ESMT
FL灰
特点
单电源电压2.7 3.6V
标准,双SPI
速度
- 读取最大频率: 33MHz的
- 快速阅读最大频率: 50MHz的; 100MHz的
- 快速阅读的双最高频率: 50MHz的/ 100MHz的
(为100MHz / 200MHz的双等值SPI )
低功耗
- 工作电流: 35毫安
- 待机电流: 30
μ
A
可靠性
- 100,000次编程/擦除周期
- 20岁的数据保留
节目
- 字节编程时间: 7
μ
S(典型值)
- 页编程时间: 1.5毫秒(典型值)
抹去
- 芯片擦除时间为10秒(典型值)
- 块擦除时间为1秒(典型值)
- 扇区擦除时间90毫秒(典型值)
网页编程
- 每个可编程页256字节
F25L08PA
3V只有8兆位串行闪存,配有双
自动地址递增( AAI)字编程
- 降低整个芯片的编程时间
字节编程操作
可锁定4K字节的OTP安全部门
SPI串行接口
- SPI兼容:模式0和模式3
编程或擦除检测结束
写保护(
WP
)
保持引脚( HOLD )
所有无铅产品均符合RoHS标准
订购信息
产品编号
F25L08PA -50PG
F25L08PA -100PG
F25L08PA -50PAG
F25L08PA -100PAG
F25L08PA -50DG
F25L08PA -100DG
速度
50MHz
100MHz
50MHz
100MHz
50MHz
100MHz
包
8引脚SOIC
8引脚SOIC
8引脚SOIC
8引脚SOIC
8引脚PDIP
8引脚PDIP
150mil
150mil
200mil
200mil
300mil
300mil
评论
无铅
无铅
无铅
无铅
无铅
无铅
概述
该F25L08PA是8Megabit ,只有3V CMOS串行闪存
存储器设备。该器件支持标准的串行
外围接口(SPI) ,和一个双SPI 。 ESMT的记忆
设备可靠地存储内存中的数据,即使10万
编程和擦除周期。
存储器阵列可以被组织成4096的可编程
每256字节的页。 1到256字节可以在编程
时间的页面编程指令。该装置也可以是
编程,以降低整个芯片的编程时间与汽车
地址递增( AAI )编程。
该器件具有扇区擦除架构。在存储器阵列
分为256个行业均匀每4K字节; 16均匀
块,每个64K字节。扇区可单独擦除
在不影响其他部门的数据。块可擦除
单独地在不影响在其它块中的数据。整个芯片
擦除功能,能够灵活地修改了数据
装置。该器件具有行业,阻止或芯片擦除,但没有任何页面
抹去。
该部门保护/撤消功能禁用这两个方案,并
中的扇区的任意组合擦除操作
内存。
晶豪科科技有限公司
出版日期:
2009年7月
修订: 1.7
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ESMT
表1 : F25L08PA扇区地址表 - 续
扇区大小
(千字节)
4KB
:
4KB
4KB
:
4KB
4KB
:
4KB
块地址
A19 A18
0
0
A17
1
A16
0
块
扇形
47
2
:
32
31
1
:
16
15
0
:
0
地址范围
02F000H - 02FFFFH
:
020000H - 020FFFH
01F000H - 01FFFFH
:
010000H - 010FFFH
00F000H - 00FFFFH
:
000000 - 000FFFh
0
0
0
0
0
0
0
1
F25L08PA
状态寄存器
软件状态寄存器提供了有关是否闪光灯状态
存储阵列可用于任何读写操作,
该设备是可写,而存储器的状态
写保护。在内部擦除或编程操作,
状态寄存器可以仅读取,以确定在完成
在正在进行的操作。表2描述的功能
在软件状态寄存器的每一位。
表2 :软件状态寄存器
位
0
1
2
3
4
5
6
7
注意:
1.只有BP0 , BP1 , BP2和BPL都是可写的。
2.所有寄存器位波动
3.所有区被保护在电源接通( BP2 = BP1 = BP0 = 1)
名字
忙
WEL
BP0
BP1
BP2
版权所有
AAI
BPL
功能
1 =内部写操作正在进行中
0 =没有内部写操作正在进行中
1 =器件内存写入启用
0 =器件不内存写入启用
指示块写保护目前的水平(见表3 )
指示块写保护目前的水平(见表3 )
指示块写保护目前的水平(见表3 )
留作将来使用
自动地址递增编程状态
1 = AAI编程模式
0 =页面编程模式
1 = BP2 , BP1 , BP0为只读位
0 = BP2 , BP1 , BP0读/写
默认情况下,在
上电
0
0
1
1
1
0
0
0
读/写
R
R
读/写
读/写
读/写
不适用
R
读/写
晶豪科科技有限公司
出版日期:
2009年7月
修订: 1.7
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