polyfet射频器件
概述
硅VDMOS和LDMOS
晶体管专
宽带RF应用。
适用于军用无线通信设备，
移动和寻呼放大器
基站，广播FM / AM ，
MRI ，激光驱动器等。
TM
"Polyfet"工艺特点
金色的金属，可极大地延长
寿命。低输出电容
和高氟
t
加强宽带
性能
F1001C
PATENTED金金属化
硅栅增强型
射频功率VDMOS晶体管
20瓦单端
套餐式交流
高效率，线性，
高增益，低噪声
绝对最大额定值（ TC = 25℃ ）
总
设备
耗散
50瓦
结到
热病例
阻力
3.13
o
C / W
最大
连接点
温度
200
o
C
存储
温度
直流漏
当前
漏
门
电压
70 V
漏
来源
电压
70 V
大门
来源
电压
30V
o
-65
o
C至150
o
C
2 A
射频特性（
符号
全球定位系统
参数
共源功率增益
漏EF网络效率
负载不匹配公差
民
16
60
典型值
20WATTS OUTPUT）
最大
单位
dB
%
20:1
相对的
测试条件
IDQ = 0.2 A ， VDS = 28.0 V，F = 175 MHz的
IDQ = 0.2 A ， VDS = 28.0 V，F = 175 MHz的
IDQ = 0.2 A ， VDS = 28.0 V，F = 175 MHz的
η
VSWR
电气特性（每边）
符号
BVDSS
IDSS
IGSS
VGS
gM
RDSON
Idsat
西塞
CRSS
科斯
参数
漏极耐压
零偏置漏电流
栅极漏电流
栅极偏置的漏电流
正向跨导
饱和电阻
饱和电流
共源输入电容
共源反馈电容
共源输出电容
1
0.8
1
5.5
33
4
20
民
65
1
1
7
典型值
最大
单位
V
mA
uA
V
姆欧
欧姆
AMP
pF
pF
pF
测试条件
IDS = 0.05 A，
VDS = 28.0 V，
VDS = 0 V ，
IDS = 0.1 A ，
VGS = 0V
VGS = 0V
VGS = 30V
VGS - VDS
VDS = 10V ， VGS = 5V
VGS = 20V ， IDS = 4的
VGS = 20V ， VDS = 10V
VDS = 28.0 V， VGS = 0V ， F = 1兆赫
VDS = 28.0 V， VGS = 0V ， F = 1兆赫
VDS = 28.0 V， VGS = 0V ， F = 1兆赫
polyfet射频器件
修订8/1/97
1110马路Acaso ，卡马里奥，CA 93012电话： （ 805 ） 484-4210传真： （ 805 ） 484-3393电邮： Sales@polyfet.com网址： www.polyfet.com
F1001C
POUT VS PIN GRAPH
F1001C POUT VS引脚IDQ = 0.1A ; F = 175 MHZ VDS = 28V
F1B 1裸片电容VS的Vds
35
30
20
19
18
16
15
15
10
5
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
1
0
5
10
15
以伏VDS
电容VS电压
100
POUT （瓦）
25
20
14
效率= 75％
13
12
11
10
PIN （瓦）
噘
收益
增益以dB为单位
17
科斯
西塞
10
CRSS
20
25
30
IV曲线
F1B 1DIE IV曲线
6
ID和GM VS VGS
F1B 1 DIE GM & ID VS VG
10
Id
5
4
1
3
2
0.1
1
Gm
0
0
2
4
6
8
10
以伏VDS
12
14
16
18
20
0.01
0
2
4
6
8
10
12
14
VG = 2V
VG = 4V
VG = 6V
VG = 8V
VG = 10V
VG = 12V
VGS的电压
S11和S22 SMITH CHART
IN吋包装尺寸
polyfet射频器件
修订8/1/97
1110马路Acaso ，卡马里奥，CA 93012电话： （ 805 ） 484-4210传真： （ 805 ） 484-3393电邮： Sales@polyfet.com网址： www.polyfet.com
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