FFP12UP20DN超快恢复电力整流器
2006年2月
FFP12UP20DN
超快恢复电力整流器
特点
超快软恢复： <为35ns （ @I
F
= 6A)
高反向电压： V
RRM
= 200V
增强的额定雪崩能量
平面施工
应用
输出整流器
开关电源
续流二极管
电源开关电路
1
TO-220
1
2
3
1.阳极2.阴极3.阳极
1.Anode 2.Cathode 3.Anode
绝对最大额定值
符号
V
RRM
V
RWM
V
R
I
F（ AV ）
I
FSM
T
J,
T
英镑
（每二极管）T
C
= 25 ° C除非另有说明
参数
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
平均正向电流整流
非重复性峰值浪涌电流
60Hz单半正弦波
工作结温和存储温度
@ T
C
= 125°C
价值
200
200
200
6
60
- 65 + 150
单位
V
V
V
A
A
°C
热特性
符号
R
θJC
参数
最大热阻，结到外壳
最大
3.5
单位
° C / W
包装标志和订购信息
器件标识
F12UP20DN
设备
FFP12UP20DNTU
包
TO-220
带尺寸
-
胶带宽度
-
QUANTITY
50
2006仙童半导体公司
1
www.fairchildsemi.com
FFP12UP20DN版本A
FFP12UP20DN超快恢复电力整流器
电气特性
符号
V
FM
I
RM
t
rr
t
a
t
b
Q
rr
W
AVL
*
（每二极管）T
C
= 25 ° C除非另有说明
参数
I
F
= 6A
I
F
= 6A
V
R
= 200V
V
R
= 200V
I
F
= 1A ，的di / dt = 100A / μs的，V
CC
= 30V
I
F
= 6A ，的di / dt = 200A / μs的，V
CC
= 130V
I
F
= 6A ，的di / dt = 200A / μs的，V
CC
= 130V
T
C
= 25
°C
T
C
= 100
°C
T
C
= 25
°C
T
C
= 100
°C
T
C
= 25
°C
T
C
= 25
°C
T
C
= 25
°C
T
C
= 25
°C
T
C
= 25
°C
分钟。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
10
典型值。
-
-
-
-
-
-
12
12
24
-
马克斯。
1.15
1.0
100
500
30
35
-
-
-
-
单位
V
V
A
A
ns
ns
ns
ns
nC
mJ
*
雪崩能量（ L = 20mH ）
*脉冲测试：脉冲宽度= 300μS ，占空比= 2 ％
测试电路和波形
FFP12UP20DN版本A
2
www.fairchildsemi.com
FFP12UP20DN超快恢复电力整流器
商标
下面的注册和未注册商标仙童半导体公司拥有或授权使用，不适合于
将所有这些商标的详尽清单。
A
CEX
ActiveArray
深不见底
构建它现在
CoolFET
CROSSVOLT
DOME
EcoSPARK
E
2
CMOS
Ensigna
FACT
FACT静音系列
快
FASTr
FPS
FRFET
GlobalOptoisolator
GTO
HiSeC
I
2
C
我罗
ImpliedDisconnect
的IntelliMAX
一刀切。周围的世界。
电源特许经营
可编程有源下垂
等平面
LittleFET
MICROCOUPLER
的MicroFET
采用MicroPak
MICROWIRE
MSX
MSXPro
OCX
OCXPro
OPTOLOGIC
OPTOPLANAR
吃豆
POP
Power247
的PowerEdge
PowerSaver技术
的PowerTrench
QFET
QS
QT光电
静音系列
RapidConfigure
RapidConnect
SerDes
标泵
SILENT SWITCHER
SMART START
SPM
隐形
的SuperFET
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
SyncFET
中医
TinyLogic
TINYOPTO
TruTranslation
UHC
UltraFET
的UniFET
VCX
电线
放弃
飞兆半导体公司保留随时修改而不任何进一步通知的权利
产品中，为了提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD不承担任何责任
所产生的应用或使用任何产品或电路此处所述的成本;它也不
在其专利权利的任何执照，也没有他人的权利。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持设备或中的关键部件
系统没有FAIRCHILD半导体公司明确的书面批准。
如本文所用：
1.生命支持设备或系统的设备或系统，其中，
（一）打算通过外科手术移植到体内，或（b ）支持
或维持生命，或（c ）其不履行时，正确使用
按照提供的标签的使用说明，
可以合理预期造成显著伤害
用户。
2.关键部件是在生命支持设备的任何部件
或系统，其不履行可以合理预期
造成的生命支持设备或系统的故障，或以
影响其安全性或有效性。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
阶段或
设计
一是生产
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据，和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候，恕不另行通知，以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知，以便随时改进设计。
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
初步
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
修订版I18
5
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FFP12UP20DN超快恢复电力整流器
2006年2月
FFP12UP20DN
超快恢复电力整流器
特点
超快软恢复： <为35ns （ @I
F
= 6A)
高反向电压： V
RRM
= 200V
增强的额定雪崩能量
平面施工
应用
输出整流器
开关电源
续流二极管
电源开关电路
1
TO-220
1
2
3
1.阳极2.阴极3.阳极
1.Anode 2.Cathode 3.Anode
绝对最大额定值
符号
V
RRM
V
RWM
V
R
I
F（ AV ）
I
FSM
T
J,
T
英镑
（每二极管）T
C
= 25 ° C除非另有说明
参数
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
平均正向电流整流
非重复性峰值浪涌电流
60Hz单半正弦波
工作结温和存储温度
@ T
C
= 125°C
价值
200
200
200
6
60
- 65 + 150
单位
V
V
V
A
A
°C
热特性
符号
R
θJC
参数
最大热阻，结到外壳
最大
3.5
单位
° C / W
包装标志和订购信息
器件标识
F12UP20DN
设备
FFP12UP20DNTU
包
TO-220
带尺寸
-
胶带宽度
-
QUANTITY
50
2006仙童半导体公司
1
www.fairchildsemi.com
FFP12UP20DN版本A
FFP12UP20DN超快恢复电力整流器
电气特性
符号
V
FM
I
RM
t
rr
t
a
t
b
Q
rr
W
AVL
*
（每二极管）T
C
= 25 ° C除非另有说明
参数
I
F
= 6A
I
F
= 6A
V
R
= 200V
V
R
= 200V
I
F
= 1A ，的di / dt = 100A / μs的，V
CC
= 30V
I
F
= 6A ，的di / dt = 200A / μs的，V
CC
= 130V
I
F
= 6A ，的di / dt = 200A / μs的，V
CC
= 130V
T
C
= 25
°C
T
C
= 100
°C
T
C
= 25
°C
T
C
= 100
°C
T
C
= 25
°C
T
C
= 25
°C
T
C
= 25
°C
T
C
= 25
°C
T
C
= 25
°C
分钟。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
10
典型值。
-
-
-
-
-
-
12
12
24
-
马克斯。
1.15
1.0
100
500
30
35
-
-
-
-
单位
V
V
A
A
ns
ns
ns
ns
nC
mJ
*
雪崩能量（ L = 20mH ）
*脉冲测试：脉冲宽度= 300μS ，占空比= 2 ％
测试电路和波形
FFP12UP20DN版本A
2
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FFP12UP20DN超快恢复电力整流器
商标
下面的注册和未注册商标仙童半导体公司拥有或授权使用，不适合于
将所有这些商标的详尽清单。
A
CEX
ActiveArray
深不见底
构建它现在
CoolFET
CROSSVOLT
DOME
EcoSPARK
E
2
CMOS
Ensigna
FACT
FACT静音系列
快
FASTr
FPS
FRFET
GlobalOptoisolator
GTO
HiSeC
I
2
C
我罗
ImpliedDisconnect
的IntelliMAX
一刀切。周围的世界。
电源特许经营
可编程有源下垂
等平面
LittleFET
MICROCOUPLER
的MicroFET
采用MicroPak
MICROWIRE
MSX
MSXPro
OCX
OCXPro
OPTOLOGIC
OPTOPLANAR
吃豆
POP
Power247
的PowerEdge
PowerSaver技术
的PowerTrench
QFET
QS
QT光电
静音系列
RapidConfigure
RapidConnect
SerDes
标泵
SILENT SWITCHER
SMART START
SPM
隐形
的SuperFET
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
SyncFET
中医
TinyLogic
TINYOPTO
TruTranslation
UHC
UltraFET
的UniFET
VCX
电线
放弃
飞兆半导体公司保留随时修改而不任何进一步通知的权利
产品中，为了提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD不承担任何责任
所产生的应用或使用任何产品或电路此处所述的成本;它也不
在其专利权利的任何执照，也没有他人的权利。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持设备或中的关键部件
系统没有FAIRCHILD半导体公司明确的书面批准。
如本文所用：
1.生命支持设备或系统的设备或系统，其中，
（一）打算通过外科手术移植到体内，或（b ）支持
或维持生命，或（c ）其不履行时，正确使用
按照提供的标签的使用说明，
可以合理预期造成显著伤害
用户。
2.关键部件是在生命支持设备的任何部件
或系统，其不履行可以合理预期
造成的生命支持设备或系统的故障，或以
影响其安全性或有效性。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
阶段或
设计
一是生产
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据，和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候，恕不另行通知，以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知，以便随时改进设计。
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
初步
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
修订版I18
5
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