FAN3226 / FAN3227 / FAN3228 / FAN3229 - 双路2A高速，低侧栅极驱动器
2011年1月
FAN3226 / FAN3227 / FAN3228 / FAN3229
双路2A高速，低侧栅极驱动器
特点
工业标准引脚
4.5至18V工作电压范围
3A峰值吸入/源出在V
DD
= 12V
在V 2.4A吸入/ 1.6A源
OUT
= 6V
的TTL或CMOS输入阈值的选择
四个版本的双独立驱动器：
描述
该FAN3226-29系列双2A栅极驱动器是
设计用于驱动N沟道增强模式
在低侧开关应用由MOSFET的
期间短，提供高的峰值电流脉冲
切换的时间间隔。该驱动程序可与任
TTL或CMOS输入阈值。内部电路
通过举办提供了欠压锁定功能
输出低电平，直到电源电压范围内
工作范围。此外，该驱动器具有相匹配
A和B信道之间的内部传播延迟
对于需要用批判的双栅极驱动应用
定时，诸如同步整流器。这使得
连接两个驱动器并联，有效地增加一倍
电流能力驱动单个MOSFET 。
该FAN322X司机纳入MillerDrive
架构用于最后输出级。这种双极性
MOSFET的组合提供了在高电流
的MOSFET导通米勒平台阶段/关闭
进程，以减少开关损耗，同时提供rail-
到轨电压摆动和反向电流能力。
该FAN3226提供两个反相驱动器和
FAN3227提供了两个非反相驱动器。每个器件
具有双独立的使能引脚，默认为On
未连接。在FAN3228和FAN3229 ，每
信道具有相反极性的双输入，这
可以配置为同相或反相
使用第二个可选的输入使能功能。如果一个人
或两个输入悬空，内部电阻
偏置输入，使得输出被拉低举行
功率MOSFET关断。
-
-
-
双反相+使能（ FAN3226 ）
双非反相+使能（ FAN3227 ）
双输入的两个引脚输出配置：
o
o
兼容FAN3225x （ FAN3228 ）
兼容TPS2814D （ FAN3229 ）
内部电阻器打开驱动程序关闭。如果没有输入
MillerDrive 技术
为12ns / 9ns典型的上升/下降时间与1nF的负载
典型传播延迟20ns的下匹配
为1ns的另一个通道内
双电流能力通过并联通道
8引脚的3x3mm MLP或8引脚SOIC封装
额定温度范围为-40 ° C至+ 125 ° C环境
应用
开关模式电源
高效率MOSFET开关
同步整流电路
的DC- DC转换器
电机控制
服务器
相关资源
AN- 6069 ：应用回顾与比较
评价低侧栅极驱动器
FAN3226
FAN3227
FAN3228
FAN3229
图1.引脚配置
2007仙童半导体公司
FAN3226 / FAN3227 / FAN3228 / FAN3229 版本1.0.7
www.fairchildsemi.com
FAN3226 / FAN3227 / FAN3228 / FAN3229 - 双路2A高速，低侧栅极驱动器
订购信息
产品型号
FAN3226CMPX
FAN3226CMX
FAN3226TMPX
FAN3226TMX
FAN3227CMPX
FAN3227CMX
FAN3227TMPX
FAN3227TMX
FAN3228CMPX
FAN3228CMX
FAN3228TMPX
FAN3228TMX
FAN3229CMPX
FAN3229CMX
FAN3229TMPX
FAN3229TMX
双输入双通道/
一个输出驱动器，引脚
CON组fi guration 2
双输入双通道/
一个输出驱动器，引脚
CON组fi guration 1
双非反相通道
+双启用
双反相通道+
双启动
逻辑
输入
门槛
CMOS
TTL
CMOS
TTL
CMOS
TTL
CMOS
TTL
包
采用3x3mm MLP - 8
SOIC-8
采用3x3mm MLP - 8
SOIC-8
采用3x3mm MLP - 8
SOIC-8
采用3x3mm MLP - 8
SOIC-8
采用3x3mm MLP - 8
SOIC-8
采用3x3mm MLP - 8
SOIC-8
采用3x3mm MLP - 8
SOIC-8
采用3x3mm MLP - 8
SOIC-8
包装方法
磁带&卷轴
磁带&卷轴
磁带&卷轴
磁带&卷轴
磁带&卷轴
磁带&卷轴
磁带&卷轴
磁带&卷轴
磁带&卷轴
磁带&卷轴
磁带&卷轴
磁带&卷轴
磁带&卷轴
磁带&卷轴
磁带&卷轴
磁带&卷轴
QUANTITY
每卷
3,000
2,500
3,000
2,500
3,000
2,500
3,000
2,500
3,000
2,500
3,000
2,500
3,000
2,500
3,000
2,500
包装纲要
图2.采用3x3mm MLP - 8 （顶视图）
图3. SOIC - 8 （顶视图）
热特性
(1)
包
8引脚3x3mm的模塑无脚封装（ MLP ）
8引脚小外形集成电路（ SOIC ）
JL(2)
1.6
40
JT(3)
68
31
JA(4)
43
89
JB(5)
3.5
43
JT(6)
0.8
3.0
单位
° C / W
° C / W
注意事项：
1.
2.
3.
4.
从热模拟推算值;实际值取决于应用。
Theta_JL （
JL
） ：半导体结和所有的引线的底部表面之间的热阻（包括任何
导热垫），它们通常焊接到PCB上。
Theta_JT （
JT
） ：半导体结和包装件的顶面之间的热阻，假设它是
在同一温度下通过一个顶侧的散热片保持。
Theta_JA （ Θ
JA
） ：结点和环境，依赖于PCB设计，散热和气流之间的热阻。
给出的值是用于自然对流与使用2S2P板没有散热片，如在JEDEC标准JESD51-2指定
JESD51-5和JESD51-7 ，根据。
Psi_JB （
JB
） ：热特性参数提供半导体结温的相关性
注4.热环境应用电路板参考点定义为MLP - 8封装，电路板
参考被定义为在PCB铜连接到散热垫和从封装的两端突出。对于
SOIC - 8封装，电路板参考被定义为相邻的PCB铜针6 。
Psi_JT （
JT
） ：热特性参数提供半导体结温之间的相关性
中心的包装的顶部附注4所述的热环境。
5.
6.
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FAN3226 / FAN3227 / FAN3228 / FAN3229 版本1.0.7
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2
FAN3226 / FAN3227 / FAN3228 / FAN3229 - 双路2A高速，低侧栅极驱动器
FAN3226
FAN3227
FAN3228
FAN3229
图4.引脚配置（重复）
引脚德网络nitions
名字
ENA
ENB
GND
INA
INA +
INA-
INB
INB +
INB-
OUTA
OUTB
OUTA
OUTB
引脚说明
使能输入通道A.
拉引脚为低电平，以抑制驾驶员A. ENA具有TTL阈值TTL和
CMOS INx的门槛。
使能输入通道B.
拉引脚为低电平，以抑制驱动B. ENB具有TTL阈值TTL和
CMOS INx的门槛。
地面上。
用于输入和输出电路的公共接地参考。
输入通道A.
非反相输入频道A.
连接到VDD ，使输出。
反相输入通道A.
连接至GND ，使输出。
输入通道B.
非反相输入到通道B.
连接到VDD ，使输出。
反相输入通道B.
连接至GND ，使输出。
栅极驱动输出答：
保持为低电平，除非所需的输入（S ）存在和V
DD
高于UVLO阈值。
栅极驱动输出B：
保持为低电平，除非所需的输入（S ）存在和V
DD
高于UVLO阈值。
栅极驱动输出A
（从输入反相） ：保持为低电平，除非所需的输入是当前和V
DD
is
高于UVLO阈值。
栅极驱动输出B
（从输入反相） ：保持为低电平，除非所需的输入是当前和V
DD
is
高于UVLO阈值。
散热垫
（仅适用于MLP ） 。暴露的金属在所述封装的底部;可悬空或连接
到GND ;不适合于负载电流。
电源电压。
提供电源IC 。
P1
VDD
输出逻辑
FAN3226 （ X = A或B ）
ENX
0
0
1
1
(7)
(7)
FAN3227 （ X = A或B ）
的OUTx
FAN3228和FAN3229
（ X = A或B ）
INx的+
0
(7)
0
(7)
1
1
INx-
0
1
(7)
0
1
(7)
INX
0
1
(7)
0
1
(7)
ENX
0
0
1
1
(7)
(7)
INX
0
(7)
1
0
(7)
的OUTx
0
0
0
1
的OUTx
0
0
1
0
0
0
1
0
1
注意：
如果是由无外部连接7.默认的输入信号。
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3
FAN3226 / FAN3227 / FAN3228 / FAN3229 - 双路2A高速，低侧栅极驱动器
方框图
V
DD
100k
V
DD
100k
ENA
1
V
DD
100k
8
ENB
INA
2
7
100k
OUTA
GND
3
UVLO
6
VDD
V
DD
100k
V
DD_OK
INB
4
100k
5
OUTB
图5. FAN3226框图
图6. FAN3227框图
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4
FAN3226 / FAN3227 / FAN3228 / FAN3229 - 双路2A高速，低侧栅极驱动器
方框图
图7. FAN3228框图
图8. FAN3229框图
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5
FAN3223 / FAN3224 / FAN3225 - 双4A高速，低侧栅极驱动器
2011年1月
FAN3223 / FAN3224 / FAN3225
双4A高速，低侧栅极驱动器
特点
工业标准引脚
4.5至18V工作电压范围
5A峰值吸入/源出在V
DD
= 12V
在V 4.3A吸入/ 2.8A源
OUT
= 6V
的TTL或CMOS输入阈值的选择
三个版本的双独立驱动器：
描述
该FAN3223-25系列双4A栅极驱动器是
设计用于驱动N沟道增强模式
在低侧开关应用由MOSFET的
期间短，提供高的峰值电流脉冲
切换的时间间隔。该驱动程序可与任
TTL或CMOS输入阈值。内部电路
通过举办提供了欠压锁定功能
输出低电平，直到电源电压范围内
工作范围。此外，该驱动器具有相匹配
A和B信道之间的内部传播延迟
对于需要用批判的双栅极驱动应用
定时，诸如同步整流器。这也
能使并联连接两个驱动器有效
双倍的电流容量驱动单个MOSFET。
该FAN322X司机纳入MillerDrive
架构用于最后输出级。这种双极性
MOSFET的组合提供了在高电流
的MOSFET导通米勒平台阶段/关闭
进程，以减少开关损耗，同时提供rail-
到轨电压摆动和反向电流能力。
该FAN3223提供两个反相驱动器和
FAN3224提供了两个非反相驱动器。每个器件
具有双独立的使能引脚，默认为On
未连接。在FAN3225 ，每个通道具有双
极性相反，它允许配置为输入
非反相或具有可选反转使能
函数使用所述第二输入。如果一个或两个输入都
悬空，内部电阻偏置的投入，
该输出被拉低到按住电源
MOSFET关断。
-
-
-
双反相+使能（ FAN3223 ）
双非反相+使能（ FAN3224 ）
双输入（ FAN3225 ）
内部电阻器打开驱动程序关闭。如果没有输入
MillerDrive 技术
为12ns / 9ns典型的上升/下降时间与2.2nF负载
典型传播延迟20ns的下匹配
为1ns的另一个通道内
双电流能力通过并联通道
8引脚的3x3mm MLP或8引脚SOIC封装
额定温度范围为-40 ° C至+ 125 ° C环境
应用
开关模式电源
高效率MOSFET开关
同步整流电路
的DC- DC转换器
电机控制
相关资源
AN- 6069 ：应用回顾与
评价低侧栅极驱动器
比较
FAN3223
FAN3224
FAN3225
图1.引脚配置
2007仙童半导体公司
FAN3223 / FAN3224 / FAN3225 版本1.0.6
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FAN3223 / FAN3224 / FAN3225 - 双4A高速，低侧栅极驱动器
订购信息
产品型号
FAN3223CMPX
FAN3223CMX
FAN3223TMPX
FAN3223TMX
FAN3224CMPX
FAN3224CMX
FAN3224TMX
FAN3225CMPX
FAN3225CMX
FAN3225TMX
双输入/一步法双通道
FAN3225TMPX输出驱动器
双非反相通道+双
FAN3224TMPX启用
双反相通道+双启动
TTL
CMOS
TTL
CMOS
TTL
逻辑
输入
门槛
CMOS
包
采用3x3mm MLP - 8
SOIC-8
采用3x3mm MLP - 8
SOIC-8
采用3x3mm MLP - 8
SOIC-8
采用3x3mm MLP - 8
SOIC-8
采用3x3mm MLP - 8
SOIC-8
采用3x3mm MLP - 8
SOIC-8
填料
法
磁带&卷轴
磁带&卷轴
磁带&卷轴
磁带&卷轴
磁带&卷轴
磁带&卷轴
磁带&卷轴
磁带&卷轴
磁带&卷轴
磁带&卷轴
磁带&卷轴
磁带&卷轴
QUANTITY
每卷
3,000
2,500
3,000
2,500
3,000
2,500
3,000
2,500
3,000
2,500
3,000
2,500
包装纲要
图2.采用3x3mm MLP - 8 （顶视图）
图3. SOIC - 8 （顶视图）
热特性
(1)
包
8引脚3x3mm的模塑无脚封装（ MLP ）
8引脚小外形集成电路（ SOIC ）
注意事项：
1.
2.
3.
4.
从热模拟推算值;实际值取决于应用。
Theta_JL （
JL
） ：半导体结和所有的引线的底部表面之间的热阻（包括任何
导热垫），它们通常焊接到PCB上。
Theta_JT （
JT
） ：半导体结和包装件的顶面之间的热阻，假设它是
在同一温度下通过一个顶侧的散热片保持。
Theta_JA （ Θ
JA
） ：结点和环境，依赖于PCB设计，散热和气流之间的热阻。
给出的值是用于自然对流与使用2S2P板没有散热片，如在JEDEC标准JESD51-2指定
JESD51-5和JESD51-7 ，根据。
Psi_JB （
JB
） ：热特性参数提供半导体结温的相关性
注4.热环境应用电路板参考点定义为MLP - 8封装，电路板
参考被定义为在PCB铜连接到散热垫和从封装的两端突出。对于
SOIC - 8封装，电路板参考被定义为相邻的PCB铜针6 。
Psi_JT （
JT
） ：热特性参数提供半导体结温之间的相关性
中心的包装的顶部附注4所述的热环境。
JL(2)
1.2
38
JT(3)
64
29
JA(4)
42
87
JB(5)
2.8
41
JT(6)
0.7
2.3
单位
° C / W
° C / W
5.
6.
2007仙童半导体公司
FAN3223 / FAN3224 / FAN3225 版本1.0.6
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2
FAN3223 / FAN3224 / FAN3225 - 双4A高速，低侧栅极驱动器
FAN3223
FAN3224
FAN3225
图4.引脚分配（重复）
引脚德网络nitions
名字
ENA
ENB
GND
INA
INA +
INA-
INB
INB +
INB-
OUTA
OUTB
引脚说明
使能输入通道A.
拉引脚为低电平，以抑制驾驶员A. ENA具有TTL阈值TTL和
CMOS INx的门槛。
使能输入通道B.
拉引脚为低电平，以抑制驱动B. ENB具有TTL阈值TTL和
CMOS INx的门槛。
地面上。
用于输入和输出电路的公共接地参考。
输入通道A.
非反相输入频道A.
连接到VDD ，使输出。
反相输入通道A.
连接至GND ，使输出。
输入通道B.
非反相输入到通道B.
连接到VDD ，使输出。
反相输入通道B.
连接至GND ，使输出。
栅极驱动输出答：
保持为低电平，除非所需的输入（S ）存在和V
DD
高于UVLO阈值。
栅极驱动输出B：
保持为低电平，除非所需的输入（S ）存在和V
DD
高于UVLO阈值。
栅极驱动输出A
（从输入反相） ：保持为低电平，除非所需的输入是当前和V
DD
is
高于UVLO阈值。
栅极驱动输出B
（从输入反相） ：保持为低电平，除非所需的输入是当前和V
DD
is
高于UVLO阈值。
散热垫
（仅适用于MLP ） 。暴露的金属在所述封装的底部;可悬空或连接
到GND ;不适合于负载电流。
电源电压。
提供电源IC 。
OUTA
OUTB
P1
VDD
输出逻辑
FAN3223 （ X = A或B ）
ENX
0
0
1
(7)
1
(7)
INX
0
1
(7)
0
1
(7)
FAN3224 （ X = A或B ）
的OUTx
0
0
1
0
ENX
0
0
1
(7)
1
(7)
INX
0
(7)
1
0
(7)
1
的OUTx
0
0
0
1
FAN3225 （ X = A或B ）
INx的+
0
(7)
0
(7)
1
1
INx-
0
1
(7)
0
1
(7)
的OUTx
0
0
1
0
注意：
如果是由无外部连接7.默认的输入信号。
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FAN3223 / FAN3224 / FAN3225 版本1.0.6
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3
FAN3223 / FAN3224 / FAN3225 - 双4A高速，低侧栅极驱动器
方框图
图5. FAN3223框图
图6. FAN3224框图
2007仙童半导体公司
FAN3223 / FAN3224 / FAN3225 版本1.0.6
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4
FAN3223 / FAN3224 / FAN3225 - 双4A高速，低侧栅极驱动器
方框图
图7. FAN3225框图
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FAN3223 / FAN3224 / FAN3225 版本1.0.6
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5
FAN3216 / FAN3217 - 双2A ，高速，低侧栅极驱动器
2011年1月
FAN3216 / FAN3217
双2A ，高速，低侧栅极驱动器
特点
工业标准引脚
4.5至18V工作电压范围
3A峰值吸入/源出在V
DD
= 12V
在V 2.4A吸入/ 1.6A源
OUT
= 6V
TTL输入阈值
两个版本的双独立驱动器：
描述
该FAN3216和FAN3217双2A栅极驱动
设计用于驱动N沟道增强模式
在低侧开关应用由MOSFET的
期间短，提供高的峰值电流脉冲
切换的时间间隔。它们都可以与TTL
输入阈值。内部电路提供了一个理解
通过保持输出低电平，直到欠压锁定功能
电源电压在正常工作范围内。在
此外，该驱动器具有内部匹配
A和B通道之间的传播延迟
需要与关键的双栅极驱动应用
定时，诸如同步整流器。这也使得
连接两个驱动器并联，有效地增加一倍
电流能力驱动单个MOSFET 。
该FAN3216 / 17驱动程序加入MillerDrive
架构用于最后输出级。这种双极性
MOSFET的组合提供了在高电流
的MOSFET导通米勒平台阶段/关闭
进程，以减少开关损耗，同时提供rail-
到轨电压摆动和反向电流能力。
该FAN3216提供两个反相驱动器和
FAN3217提供了两个非反相驱动器。两者都是
在一个标准的8引脚SOIC封装。
-
-
双反相（ FAN3216 ）
双非反相（ FAN3217 ）
内部电阻器打开驱动程序关闭。如果没有输入
MillerDrive 技术
为12ns / 9ns典型的上升/下降时间与1nF的负载
典型传播延迟20ns的下匹配
为1ns的另一个通道内
双电流能力通过并联通道
标准的SOIC - 8封装
额定温度范围为-40 ° C至+ 125 ° C环境
应用
开关模式电源
高效率MOSFET开关
同步整流电路
的DC- DC转换器
电机控制
FAN3216
FAN3217
图1.引脚配置
订购信息
产品型号
FAN3216TMX
FAN3217TMX
逻辑
双反相通道
双非反相通道
输入
门槛
TTL
TTL
包
SOIC-8
SOIC-8
填料
法
磁带&卷轴
磁带&卷轴
QUANTITY
每卷
2,500
2,500
2009仙童半导体公司
FAN3216 / FAN3217 版本1.0.1
www.fairchildsemi.com
FAN3216 / FAN3217 - 双2A ，高速，低侧栅极驱动器
包装纲要
图2. SOIC - 8 （顶视图）
热特性
(1)
包
8引脚小外形集成电路（ SOIC ）
注意事项：
1.
2.
3.
4.
从热模拟推算值;实际值取决于应用。
Theta_JL （
JL
） ：半导体结和所有的引线的底部表面之间的热阻（包括任何
导热垫），它们通常焊接到PCB上。
Theta_JT （
JT
） ：半导体结和包装件的顶面之间的热阻，假设它是
在同一温度下通过一个顶侧的散热片保持。
Theta_JA （ Θ
JA
） ：结点和环境，依赖于PCB设计，散热和气流之间的热阻。
给出的值是用于自然对流与使用2S2P板没有散热片，如在JEDEC标准JESD51-2指定
JESD51-5和JESD51-7 ，根据。
Psi_JB （
JB
） ：热特性参数提供半导体结温的相关性
注4.热环境应用电路板参考点定义的SOIC - 8封装，电路板
参考被定义为相邻的6引脚PCB的铜。
Psi_JT （
JT
） ：热特性参数提供半导体结温之间的相关性
中心的包装的顶部附注4所述的热环境。
JL(2)
40
JT(3)
31
JA(4)
89
JB(5)
43
JT(6)
3.0
单位
° C / W
5.
6.
2009仙童半导体公司
FAN3216 / FAN3217 版本1.0.1
www.fairchildsemi.com
2
FAN3216 / FAN3217 - 双2A ，高速，低侧栅极驱动器
销刀豆网络gurations
FAN3216
FAN3217
图3.引脚配置（重复）
引脚德网络nitions
针
1
2
3
2
4
7
5
(FAN3216)
5
(FAN3217)
6
7
(FAN3216)
7
(FAN3217)
8
名字
NC
INA
GND
INA
INB
OUTA
引脚说明
无连接。
该引脚可接地或悬空。
输入通道A.
地面上。
用于输入和输出电路的公共接地参考。
输入通道A.
输入通道B.
栅极驱动输出答：
保持为低电平，除非所需的输入（S ）存在和V
DD
以上是
UVLO阈值。
栅极驱动输出B
（从输入反相） ：保持为低电平，除非需要输入
目前和V
DD
高于UVLO阈值。
栅极驱动输出B：
保持为低电平，除非所需的输入（S ）存在和V
DD
以上是
UVLO阈值。
电源电压。
提供电源IC 。
栅极驱动输出A
（从输入反相） ：保持为低电平，除非需要输入
目前和V
DD
高于UVLO阈值。
栅极驱动输出答：
保持为低电平，除非所需的输入（S ）存在和V
DD
以上是
UVLO阈值。
无连接。
该引脚可接地或悬空。
OUTB
OUTB
VDD
OUTA
OUTA
NC
输出逻辑
FAN3216 （ X = A或B ）
INX
0
1
(7)
0
1
(7)
FAN3217 （ X = A或B ）
INX
0
(7)
1
0
(7)
1
的OUTx
0
0
0
1
的OUTx
0
0
1
0
注意：
如果是由无外部连接7.默认的输入信号。
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FAN3216 / FAN3217 版本1.0.1
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3
FAN3216 / FAN3217 - 双2A ，高速，低侧栅极驱动器
方框图
图4. FAN3216框图
图5. FAN3217框图
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FAN3216 / FAN3217 - 双2A ，高速，低侧栅极驱动器
绝对最大额定值
应力超过绝对最大额定值可能会损坏设备。该设备可能不能正常运行或
操作上面推荐的工作条件，并强调部分这些级别是不推荐的。
此外，过度暴露在高于推荐的工作条件下，会影响器件的可靠性。
绝对最大额定值仅为应力额定值。
符号
V
DD
V
IN
V
OUT
T
L
T
J
T
英镑
ESD
VDD至PGND
参数
INA ， INA + ， INA- ， INB ， INB +和INB-到GND
OUTA和OUTB到GND
引线焊接温度（ 10秒）
结温
储存温度
静电放电
防护等级
人体模型， JEDEC JESD22- A114
带电器件模型， JEDEC JESD22- C101
分钟。
-0.3
马克斯。
20.0
单位
V
V
V
C
C
C
kV
GND - 0.3 V
DD
+ 0.3
GND - 0.3 V
DD
+ 0.3
+260
-55
-65
4
1
+150
+150
推荐工作条件
推荐的操作条件表德网络网元设备的实际运行情况。推荐
工作条件规定，以确保最佳性能达到数据表规格。飞兆半导体不
建议超过或设计，以绝对最大额定值。
符号
V
DD
V
IN
T
A
电源电压范围
参数
输入电压INA ， INA + ， INA- ， INB ， INB +和INB-
工作环境温度
分钟。
4.5
0
-40
马克斯。
18.0
V
DD
+125
单位
V
V
C
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FAN3216 / FAN3217 版本1.0.1
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FAN3213 / FAN3214 - 双4A ，高速，低侧栅极驱动器
2011年1月
FAN3213 / FAN3214
双4A ，高速，低侧栅极驱动器
特点
工业标准引脚
4.5至18V工作电压范围
5A峰值吸入/源出在V
DD
= 12V
在V 4.3A吸入/ 2.8A源
OUT
= 6V
TTL输入阈值
两个版本的双独立驱动器：
描述
该FAN3213和FAN3214双4A栅极驱动
设计用于驱动N沟道增强模式
在低侧开关应用由MOSFET的
期间短，提供高的峰值电流脉冲
切换的时间间隔。它们都可以与TTL
输入阈值。内部电路提供了一个理解
通过保持输出低电平，直到欠压锁定功能
电源电压在正常工作范围内。在
此外，该驱动器具有内部匹配
A和B通道之间的传播延迟
需要与关键的双栅极驱动应用
定时，诸如同步整流器。这也使得
连接两个驱动器并联，有效地增加一倍
电流能力驱动单个MOSFET 。
该FAN3213 / 14驱动程序加入MillerDrive
架构用于最后输出级。这种双极性
MOSFET的组合提供了在高电流
的MOSFET导通米勒平台阶段/关闭
进程，以减少开关损耗，同时提供rail-
到轨电压摆动和反向电流能力。
该FAN3213提供两个反相驱动器和
FAN3214提供了两个非反相驱动器。两者都是
在一个标准的8引脚SOIC封装。
-
-
双反相（ FAN3213 ）
双非反相（ FAN3214 ）
内部电阻器打开驱动程序关闭。如果没有输入
MillerDrive 技术
为12ns / 9ns典型的上升/下降时间与2.2nF负载
典型传播延迟20ns的下匹配
为1ns的另一个通道内
双电流能力通过并联通道
标准的SOIC - 8封装
额定温度范围为-40 ° C至+ 125 ° C环境
应用
开关模式电源
高效率MOSFET开关
同步整流电路
的DC- DC转换器
电机控制
FAN3213
FAN3214
图1.引脚配置
订购信息
产品型号
FAN3213TMX
FAN3214TMX
逻辑
双反相通道
双非反相通道
输入
门槛
TTL
TTL
包
SOIC-8
SOIC-8
填料
法
磁带&卷轴
磁带&卷轴
QUANTITY
每卷
2,500
2,500
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FAN3213 / FAN3214 - 双4A ，高速，低侧栅极驱动器
包装纲要
图2. SOIC - 8 （顶视图）
热特性
(1)
包
8引脚小外形集成电路（ SOIC ）
注意事项：
1.
2.
3.
4.
从热模拟推算值;实际值取决于应用。
Theta_JL （
JL
） ：半导体结和所有的引线的底部表面之间的热阻（包括任何
导热垫），它们通常焊接到PCB上。
Theta_JT （
JT
） ：半导体结和包装件的顶面之间的热阻，假设它是
在同一温度下通过一个顶侧的散热片保持。
Theta_JA （ Θ
JA
） ：结点和环境，依赖于PCB设计，散热和气流之间的热阻。
给出的值是用于自然对流不带散热片，使用的是2S2P板，如在JEDEC标准JESD51-2指定
JESD51-5和JESD51-7 ，根据。
Psi_JB （
JB
） ：热特性参数提供半导体结温的相关性
注4.热环境应用电路板参考点定义的SOIC - 8封装，电路板
参考被定义为相邻的6引脚PCB的铜。
Psi_JT （
JT
） ：热特性参数提供半导体结温之间的相关性
中心的包装的顶部附注4所述的热环境。
JL(2)
38
JT(3)
29
JA(4)
87
JB(5)
41
JT(6)
2.3
单位
° C / W
5.
6.
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FAN3213 / FAN3214 - 双4A ，高速，低侧栅极驱动器
销刀豆网络gurations
FAN3213
FAN3214
图3.引脚配置（重复）
引脚德网络nitions
针
1
2
3
2
4
7
5
(FAN3213)
5
(FAN3214)
6
7
(FAN3213)
7
(FAN3214)
8
名字
NC
INA
GND
INA
INB
OUTA
引脚说明
无连接。
该引脚可接地或悬空。
输入通道A.
地面上。
用于输入和输出电路的公共接地参考。
输入通道A.
输入通道B.
栅极驱动输出答：
保持为低电平，除非所需的输入（S ）存在和V
DD
以上是
UVLO阈值。
栅极驱动输出B
（从输入反相） ：保持为低电平，除非需要输入
目前和V
DD
高于UVLO阈值。
栅极驱动输出B：
保持为低电平，除非所需的输入（S ）存在和V
DD
以上是
UVLO阈值。
电源电压。
提供电源IC 。
栅极驱动输出A
（从输入反相） ：保持为低电平，除非需要输入
目前和V
DD
高于UVLO阈值。
栅极驱动输出答：
保持为低电平，除非所需的输入（S ）存在和V
DD
以上是
UVLO阈值。
无连接。
该引脚可接地或悬空。
OUTB
OUTB
VDD
OUTA
OUTA
NC
输出逻辑
FAN3213 （ X = A或B ）
INX
0
1
(7)
0
1
(7)
FAN3214 （ X = A或B ）
INX
0
(7)
1
0
(7)
1
的OUTx
0
0
0
1
的OUTx
0
0
1
0
注意：
如果是由无外部连接7.默认的输入信号。
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FAN3213 / FAN3214 - 双4A ，高速，低侧栅极驱动器
方框图
图4. FAN3213框图
图5. FAN3214框图
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FAN3213 / FAN3214 - 双4A ，高速，低侧栅极驱动器
绝对最大额定值
应力超过绝对最大额定值可能会损坏设备。该设备可能不能正常运行或
操作上面推荐的工作条件，并强调部分这些级别是不推荐的。
此外，过度暴露在高于推荐的工作条件下，会影响器件的可靠性。
绝对最大额定值仅为应力额定值。
符号
V
DD
V
IN
V
OUT
T
L
T
J
T
英镑
ESD
VDD至PGND
参数
INA ， INA + ， INA- ， INB ， INB +和INB-到GND
OUTA和OUTB到GND
引线焊接温度（ 10秒）
结温
储存温度
静电放电
防护等级
人体模型， JEDEC JESD22- A114
带电器件模型， JEDEC JESD22- C101
分钟。
-0.3
马克斯。
20.0
单位
V
V
V
C
C
C
kV
GND - 0.3 V
DD
+ 0.3
GND - 0.3 V
DD
+ 0.3
+260
-55
-65
4
1
+150
+150
推荐工作条件
推荐的操作条件表德网络网元设备的实际运行情况。推荐
工作条件规定，以确保最佳性能达到数据表规格。飞兆半导体不
建议超过或设计，以绝对最大额定值。
符号
V
DD
V
IN
T
A
电源电压范围
参数
输入电压INA ， INA + ， INA- ， INB ， INB +和INB-
工作环境温度
分钟。
4.5
0
-40
马克斯。
18.0
V
DD
+125
单位
V
V
C
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AN-6069
应用说明
该电路的波形的MOSFET导通成
钳位电感性负载中示出了图2中。
在时间t1时，我
G
增加快速充电
的C组合
GS
和C
GD
至栅极的阈值电压
V
TH
通过在图3所示的路径（ a）所示。在此间隔中，
在MOSFET进行无电感电流。
作为间隔t2开始时，MOSFET开始导通电流
在所述线性模式为：
V
DD
V
GS
V
PL
V
TH
I
L
I
DS
I
D
=
g
m
( V
GS
V
TH
)
(1)
通过在图3所示的电流路径（ b）所示。并行
的C组合
GD
和C
GS
从阈值被充电
电压由下式给出一个平台级别
V
PL
=
I
D
+
V
TH
g
m
(2)
V
O
V
DS
I
PK
I
G
I
PL
t1
t2
t3
t4
作为漏电流上升，从零到我
L
. Q
GS2
是电荷
这个过渡过程中需要，可以从所确定的
MOSFET数据表的特性曲线，如图
应用实例在本节后面介绍。 Q
GS2
允许对需要这种过渡时间计算：
t 2
=
t
IDS ，上升
=
Q
GS 2
I
G
(3)
时间
图2中。
MOSFET开启带感性负载
整个T2 ，V
DS
保持在V
OUT
通过二极管D钳制
在t2结束时，在MOSFET导通的全部余
L
当前
和二极管整流。
作为间隔t3的开始，栅极电流流过
C
GD
并且，如图3中的MOSFET通道（c ） 。所有
我
G
用来释放
GD
为V
GS
保持在V
PL
和
V
DS
开始下降与给定的时间段：
图3表示在该有源栅极电流路径
在MOSFET的各个间隔打开-on过程。
t3
=
t
VDS ，秋天
=
Q
GD
I
G
(4)
在间隔T4我
G
流经℃的组合
GS
, C
GD
,
而降低通道电阻R
DS
，如图
图3 （ d）所示。在t4时，栅极 - 源极电压从上升
高原级到V
DD
。这允许确定的
总栅极电荷Q
G，T
到开启MOSFET需要。
作为漏极电流t2和V中上升
DS
T3在下降，
该MOSFET的同步高两端的电压，并
高的电流流过它，所以瞬时功率
可以是非常高的。一个方程与我
G
于切换
区间转弯过程中的损失是：
Q
Q
V
×
I
P
SW ，ON
=
在LOAD
(
f
SW
)
GS2
+
GD
I
2
I
G，T 3
G，T 2
网络连接gure 3 。
当前路径在MOSFET开启
(5)
R
G
代表MOSFET的串联组合
连同任何串联门极电阻的内部栅极电阻。
R
HI
表示驾驶者的内阻，其
在整个开关周期有效值的变化。
如下图所示，驱动电流，我
G
，由下式确定
在参考文献提出了组合信息[1]和[2]。
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修订版1.0.3 10年1月6日
该方程表示I的大小的重要性
G
相对于开关损耗。不幸的是，有
没有正规方程计算当前可从
定的驱动程序，作为输出电压摆幅在其整个
范围内。经验方法可确定的I值
G
at
不同的驱动器的输出电压电平，并在呈现
部分“评估在台驱动程序”下面。
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2
AN-6069
应用说明
对于一个实际的例子中，栅极 - 源极电压相对于总
栅极电荷从仙童FCP20N60转载
图4.功率MOSFET数据表中的曲线
使用测试电路，其驱动的栅极产生的
被测设备（ DUT）的具有小电流源
3毫安。在本实施例中，栅极电荷所需的到达
3V的阈值电压约为7nC 。充电
在间隔t2 ，Q所需
GS2
被发现为14nC - 7nC
= 7nC 。在时间间隔t3时， Q的值
GD
被发现是Q
GD
=
46nC - 14nC = 32nC 。 Q在这个典型的案例，效果
GD
对开关损耗比更显著
从Q产生的贡献
GS2
.
V
DD
V
GS
V
PL
V
TH
I
L
I
DS
FCP20N60
V
o
V
DS
I
G
t1
t2
t3
t4
-I
PL
-I
PK
t5
图5中。
时间
t6
t7
t8
图4中。
V
GS
与Q
g
对于FCP20N60
MOSFET关闭感性负载
随着V
GS
在最终的驱动电平，对于Q值
G，总
是已知的。
您的偏置电源所需的平均电流：
I
DD
=
Q
G
f
SW
(6)
在T5的时间间隔，我
G
上升到放电V
GS
从V
DD
对
由（2）定义的平台水平。在T6的时间间隔，V
GS
遗体
在高原的电压，而V
DS
上升到断开状态的电压。
T6的时间间隔持续近似为一个时间：
其中f
sw
是功率级的开关频率。
与已知的平均电流的要求，输入
电源从V画
DD
偏压电源，可以发现如下：
t 6
=
t
VDS ，上升
=
Q
GD
I
G
(8)
P
dr
=
V
DD
I
DD
=
V
DD
Q
G
f
SW
(7)
该电路的波形，并在电感电流路径
负载关闭类似于那些用于导通，但在采取
相反的顺序进行。为简便起见，该电路的波形是
如图5所示，但电流路径中未示出。
在t7的时间间隔，则漏极电流I
DS
从I的值落在
L
为0，而V
GS
从V瀑布
PL
到V
TH
。这个时间间隔是
由下式给出：
t7
=
t
IDS ，秋天
=
Q
GS,2
I
G
(9)
在T8间隔，V
GS
从阈排出
电压为零。
一个方程与我
G
到转弯时的开关损耗
关间隔由下式给出：
Q
Q
V
×
I
P
SW .OFF
=
在LOAD
(
f
SW
)
GD
+
GS 2
I
2
I
G，T 7
G，T 6
(10)
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3
AN-6069
应用说明
同步整流操作
经营作为同步整流器，MOSFET （ SR ）
经历的切换间隔显著不同于
一个钳位电感性负载的情况下。图6示出
用简化的正向转换器功率级
同步整流Q
SR
代替续流二极管的。
t
关闭
=
Q
Q， SR
I
G
(11)
其中Q
QSR
在参考[3]定义为：
Q
Q， SR
=
(C
GS
+
C
GD ， SR
)
V
DD
此外，在参考文献[3 ] ，C
GS ， SR
被估计为：
(12)
C
GD ， SR
=
2
C
RSS ， SPEC
V
DS ， SPEC
0.5
V
DD
(13)
从标准MOSFET的命名：
C
GS
=
C
国际空间站
C
RSS
(14)
图6 。
简化的正向转换器
在本例中，由控制产生一个SR信号
电路跨过隔离边界，以保持
同步整流Q
SR
上而Q1关断。然而，该
SR信号应指挥Q
SR
Q 1匝之前关闭
上施加正电压施加到变压器。图7
示出了用于示出关断序列4的间隔
的同步整流器。
V
美国证券交易委员会
V
DC
V
美国证券交易委员会
V
DC
在图7 （ b）中， MOSFET完全关闭，我
L
通过FL OWS
体二极管，和V
美国证券交易委员会
极性没有改变。
当V
美国证券交易委员会
改变极性，如图7（ c）所示，
从V电流FL OWS
美国证券交易委员会
恢复所存储的体二极管
充二极管整流。在图7 （ d）所示，体
二极管已经完全康复和V
DS
迅速上升。该
高dv / dt的MOSFET的漏极可导致电容
电流流过了C
DS
/C
GS
分压器，所以
驱动程序具有很强的灌电流能力是必不可少举行
低于阈值电压的栅极电压。
在同步整流器应用，我
G
不影响
开关损耗，因为它在被夹持的电感性负载做
应用程序。然而，用在SR的并联MOSFET
应用需要高的电流脉冲切换
有效地和高电流驱动器通常位于
近在咫尺。
+
C
GD
R
G
-
D
R
DS
I
L
+
C
GD
-
I
L
D
变压器驱动应用
DBD
DBD
R
G
C
GS
R
低
C
DS
C
GS
I
G
R
低
S
S
(b)
(a)
V
DC
V
美国证券交易委员会
V
DC
-
V
美国证券交易委员会
C
GD
I
L
I
L
+ D
I
G
C
DS
DBD
-
+
C
GD
C
DS
D
在功率转换器，例如一个半桥，全桥，双
开关正激转换器;和有源钳位正激
转换器有高压侧开关或组合
必须控制的高/低的开关。如果电
隔离不控制和电源之间需要
开关，所述的MOSFET可被驱动与
半导体半桥栅极驱动器，但内在
传播延迟必须在设计中加以考虑。为
需要隔离，或可从短受益电路
传播延迟，栅极驱动变压器应
认为是一个潜在的解决方案。
在一个相关的应用中，通常需要提供高
初级和次级之间的高速通信
分离的转换器的两侧。这是可以实现
使用的技术，如光隔离数字输出
或磁脉冲变压器。这些脉冲变压器
类似于栅极驱动变压器，但它们仅
传输逻辑信号，而不是提供所需
高电流脉冲把一个功率MOSFET开启和关闭。
图8所示的简化的电路是用来说明本
一个低侧驱动器和脉冲变压器的基本动作
在通信电路中使用。变压器显示
作为理想变压器匝数比NP： NS = 1： 1并联
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4
R
G
R
低
C
GS
R
G
R
低
DBD
C
GS
S
(c)
(d)
S
图7 。
SR MOSFET关闭
先关闭时，MOSFET导通负载电流的余
L
通过该电阻通道
DS
和漏极 - 源极
电压是负的。在图7 （a）该驱动器的输出是
低和C的组合
GD
和C
GS
在放电
平行于由给定的时间间隔：
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