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FDMC7680 N沟道功率沟槽
MOSFET
2009年7月
FDMC7680
N沟道功率沟槽
MOSFET
30 V ， 14.8 ，7.2 M：
特点
最大
DS （ ON）
= 7.2米：在V
GS
= 10 V，I
D
= 14.8 A
最大
DS （ ON）
= 9.5 M：在V
GS
= 4.5 V，I
D
= 12.4 A
高性能技术极低r
DS （ ON）
终止是无铅和符合RoHS
概述
这N沟道MOSFET采用飞兆半导体生产
安森美半导体先进电源海沟
过程中有
特别是针对已减小通态电阻。这
装置非常适用于电源管理和负载开关
在笔记本电脑和便携式常见的应用
电池组。
应用
直流 - 直流降压转换器
笔记本电脑的电池电源管理
在笔记本负荷开关
顶部
销1
S
S
S
G
底部
D
D
D
D
D
5
6
7
8
4
3
2
1
G
S
S
S
D
D
D
MLP 3.3X3.3
MOSFET的最大额定值
T
A
= 25 C ，除非另有说明
符号
V
DS
V
GS
I
D
E
AS
P
D
T
J
, T
英镑
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流 - 连续（包装有限公司）
-Continuous
-Pulsed
单脉冲雪崩能量
功耗
T
A
= 25 °C
工作和存储结温范围
（注3）
（注1A ）
T
C
= 25 °C
T
A
= 25 °C
（注1A ）
参数
评级
30
±20
18
14.8
45
72
2.3
-55到+150
mJ
W
°C
A
单位
V
V
热特性
R
TJA
热阻，结到环境
（注1A ）
53
° C / W
包装标志和订购信息
器件标识
FDMC7680
设备
FDMC7680
包
MLP 3.3X3.3
带尺寸
13 ’’
胶带宽度
12 mm
QUANTITY
3000台
2009仙童半导体公司
FDMC7680 Rev.B的
1
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FDMC7680 N沟道功率沟槽
MOSFET
电气特性
T
J
= 25 C ，除非另有说明
符号
参数
测试条件
民
典型值
最大
单位
开关特性
BV
DSS
“ BV
DSS
'T
J
I
DSS
I
GSS
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
I
D
= 250
PA ，
V
GS
= 0 V
I
D
= 250
PA ，
参考25 ℃下
V
DS
= 24 V, V
GS
= 0 V
T
J
= 125 °C
V
GS
= 20 V, V
DS
= 0 V
30
15
1
250
100
V
毫伏/°C的
PA
nA
基本特征
V
GS （ TH）
'V
GS （ TH）
'T
J
门源阈值电压
门源阈值电压
温度COEF网络cient
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250
PA
I
D
= 250
PA ，
参考25 ℃下
V
GS
= 10 V，I
D
= 14.8 A
r
DS （ ON）
静态漏极至源极导通电阻
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 12.4 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 14.8 A
T
J
= 125 °C
V
DD
= 5 V，I
D
= 14.8 A
1.2
2.0
-6
5.8
7.3
7.4
68
7.2
9.5
9.2
S
m:
3.0
V
毫伏/°C的
g
FS
正向跨导
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
g
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
V
DS
= 15 V, V
GS
= 0 V,
F = 1 MHz的
2145
770
75
0.5
2855
1020
115
pF
pF
pF
:
开关特性
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G（ TOT ）
Q
gs
Q
gd
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
总栅极电荷
总栅极电荷
栅漏“米勒”充电
V
GS
= 0 V至10 V
V
GS
= 0 V至4.5 V V
DD
= 15 V
I
D
= 14.8 A
V
DD
= 15 V，I
D
= 14.8 A,
V
GS
= 10 V ，R
根
= 6
:
12
4
25
3
30
14
7
4
22
10
40
10
42
19
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
nC
漏源二极管的特性
V
SD
t
rr
Q
rr
源极到漏极二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
V
GS
= 0 V，I
S
= 14.8 A
V
GS
= 0 V，I
S
= 1.9 A
（注2 ）
（注2 ）
0.84
0.73
34
15
1.2
1.2
54
24
V
ns
nC
I
F
= 14.8 A， di / dt的= 100 A / PS
注意事项：
1. R
TJA
与安装在一个1的设备中确定
2
垫2盎司铜焊盘上的1.5× 1.5的FR-4材料中。板。
TJC
由设计而
TCA
由下式确定
用户的电路板设计。
一。安装时为53℃ / W的
在A 1
2
2盎司纯铜垫
安装时b.125 ° C / W
2盎司纯铜最低垫
2.脉冲测试：脉冲宽度< 300
PS，
占空比< 2.0 ％ 。
3. E
AS
72兆焦耳是基于起始物为
J
= 25
o
C，L = 1 mH的，我
AS
= 12 A，V
DD
= 27 V, V
GS
= 10 V 100 ％的测试，在L = 3 mH的，我
AS
= 5.7 A.
2009仙童半导体公司
FDMC7680 Rev.B的
2
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FDMC7680 N沟道功率沟槽
MOSFET
典型特征
T
J
= 25 C ，除非另有说明
45
归
漏极至源极导通电阻
V
GS
= 10 V
V
GS
= 6 V
V
GS
= 4.5 V
脉冲持续时间= 80
P
s
占空比= 0.5 ％ MAX
V
GS
= 3.5 V
4.0
3.5
V
GS
= 3.5 V
脉冲持续时间= 80
P
s
占空比= 0.5 ％ MAX
I
D
,
漏电流（ A）
36
27
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
9
18
V
GS
= 6 V
V
GS
= 10 V
V
GS
= 4.5 V
V
GS
= 4 V
V
GS
= 4 V
18
9
V
GS
= 3 V
0
0.0
0.5
1.0
1.5
V
DS
,
漏源极电压（ V）
2.0
27
36
45
I
D
,
漏电流（ A）
图1.区域特征
图2.归一导通电阻
VS漏极电流和栅极电压
25
源导通电阻
(
m
:
)
1.6
归
漏极至源极导通电阻
1.4
1.2
1.0
0.8
I
D
= 14.8 A
V
GS
= 10 V
r
DS （ON ） ，
漏
I
D
= 14.8 A
脉冲持续时间= 80
P
s
占空比= 0.5 ％ MAX
20
15
T
J
= 125
o
C
10
5
0
2
4
6
8
10
V
GS
,
门源电压（ V）
T
J
= 25
o
C
0.6
-75
-50
-25
0
25 50 75 100 125 150
T
J
,
结温
(
o
C
)
图3.归一导通电阻
VS结温
45
36
I
D
，漏电流（ A）
V
DS
= 5 V
I
S
，反向漏电流（ A）
脉冲持续时间= 80
P
s
占空比= 0.5 ％ MAX
图4.导通电阻与栅极到
源极电压
100
V
GS
= 0 V
10
1
0.1
0.01
T
J
= -55
o
C
27
18
T
J
= 150
o
C
T
J
= 150
o
C
T
J
= 25
o
C
T
J
= 25
o
C
9
T
J
= -55
o
C
0
1
2
3
4
5
V
GS
，门源电压（ V）
0.001
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V
SD
，体二极管正向电压（ V）
图5.传输特性
图6.源极到漏极二极管
正向电压随电流源
2009仙童半导体公司
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FDMC7680 N沟道功率沟槽
MOSFET
典型特征
T
J
= 25 C ，除非另有说明
10
V
GS
，门源电压（ V）
I
D
= 14.8 A
V
DD
= 10 V
电容（pF）
V
DD
= 15 V
V
DD
= 20 V
3000
C
国际空间站
8
6
4
2
0
0
4
8
12
16
20
24
28
32
Q
g
，栅极电荷（ NC）
1000
C
OSS
100
F = 1 MHz的
V
GS
= 0 V
C
RSS
50
0.1
1
10
30
V
DS
，漏源极电压（ V）
图7.栅极电荷特性
图8.电容VS漏
至源极电压
60
I
D
,
漏电流（ A）
20
I
AS
，雪崩电流（ A）
50
40
V
GS
= 10 V
10
T
J
= 25
o
C
30
20
10
不限按包
V
GS
= 4.5 V
T
J
= 125
o
C
T
J
= 100
o
C
1
0.01
0.1
1
10
100
0
25
R
T
JC
= 4.0 C / W
o
50
75
100
o
125
150
t
AV
，一次雪崩（毫秒）
T
c
,
外壳温度
(
C
)
图9.松开电感
交换能力
60
P
(
PK
)
,
瞬态峰值功率（ W）
图10.最大连续漏极
电流与外壳温度
2000
1000
V
GS
= 10 V
I
D
，漏电流（ A）
10
1毫秒
10毫秒
100
1
这个区域是
限于由R
DS （ ON）
100毫秒
1s
10 s
DC
10
单脉冲
R
T
JA
= 125
o
C / W
0.1
单脉冲
T
J
=最大额定
R
T
JA
= 125
o
C / W
T
A
= 25
o
C
0.01
0.01
0.1
1
10
100
200
1
T
A
= 25
o
C
0.5
-4
-3
-2
10
10
10
10
-1
1
10
100
1000
V
DS
，漏源极电压（ V）
T，脉冲宽度（秒）
图11.正向偏置安全
工作区
图12.单脉冲最大
功耗
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FDMC7680 N沟道功率沟槽
MOSFET
典型特征
T
J
= 25 C ，除非另有说明
2
1
归热
阻抗Z
T
JA
占空比，降序排列
0.1
0.01
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
P
DM
t
1
0.001
单脉冲
R
T
JA
= 125℃ / W
o
t
2
注意事项：
DUTY因子：D = T
1
/t
2
PEAK牛逼
J
= P
DM
X Z
TJA
个R
TJA
+ T
A
0.0001
-4
10
10
-3
10
-2
10
-1
1
10
100
1000
吨，矩形脉冲持续时间（秒）
图13.瞬态热响应曲线
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