FDS6990AS双30V N沟道的PowerTrench
SyncFET
2005年3月
FDS6990AS
双路30V
-
沟道PowerTrench
SyncFET
特点
■
7.5 A， 30 V
DS （ ON）
= 22 m
@ V
GS
= 10 V
R
DS （ ON）
= 28 m
@ V
GS
= 4.5 V
■
包括SyncFET肖特基二极管
■
低栅极电荷（ 10NC典型值）
■
高性能沟道技术极低
R
DS （ ON）
■
高功率和电流处理能力
概述
该FDS6990AS是用来取代双SO- 8 MOSFET
和两个肖特基二极管同步DC ：直流电源支持
层数。该30V MOSFET的设计最大限度地提高功率变
版本EF网络效率，提供了低R
DS （ ON）
和低栅极电荷。
每个MOSFET包括使用Fair-集成肖特基二极管
孩子的单片SyncFET技术。的性能
FDS6990AS作为一个同步整流器器的低压侧开关是
类似于FDS6990A的平行带的性能
肖特基二极管。
应用
■
DC / DC转换器
■
电机驱动
D1
D2
D2
D1
5
Q1
4
3
2
Q2
6
SO-8
销1
S2
G2
S1
G1
7
8
1
绝对最大额定值
T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
P
D
漏源电压
栅源电压
漏电流
- 连续
- 脉冲
功耗双操作
功率消耗单操作
（注1A ）
（注1B ）
（注1C ）
T
J
, T
英镑
R
θ
JA
R
θ
JC
工作和存储结温范围
（注1A ）
参数
评级
30
±
20
7.5
20
2
1.6
1
0.9
-55到+150
单位
V
V
A
W
°
C
°
C / W
°
C / W
热特性
热阻，结到环境
热阻，结到外壳
（注1A ）
（注1 ）
78
40
包装标志和订购信息
器件标识
FDS6990AS
FDS6990AS
设备
FDS6990AS
FDS6990AS_NL （注4 ）
带尺寸
13"
13"
胶带宽度
12mm
12mm
QUANTITY
2500台
2500台
2005仙童半导体公司
1
www.fairchildsemi.com
FDS6990AS版本A
FDS6990AS双30V N沟道的PowerTrench
SyncFET
电气特性
T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
开关特性
BV
DSS
BV
DSS
T
J
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
T
J
R
DS （ ON）
漏源击穿电压
击穿电压温度
COEF网络cient
零栅极电压漏极电流
门体漏
V
GS
= 0 V，I
D
= 1毫安
I
D
= 1毫安，被引用到25
°
C
V
DS
= 24 V, V
GS
= 0 V
V
GS
=
±
20 V, V
DS
= 0 V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 1毫安
I
D
= 1毫安，被引用到25
°
C
V
GS
= 10 V，I
D
= 7.5 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 7.5 A，T
J
= 125
°
C
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 6.5 A
V
GS
= 10 V, V
DS
= 5 V
V
DS
= 15 V，I
D
= 10 A
V
DS
= 15 V, V
GS
= 0 V,
F = 1.0 MHz的
20
29
1
1.7
–3
17
26
21
22
35
28
30
31
500
±
100
3
V
毫伏/
°
C
A
nA
参数
测试条件
民
典型值
最大
单位
基本特征
（注2 ）
栅极阈值电压
栅极阈值电压
温度COEF网络cient
静态漏源
导通电阻
通态漏电流
正向跨导
V
毫伏/
°
C
m
I
D（上）
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
G
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G（ TOT ）
Q
g
Q
gs
Q
gd
I
S
V
SD
t
rr
Q
rr
A
S
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
V
GS
= 15 mV时， F = 1.0 MHz的
V
DS
= 15 V，I
D
= 1 A,
V
GS
= 10 V ，R
根
= 6
550
330
60
3.1
pF
pF
pF
16
10
38
88
18
16
24
10
14
8
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
nC
开关特性
（注2 ）
导通延迟时间
开启上升时间
关断延迟时间
关断下降时间
导通延迟时间
开启上升时间
关断延迟时间
关断下降时间
总栅极电荷在VGS = 10V
总栅极电荷在VGS = 5V
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DD
= 15 V，I
D
= 10 A，V
GS
= 5 V
V
DS
= 15 V，I
D
= 1 A,
V
GS
= 4.5 V ，R
根
= 6
8
5
24
4
9
8
14
5
10
6
1.5
2.0
漏源二极管的特性和最大额定值
最大连续漏源二极管的正向电流
漏源二极管正向
电压
二极管的反向恢复时间
二极管的反向恢复电荷
V
GS
= 0 V，I
S
= 2.3 A
I
F
= 10A,
d
iF
/d
t
= 300 A / μs的
（注3）
（注2 ）
0.6
18
11
2.9
0.7
A
V
nS
nC
2
FDS6990AS版本A
www.fairchildsemi.com
FDS6990AS双30V N沟道的PowerTrench
SyncFET
注意事项：
1. R
θ
JA
是结点到外壳和外壳到环境的热阻，其中热的情况下引用德网络定义为漏极引脚焊锡安装面的总和。
R
θ
JC
由设计而
= CA
是通过用户的电路板的设计来确定。
一个），安装时78℃ / W的
在一个0.5
2
的2盎司垫
铜
B） 125 ° C / W时，
安装在一个0.02
2
2盎司纯铜垫
C） 135 ° C / W时，
安装在一
最小焊盘。
在信纸尺寸的纸张1 ： 1规模
2.脉冲测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 2.0 ％
3.请参阅“ SyncFET肖特基体二极管的特性”的。
4. FDS6990AS_NL是无铅产品。该FDS6990AS_NL标志将出现在卷标上。
3
FDS6990AS版本A
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FDS6990AS双30V N沟道的PowerTrench
SyncFET
典型特征
20
V
GS
= 10V
4.5V
4.0V
3.0V
3.5V
2
V
GS
= 3.0V
R
DS （ ON）
归一化
漏源导通电阻
1.8
I
D
，漏电流（ A）
15
1.6
3.5V
1.4
4.0V
1.2
4.5V
5.0V
6.0V
1
10V
10
5
2.5V
0
0
0.5
1
1.5
2
V
DS
，漏源电压（V ）
0.8
0
4
8
12
I
D
，漏电流（ A）
16
20
图1.区域特征。
图2.导通电阻变化与
漏电流和栅极电压。
0.07
1.6
I
D
= 7.5A
V
GS
= 10V
1.4
I
D
= 3.75A
R
DS （ ON）
归一化
漏源导通电阻
R
DS （ ON）
，导通电阻（ OHM ）
0.06
0.05
1.2
0.04
T
A
= 125
o
C
0.03
1
0.8
0.02
T
A
= 25
o
C
0.6
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
，结温（
o
C)
0.01
2
4
6
8
10
V
GS
，门源电压（ V）
图3.导通电阻变化与
温度。
20
V
DS
= 5V
16
图4.导通电阻变化与
栅极 - 源极电压。
100
V
GS
= 0V
I
S
，反向漏电流（ A）
10
I
D
，漏电流（ A）
12
1
T
A
= 125
o
C
8
T
A
= 125 C
4
25
o
C
0
1.5
2
2.5
3
3.5
V
GS
，门源电压（ V）
o
0.1
25
o
C
-55
o
C
-55
o
C
0.01
0.001
0
0.2
0.4
0.6
0.8
V
SD
，体二极管正向电压（ V）
图5.传输特性。
图6.体二极管正向电压的变化
与源电流和温度。
4
FDS6990AS版本A
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FDS6990AS双30V N沟道的PowerTrench
SyncFET
典型特征
10
I
D
=7.5A
1500
F = 1MHz的
V
GS
= 0V
V
DS
= 10V
20V
6
15V
4
1200
V
GS
，栅源电压（V ）
8
电容（pF）
900
C
国际空间站
600
C
OSS
2
300
C
RSS
0
0
2
4
6
8
10
12
Q
g
，栅极电荷（ NC）
0
0
5
10
15
20
25
30
V
DS
，漏源极电压（ V）
图7.栅极电荷特性。
100
R
DS （ ON）
极限
100s
50
图8.电容特性。
P（ PK） ，峰值瞬态功率（ W）
40
单脉冲
R
θ
JA
= 135 ° C / W
T
A
= 25°C
I
D
，漏电流（ A）
10
100s
1
DC
0.1
V
GS
= 10V
单脉冲
R
θ
JA
= 135
o
C / W
T
A
= 25 C
0.01
0.1
1
10
o
1ms
10ms
1s
10s
30
20
10
0
100
0.001
0.01
0.1
V
DS
，漏源电压（V ）
1
t
1
，时间（秒）
10
100
1000
图9.最高安全工作区。
图10.单脉冲最大
功耗。
R（T ） ，规范有效
瞬态热阻
1
D = 0.5
R
θ
JA
（吨） = R （t）的R *
θ
JA
0.2
R
θ
JA
= 135
° C / W
P（ PK）
t
1
t
2
单脉冲
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
0.01
T
J
– T
A
= P * R
θ
JA
(t)
占空比D = T
1
/ t
2
0.001
0.0001
0.001
0.01
0.1
t
1
，时间（秒）
1
10
100
1000
图11.瞬态热响应曲线。
热特性进行使用注1c中所述的条件。
瞬态热响应将取决于电路板的设计变化。
5
FDS6990AS版本A
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FDS6990AS双30V N沟道的PowerTrench
SyncFET
M
2008年5月
FDS6990AS
双路30V
-
沟道PowerTrench
SyncFET
特点
■
7.5 A， 30 V
DS （ ON）
= 22 m
@ V
GS
= 10 V
R
DS （ ON）
= 28 m
@ V
GS
= 4.5 V
■
包括SyncFET肖特基二极管
■
低栅极电荷（ 10NC典型值）
■
高性能沟道技术极低
R
DS （ ON）
■
高功率和电流处理能力
概述
该FDS6990AS是用来取代双SO- 8 MOSFET
和两个肖特基二极管同步DC ：直流电源支持
层数。该30V MOSFET的设计最大限度地提高功率变
版本EF网络效率，提供了低R
DS （ ON）
和低栅极电荷。
每个MOSFET包括使用Fair-集成肖特基二极管
孩子的单片SyncFET技术。的性能
FDS6990AS作为一个同步整流器器的低压侧开关是
类似于FDS6990A的平行带的性能
肖特基二极管。
应用
■
DC / DC转换器
■
电机驱动
D1
D2
D2
D1
5
6
Q1
4
3
SO-8
销1
S2
G2
S1
G1
7
8
Q2
2
1
绝对最大额定值
T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
P
D
漏源电压
栅源电压
漏电流
- 连续
- 脉冲
功耗双操作
功率消耗单操作
（注1A ）
（注1B ）
（注1C ）
T
J
, T
英镑
R
θJA
R
θJC
工作和存储结温范围
（注1A ）
参数
评级
30
±20
7.5
20
2
1.6
1
0.9
-55到+150
单位
V
V
A
W
°C
° C / W
° C / W
热特性
热阻，结到环境
热阻，结到外壳
（注1A ）
（注1 ）
78
40
包装标志和订购信息
器件标识
FDS6990AS
设备
FDS6990AS
带尺寸
13"
胶带宽度
12mm
QUANTITY
2500台
2008飞兆半导体公司
1
www.fairchildsemi.com
FDS6990AS版本A
1
FDS6990AS双30V N沟道的PowerTrench
SyncFET
电气特性
T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
开关特性
BV
DSS
BV
DSS
T
J
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
T
J
R
DS （ ON）
漏源击穿电压
击穿电压温度
COEF网络cient
零栅极电压漏极电流
门体漏
V
GS
= 0 V，I
D
= 1毫安
I
D
= 1毫安，被引用到25
°
C
V
DS
= 24 V, V
GS
= 0 V
V
GS
=
±
20 V, V
DS
= 0 V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 1毫安
I
D
= 1毫安，被引用到25
°
C
V
GS
= 10 V，I
D
= 7.5 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 7.5 A，T
J
= 125
°
C
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 6.5 A
V
GS
= 10 V, V
DS
= 5 V
V
DS
= 15 V，I
D
= 10 A
V
DS
= 15 V, V
GS
= 0 V,
F = 1.0 MHz的
20
29
1
1.7
–3
17
26
21
22
35
28
30
31
500
±
100
3
V
毫伏/
°
C
A
nA
参数
测试条件
民
典型值
最大
单位
基本特征
（注2 ）
栅极阈值电压
栅极阈值电压
温度COEF网络cient
静态漏源
导通电阻
通态漏电流
正向跨导
V
毫伏/
°
C
m
I
D（上）
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
G
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G（ TOT ）
Q
g
Q
gs
Q
gd
I
S
V
SD
t
rr
Q
rr
A
S
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
V
GS
= 15 mV时， F = 1.0 MHz的
V
DS
= 15 V，I
D
= 1 A,
V
GS
= 10 V ，R
根
= 6
550
330
60
3.1
pF
pF
pF
16
10
38
88
18
16
24
10
14
8
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
nC
开关特性
（注2 ）
导通延迟时间
开启上升时间
关断延迟时间
关断下降时间
导通延迟时间
开启上升时间
关断延迟时间
关断下降时间
总栅极电荷在VGS = 10V
总栅极电荷在VGS = 5V
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DD
= 15 V，I
D
= 10 A，V
GS
= 5 V
V
DS
= 15 V，I
D
= 1 A,
V
GS
= 4.5 V ，R
根
= 6
8
5
24
4
9
8
14
5
10
6
1.5
2.0
漏源二极管的特性和最大额定值
最大连续漏源二极管的正向电流
漏源二极管正向
电压
二极管的反向恢复时间
二极管的反向恢复电荷
V
GS
= 0 V，I
S
= 2.3 A
I
F
= 10A,
d
iF
/d
t
= 300 A / μs的
（注3）
（注2 ）
0.6
18
11
2.9
0.7
A
V
nS
nC
2
FDS6990AS牧师A1
www.fairchildsemi.com
FDS6990AS双30V N沟道的PowerTrench
SyncFET
注意事项：
1. R
θ
JA
是结点到外壳和外壳到环境的热阻，其中热的情况下引用德网络定义为漏极引脚焊锡安装面的总和。
R
θ
JC
由设计而
= CA
是通过用户的电路板的设计来确定。
一个），安装时78℃ / W的
在一个0.5
2
的2盎司垫
铜
B） 125 ° C / W时，
安装在一个0.02
2
2盎司纯铜垫
C） 135 ° C / W时，
安装在一
最小焊盘。
在信纸尺寸的纸张1 ： 1规模
2.脉冲测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 2.0 ％
3.请参阅“ SyncFET肖特基体二极管的特性”的。
4
3
FDS6990AS牧师A1
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FDS6990AS双30V N沟道的PowerTrench
SyncFET
典型特征
20
V
GS
= 10V
4.5V
4.0V
3.0V
3.5V
2
V
GS
= 3.0V
R
DS （ ON）
归一化
漏源导通电阻
1.8
I
D
，漏电流（ A）
15
1.6
3.5V
1.4
4.0V
1.2
4.5V
5.0V
6.0V
1
10V
10
5
2.5V
0
0
0.5
1
1.5
2
V
DS
，漏源电压（V ）
0.8
0
4
8
12
I
D
，漏电流（ A）
16
20
图1.区域特征。
图2.导通电阻变化与
漏电流和栅极电压。
0.07
1.6
I
D
= 7.5A
V
GS
= 10V
1.4
I
D
= 3.75A
R
DS （ ON）
归一化
漏源导通电阻
R
DS （ ON）
，导通电阻（ OHM ）
0.06
0.05
1.2
0.04
T
A
= 125
o
C
0.03
1
0.8
0.02
T
A
= 25
o
C
0.6
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
，结温（
o
C)
0.01
2
4
6
8
10
V
GS
，门源电压（ V）
图3.导通电阻变化与
温度。
20
V
DS
= 5V
16
图4.导通电阻变化与
栅极 - 源极电压。
100
V
GS
= 0V
I
S
，反向漏电流（ A）
10
I
D
，漏电流（ A）
12
1
T
A
= 125
o
C
8
T
A
= 125 C
4
25
o
C
0
1.5
2
2.5
3
3.5
V
GS
，门源电压（ V）
o
0.1
25
o
C
-55
o
C
-55
o
C
0.01
0.001
0
0.2
0.4
0.6
0.8
V
SD
，体二极管正向电压（ V）
图5.传输特性。
图6.体二极管正向电压的变化
与源电流和温度。
4
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FDS6990AS双30V N沟道的PowerTrench
SyncFET
典型特征
10
I
D
=7.5A
1500
F = 1MHz的
V
GS
= 0V
V
DS
= 10V
20V
6
15V
4
1200
V
GS
，栅源电压（V ）
8
电容（pF）
900
C
国际空间站
600
C
OSS
2
300
C
RSS
0
0
2
4
6
8
10
12
Q
g
，栅极电荷（ NC）
0
0
5
10
15
20
25
30
V
DS
，漏源极电压（ V）
图7.栅极电荷特性。
100
R
DS （ ON）
极限
100s
50
图8.电容特性。
P（ PK） ，峰值瞬态功率（ W）
40
单脉冲
R
θ
JA
= 135 ° C / W
T
A
= 25°C
I
D
，漏电流（ A）
10
100s
1
DC
0.1
V
GS
= 10V
单脉冲
R
θ
JA
= 135
o
C / W
T
A
= 25 C
0.01
0.1
1
10
o
1ms
10ms
1s
10s
30
20
10
0
100
0.001
0.01
0.1
V
DS
，漏源电压（V ）
1
t
1
，时间（秒）
10
100
1000
图9.最高安全工作区。
图10.单脉冲最大
功耗。
R（T ） ，规范有效
瞬态热阻
1
D = 0.5
R
θ
JA
（吨） = R （t）的R *
θ
JA
0.2
R
θ
JA
= 135
° C / W
P（ PK）
t
1
t
2
单脉冲
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
0.01
T
J
– T
A
= P * R
θ
JA
(t)
占空比D = T
1
/ t
2
0.001
0.0001
0.001
0.01
0.1
t
1
，时间（秒）
1
10
100
1000
图11.瞬态热响应曲线。
热特性进行使用注1c中所述的条件。
瞬态热响应将取决于电路板的设计变化。
5
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