FGPF4533 330V ， PDP沟道IGBT
2010年8月
FGPF4533
330V ， PDP IGBT
特点
高电流能力
低饱和电压： V
CE （SAT）
= 1.55 V @ IC = 50 A
高输入阻抗
快速开关
符合RoHS
概述
采用新颖的沟道型IGBT技术，飞兆半导体的新型系列
沟道IGBT提供最佳性能的PDP的应用
系统蒸发散需要低导通和开关损耗是必不可少的。
应用
PDP系统
GC ê
TO-220F
（可伸缩）
绝对最大额定值
符号
V
CES
V
GES
I
-C脉冲（ 1 ） *
P
D
T
J
T
英镑
T
L
描述
集电极到发射极电压
门到发射极电压
集电极电流
最大功率耗散
最大功率耗散
工作结温
存储温度范围
最大的铅温度。焊锡
目的， 1/8“从案例5秒
@ T
C
= 25
o
C
@ T
C
= 25
o
C
@ T
C
= 100
o
C
评级
330
±
30
200
28.4
11.4
-55到+150
-55到+150
300
单位
V
V
A
W
W
o
o
o
C
C
C
热特性
符号
R
θJC
（IGBT）
R
θJA
注意事项：
（ 1 ）半正弦波，D < 0.01 ，时脉宽度< 5
μ
美国证券交易委员会
* Ic_pluse由TJ最大限制
参数
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
典型值。
-
-
马克斯。
4.4
62.5
单位
o
o
C / W
C / W
2010仙童半导体公司
FGPF4533版本B
1
www.fairchildsemi.com
FGPF4533 330V ， PDP沟道IGBT
包装标志和订购信息
器件标识
FGPF4533
设备
FGPF4533TU
包
TO-220F
包装
TYPE
管
每管数量
50ea
最大数量
每盒
-
IGBT的电气特性
符号
开关特性
BV
CES
ΔBV
CES
ΔT
J
I
CES
I
GES
T
C
= 25 ° C除非另有说明
参数
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
集电极到发射极击穿电压V
GE
= 0V时，我
C
= 250μA
分解温度系数
电压
集电极截止电流
G- ê漏电流
V
GE
= 0V时，我
C
= 250μA
V
CE
= V
CES
, V
GE
= 0V
V
GE
= V
GES
, V
CE
= 0V
330
-
-
-
-
0.3
-
-
-
-
100
±400
V
V/
o
C
μA
nA
基本特征
V
GE （日）
G- ê阈值电压
I
C
= 250μA ，V
CE
= V
GE
I
C
= 20A
,
V
GE
= 15V
V
CE （ SAT ）
集电极到发射极
饱和电压
I
C
= 50A
,
V
GE
= 15V,
T
C
= 25
o
C
I
C
= 50A
,
V
GE
= 15V,
T
C
= 125
o
C
动态特性
C
IES
C
OES
C
水库
输入电容
输出电容
反向传输电容
V
CE
= 30V
,
V
GE
= 0V,
F = 1MHz的
-
-
-
1294
57
41
-
-
-
pF
pF
pF
2.4
-
-
-
3.3
1.15
1.55
1.6
4.0
-
1.8
-
V
V
V
V
开关特性
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
ge
Q
gc
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
门极 - 发射极充
门到集充电
V
CE
= 200V
,
I
C
= 20A
V
GE
= 15V
V
CC
= 200V ，我
C
= 20A,
R
G
= 5Ω, V
GE
= 15V,
阻性负载，T
C
= 125
o
C
V
CC
= 200V ，我
C
= 20A
R
G
= 5Ω, V
GE
= 15V
阻性负载，T
C
= 25
o
C
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
6
22
40
220
6
24
42
277
44
6
14
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
FGPF4533版本B
2
www.fairchildsemi.com
FGPF4533 330V ， PDP沟道IGBT
典型性能特性
图1.典型的输出特性
200
T
C
= 25 C
o
图2.典型的输出特性
200
T
C
= 125 C
o
20V
15V
12V
10V
20V
15V
12V
10V
集电极电流，I
C
[A]
集电极电流，I
C
[A]
150
V
GE
= 8V
150
100
100
V
GE
= 8V
50
50
0
0
1
2
3
4
5
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
6
0
0
1
2
3
4
5
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
6
图3.典型的饱和电压
特征
200
共发射极
V
GE
= 15V
图4.传输特性
200
共发射极
V
CE
= 10V
集电极电流，I
C
[A]
集电极电流，I
C
[A]
150
T
C
= 25 C
T
C
= 125 C
o
o
150
T
C
= 25 C
T
C
= 125 C
o
o
100
100
50
50
0
0
1
2
3
4
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
5
0
0
2
4
6
8
10
栅极 - 发射极电压，V
GE
[V]
12
图5.饱和电压与案例
温度变电流等级
1.7
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
共发射极
V
GE
= 15V
50A
图6.饱和电压与V
GE
20
共发射极
集电极 - 发射极电压
,
V
CE
[V]
1.6
1.5
1.4
1.3
1.2
1.1
1.0
T
C
= 25 C
o
16
12
50A
30A
8
30A
I
C
= 20A
4
I
C
= 20A
0
20
40
60
80
100 120 140
o
集电极 - EmitterCase温度，T
C
[
C
]
0
0
4
8
12
16
栅极 - 发射极电压V
GE
[V]
20
FGPF4533版本B
3
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FGPF4533 330V ， PDP沟道IGBT
典型性能特性
图7.饱和电压与V
GE
20
共发射极
T
C
= 125 C
o
图8.电容特性
2400
2000
电容[ pF的]
共发射极
V
GE
= 0V ， F = 1MHz的
T
C
= 25 C
o
集电极 - 发射极电压，V
CE
[
V
]
16
1600
C
IES
12
50A
1200
800
400
0
0.1
C
OES
C
水库
8
30A
4
I
C
= 20A
0
0
4
8
12
16
栅极 - 发射极电压V
GE
[V]
20
1
10
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
30
图9.栅极电荷特性
15
共发射极
o
图10. SOA特征
500
栅极 - 发射极电压V
GE
[V]
T
C
= 25 C
100
集电极电流，I
c
[A]
10
μ
s
100
μ
s
1ms
10毫秒
DC
12
V
CC
= 100V
200V
10
9
6
1
单非重复性
脉冲TC = 25℃
曲线必须降低
线性增长
温度
3
0.1
0
0
15
30
栅极电荷，Q
g
[ NC ]
45
0.01
0.1
1
10
100
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
1000
图11.导通特性上与
栅极电阻
100
图12.关断特性对比
栅极电阻
1000
t
f
开关时间[ NS ]
t
r
开关时间[ NS ]
10
t
D（上）
共发射极
V
CC
= 200V, V
GE
= 15V
I
C
= 20A
T
C
= 25 C
T
C
= 125 C
o
o
100
共发射极
V
CC
= 200V, V
GE
= 15V
I
C
= 20A
T
C
= 25 C
T
C
= 125 C
o
o
t
D（关闭）
1
10
0
10
20
30
40
栅极电阻，R
G
[
Ω
]
50
0
10
20
30
40
50
栅极电阻，R
G
[
Ω
]
FGPF4533版本B
4
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FGPF4533 330V ， PDP沟道IGBT
典型性能特性
图13.导通特性上的VS.
集电极电流
100
图14.关断特性对比
集电极电流
400
t
r
t
f
开关时间[ NS ]
开关时间[ NS ]
100
10
t
D（上）
共发射极
V
GE
= 15V ，R
G
= 5
Ω
T
C
= 25 C
T
C
= 125 C
o
o
共发射极
V
GE
= 15V ，R
G
= 5
Ω
T
C
= 25 C
T
C
= 125 C
o
o
t
D（关闭）
1
10
20
30
40
50
10
10
20
30
40
50
集电极电流，I
C
[A]
集电极电流，I
C
[A]
图15.开关损耗VS.栅极电阻
5000
共发射极
V
CC
= 200V, V
GE
= 15V
图16.开关损耗VS.集电极电流
1000
1000
开关损耗[ UJ ]
I
C
= 20A
开关损耗[ UJ ]
T
C
= 25 C
T
C
= 125 C
o
o
100
E
关闭
E
关闭
100
E
on
10
E
on
共发射极
V
GE
= 15V ，R
G
= 5
Ω
T
C
= 25 C
T
C
= 125 C
o
o
10
0
10
20
30
40
栅极电阻，R
G
[
Ω
]
50
1
10
20
30
40
50
集电极电流，I
C
[A]
图17.关闭开关SOA特征
500
100
集电极电流，I
C
[A]
10
1
安全工作区
V
GE
= 15V ，T
C
= 125 C
o
0.1
1
10
100
500
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
FGPF4533版本B
5
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