
工作区
图12.单脉冲最大
功耗
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TM
典型特征
T
J
= 25 ° C除非另有说明
2
1
归热
阻抗Z
θ
JA
占空比，降序排列
0.1
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
P
DM
0.01
t
1
t
2
注意事项：
DUTY因子：D = T
1
/t
2
PEAK牛逼
J
= P
DM
X Z
θJA
个R
θJA
+ T
A
单脉冲
1E-3
-3
10
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
吨，矩形脉冲持续时间（ S）
图13.瞬态热响应曲线
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