EDAL
系列F3，F4 ，F5， F6，F7
广颖电整流器
EDAL F系列电源整流器螺柱安装DO - 5封装。因为硅结仔细装配的玻璃对金属的内
密封的情况下，可靠的操作是有保证的，即使有极端湿度等恶劣的环境条件下。 F系列
功率整流器是完全耐腐蚀。双扩散，钝化结技术是用来提供稳定一致的
电特性。固有的设计是非常低的漏电流和出色的浪涌处理能力。标准，散装雪崩
并且，可以在50至1500伏的PIV的额定电压的快速恢复类型。 F系列电源整流器也是反极性可用
提供扩展应用参数。 EDAL F系列电源整流器非常适合于广泛的商业和军事用途，包括
电源供应器，超声波系统，逆变器，电焊机，应急发电机，电池充电器，直流电动机和电机控制
.
特定网络阳离子
PIV
伏
50
100
200
250
300
350
400
500
600
700
800
1000
1200
1500
30
AMP
F3A3
F3B3
F3C3
F3D3
F3E3
F3F3
F3G3
F3H3
F3K3
F3M3
F3N3
F3P3
F3R3
F3S3
37
AMP
F4A3
F4B3
F4C3
F4D3
F4E3
F4F3
F4G3
F4H3
F4K3
F4M3
F4N3
F4P3
F4R3
F4S3
45
AMP
F5A3
F5B3
F5C3
F5D3
F5E3
F5F3
F5G3
F5H3
F5K3
F5M3
F5N3
F5P3
F5R3
F5S3
70
AMP
F6A3
F6B3
F6C3
F6D3
F6E3
F6F3
F6G3
F6H3
F6K3
F6M3
F6N3
F6P3
F6R3
F6S3
85
AMP
F7A3
F7B3
F7C3
F7D3
F7E3
F7F3
F7G3
F7H3
F7K3
F7M3
F7N3
F7P3
F7R3
F7S3
电气额定值
F3
最大正向电流单相半波
案例温度oC
IO AMPS
最大浪涌电流
单周期安培
最大正向压降@ 25℃案例
IO AMPS
VF电压
最大反向电流
FCA @ 150℃马
最大I2T （小于8毫秒）
Amps2-Sec
反向功率为散装雪崩（焦耳）
贮藏温度oC
工作温度oC
热阻抗最大
（结点到外壳）℃ /瓦最大
JEDEC风格
124
30
300
90
1.3
1.0
350
0.6
-65 200
-65至190
1.8
DO5
F4
123
37
600
90
1.2
2.0
1500
0.6
-65 200
-65至190
1.5
DO5
F5
122
45
700
90
1.15
2.0
2100
0.6
-65 200
-65至190
1.25
DO5
F6
138
70
1200
200
1.29
2.0
6000
0.6
-65 200
-65至190
0.65
DO5
F7
132
85
1500
200
1.2
2.0
9300
0.6
-65 200
-65至190
0.6
DO5
F5D1/2/3
的AlGaAs红外发光二极管
包装尺寸
0.209 (5.31)
0.184 (4.67)
描述
该F5D系列是880的纳米LED
窄角， TO- 46封装。
0.030 (0.76)
喃
0.255 (6.48)
特点
1.00 (25.4)
民
良好的光学机械调整
阳极
（案例）
机械和波长匹配
到TO- 18系列光电晶体管
密封包装
高辐射水平
概要
阳极
（接
以案例）
阴极
3
0.100 (2.54)
0.050 (1.27)
1
1
0.040 (1.02)
0.040 (1.02)
45°
3
0.020 (0.51) 2X
注意事项：
1，外形尺寸为所有的图纸都是以英寸（毫米） 。
在所有非标称尺寸2.公差± 0.010 （ 0.25 ）
除非另有规定ED 。
1.减免功耗线性1.70毫瓦/ ° C以上25 ° C的环境。
2.减免功耗线性13.0毫瓦/°C， 25°C以上的情况下。
3. RMA助焊剂，推荐。
4，甲醇，异丙醇酒精建议清洗
代理商。
5.烙铁头
1/16”
（ 1.6毫米）从最低住房。
6.只要线索都没有在任何压力或弹簧张力
7，总输出功率，P
O
是总功率由装置发射到
为2的立体角
!
球面度。
绝对最大额定值
参数
工作温度
储存温度
焊接温度（铁）
（ 3,4,5和6）
焊接温度（流动）
（ 3,4和6）
连续正向电流
正向电流（ PW ，为10μs ;为100Hz ）
正向电流（ PW ，为1μs ; 200Hz时）
反向电压
功率耗散（T
A
= 25°C)
(1)
功率耗散（T
C
= 25°C)
(2)
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
符号
T
OPR
T
英镑
T
SOL -I
T
SOL -F
I
F
I
F
I
F
V
R
P
D
P
D
等级
-65到+125
-65到+150
240 ，持续5秒
260 ，持续10秒
100
3
10
3
170
1.3
单位
°C
°C
°C
°C
mA
A
A
V
mW
W
电/光特性
参数
测试条件
(T
A
= 25 ℃）（脉冲条件下进行所有的测量）
民
典型值
最大
单位
符号
峰值发射波长
发射角为1/2电源
正向电压
反向漏电流
总功率F5D1
(7)
总功率F5D2
(7)
总功率F5D3
(7)
上升时间输出的0-90 ％
下降时间输出100-10 ％
I
F
= 100毫安
I
F
= 100毫安
I
F
= 100毫安
V
R
= 3 V
I
F
= 100毫安
I
F
= 100毫安
I
F
= 100毫安
＆ QUOT ;
P
#
V
F
I
R
P
O
P
O
P
O
t
r
t
f
—
—
—
—
12.0
9.0
10.5
—
—
880
±8
—
—
—
—
—
1.5
1.5
—
—
1.7
10
—
—
—
—
—
nm
度。
V
A
mW
mW
mW
s
s
2001年仙童半导体公司
DS300286
4/24/01
1第3
www.fairchildsemi.com
F5D1/2/3
的AlGaAs红外发光二极管
放弃
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IN;它也没有传达根据其专利权的任何执照，也没有他人的权利。
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其中， （ a）打算通过外科手术系统
植入到体内，或（b ）支持或维持生命，
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用于按照提供的使用说明
在标签，可以合理预期导致
显著伤害用户。
在生命支持任何组件2.关键部件
设备或系统，其未能履行可
合理预期造成生命的失败
支持设备或系统，或影响其安全性或
有效性。
DS300286
4/24/01
3 3
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