初步数据表
2.1
FMS2016QFN-1
大功率反光砷化镓SP4T开关
产品特点：
3x3x0.9mm封装的pHEMT开关
镍钯金用于完成军事和高
可靠性的应用
出色的低控制电压性能
在优良的谐波性能
GSM / DCS / PCS / EDGE的功率电平
非常高的隔离： >29分贝为1.8GHz
极低的插入损耗： 0.65分贝为1.8GHz
非常低的电流控制
功能原理图
蚂蚁
RF1
RF2
RF3
RF4
描述与应用：
该FMS2016QFN是一个低损耗，高功率和线性单刀4掷砷化镓
天线开关设计用于在移动手持机应用程序使用。模具是使用所制造的
费尔多尼克FL05 0.5μm的开关过程中的技术，它提供了卓越的性能优化
交换机的应用程序。该FMS2016QFN是专为双/三核和四频GSM手机使用
天线开关模块和RF前端模块。它也可以在其他应用中使用
高功率和线性RF切换是必要的。
电气连接特定的阳离子：
参数
插入损耗
(T
环境
= 25 ° C，V
CTRL
= 0V / 2.5V ，Z
IN
= Z
OUT
= 50)
测试条件
0.5 - 1.0 GHz的
1.0 - 2.0 GHz的
民
典型值
<0.55
<0.65
20
34
32
34
32
34
30
-75
-75
-75
-75
<0.3
最大
单位
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
s
回波损耗
隔离
RF1 - RF3和RF2 - RF4
隔离
RF1 - RF2
隔离
RF3 - RF4
二次谐波电平
0.5 - 2.5 GHz的
0.5 - 1.0 GHz的
1.0 - 2.0 GHz的
0.5 - 1.0 GHz的
1.0 - 2.0 GHz的
0.5 - 1.0 GHz的
1.0 - 2.0 GHz的
1 GHz时，引脚= +35 dBm时， 100 ％占空比
2 GHz时，引脚= +35 dBm时， 100 ％占空比
3次谐波电平
1 GHz时，引脚= +35 dBm时， 100 ％占空比
2 GHz时，引脚= +35 dBm时， 100 ％占空比
切换速度：素养， TFALL
吨， Toff的
控制电流
10 ％至90％的射频和90 ％至10％的射频
50％的控制，以90％的射频和50％的控制，以10％的射频
+ 35dBm的RF输入@ 1GHz的
1.0
<10
s
A
注意：
外部隔直流电容器所需的所有RF端口（典型值： 100pF的）
1
初步规格如有变更，恕不另行通知
费尔多尼克化合物半导体有限公司
联系方式（UK ） ：电话：+44 （ 0 ） 1325 301111传真： +44 （ 0 ） 1325 306177电子邮件： sales@filcs.com
联系方式（美国）：电话： +1 （ 408 ） 850-5790
传真： +1 （ 408 ） 850-5766
电子邮件：
sales@filcsi.com
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初步数据表
2.1
FMS2016QFN-1
绝对最大额定值：
参数
最大输入功率
控制电压
工作温度
储存温度
符号
针
V CTRL
牛逼OPER
牛逼STOR
绝对最大
+38dBm
+5V
-40 ° C至+ 100°C
-55 ° C至+ 150°C
注意：
超过这些绝对最大额定值的任何一个可能会造成永久性损坏
装置。
事实表：
开关
状态
(A)
V1
V2
V3
V4
蚂蚁
TO
RF1
插入
损失
隔离
蚂蚁
TO
RF2
隔离
插入
损失
隔离
蚂蚁
TO
RF1
隔离
蚂蚁
TO
RF2
隔离
高
低
低
低
(B)
低
高
低
低
隔离
插入
损失
隔离
隔离
(C)
低
低
高
低
隔离
隔离
插入
损失
(D)
低
低
低
高
隔离
隔离
通用测试条件：
偏置电压
端口阻抗
断胳膊终止
LOW = 0V至0.2V
高+ 2.5V至+ 5V
50
50
2
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初步数据表
2.1
FMS2016QFN-1
在评估板（DE-嵌入式）典型测量的性能：
（测试条件V
CTRL
= 2.5V （高） & 0V （低） ，T
环境
= 25 ° C除非另有说明）
0
-0.1
-0.2
-0.3
-0.4
-0.5
dB
FMS2016QFN插入损耗
0
-5
-10
-15
dB
-20
-25
-30
-35
-40
FMS2016QFN RF1到RF2隔离
-0.6
-0.7
-0.8
-0.9
-1
-1.1
-1.2
0.5
1
1.5
2
2.5
频率（GHz ）
3
3.5
0.5
1
1.5
2
2.5
频率（GHz ）
3
3.5
0
-5
-10
-15
dB
FMS2016QFN RF3到RF4隔离
0
-5
-10
-15
dB
-20
-25
-30
-35
-40
FMS2016QFN RF1到RF3和RF2到RF4隔离
-20
-25
-30
-35
-40
0.5
1
1.5
2
频率（GHz ）
2.5
3
3.5
0.5
1
1.5
2
频率（GHz ）
2.5
3
3.5
-15
FMS2016QFN RETURN LOSS
-20
-25
dB
-30
-35
-40
0.5
1
1.5
2
频率（GHz ）
2.5
3
3.5
3
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初步数据表
2.1
FMS2016QFN-1
键盘布局：
V1
蚂蚁
V2
引脚数
1
描述
RF1
GND
RF3
V3
N / C
V4
RF4
GND
RF2
V2
ANT RF
V1
GND
销1
RF1
GND
RF3
2
3
12
11
10
9
RF2
GND
RF4
2
3
4
桨
8
7
5
6
7
8
9
10
11
4
5
6
V3
V4
12
桨
*查看从封装的顶部
QFN 12铅3 * 3封装外形：
镍钯金用于完成军事和高可靠性的应用
4
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初步数据表
2.1
FMS2016QFN-1
评估板：
BOM
LABEL
C6
C1
C5
C7
C2
C10, C11, C12,
C13
C1,C2,
C3,C4,C5
C6, C7, C8, C9
部件
电容470pF的， 0603
电容100pF的， 0402
电容47pF的， 0402
C3
C10
C8 C9
C4
首选评估板材料为0.25毫米厚
板
罗杰斯RT4350 。所有RF曲目应该是50欧姆
特性阻抗。
C11 C12 C13
评估板德嵌入数据（测量） ：
0
-0.1
-0.2
-0.3
-0.4
dB
FMS2016QFN校准板插入损耗
-15
FMS2016QFN校准板RETURN LOSS
-20
-25
dB
-30
-35
-40
-0.5
-0.6
-0.7
-0.8
-0.9
-1
0.5
1
1.5
2
2.5
频率（GHz ）
3
3.5
0.5
1
1.5
2
频率（GHz ）
2.5
3
3.5
5
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FMS2016-005
大功率反光砷化镓SP4T开关
F
EATURES
:
3x3x0.9mm封装的pHEMT开关
镍钯金用于完成军事和高可靠性
应用
高隔离度： >30分贝为1.8GHz
出色的低控制电压性能
在优良的谐波性能
GSM / DCS / PCS / EDGE的功率电平
符合RoHS指令（指令2002/95 / EC ）
数据手册V3.0
F
UNCTIONAL
S
电气原理
:
蚂蚁
RF1
RF2
RF3
RF4
G
ENERAL
D
ESCRIPTION
:
该FMS2016-005是一个低损耗，高功率和
线性单刀4掷砷化镓
天线开关设计在手机的使用
和其他高功率开关应用。该
模具使用费尔多尼克FL05 0.5微米的制造
开关工艺技术，提供优异的
针对开关应用的性能进行了优化。
T
YPICAL
A
PPLICATIONS
:
.
多频段GSM / DCS / PCS / EDGE手机
模块
高功率和线性RF开关
应用
E
LECTRICAL
S
PECIFICATIONS
:
参数
插入损耗
1.0 - 2.0 GHz的
回波损耗
隔离
RF1 - RF3 ， RF1 - RF2 ， RF2 - RF4
隔离
RF3 - RF4
0.5 - 2.5 GHz的
0.5 - 1.0 GHz的
1.0 - 2.0 GHz的
0.5 - 1.0 GHz的
1.0 - 2.0 GHz的
1 GHz时，引脚= +35 dBm时， 100 ％占空比
二次谐波电平
2 GHz时，引脚= +35 dBm时， 100 ％占空比
1 GHz时，引脚= +35 dBm时， 100 ％占空比
3次谐波电平
2 GHz时，引脚= +35 dBm时， 100 ％占空比
切换速度：素养， TFALL
吨， Toff的
控制电流
10 ％至90％的射频和90 ％至10％的射频
<0.3
50％的控制，以90％的射频和50％的控制，以10％的射频
+ 35dBm的RF输入@ 1GHz的
0.9 & 0.91千兆赫，引脚= +20 dBm的
IP3
1.85 & 1.86 GHz的，引脚= +20 dBm的
1.0GHz
P0.1dB
2.0GHz
>37
DBM
>66
>38
DBM
DBM
<10
>68
0.5
15
-75
-65
dBc的
s
s
A
DBM
-75
-75
-65
-60
dBc的
dBc的
26
30
16
0.65
20
34
32
34
30
-75
-60
0.85
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dBc的
测试条件
0.5 - 1.0 GHz的
民
典型值
0.55
最大
0.75
单位
dB
注意：
T
环境
= 25°C ， VCTRL = 0V / 2.7V ，Z
IN
= Z
OUT
= 50
外部隔直流电容器所需的所有RF端口（典型值： 47pF的）
1
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
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FMS2016-005
数据手册V3.0
A
BSOLUTE
M
AXIMUM
R
ATINGS
:
P
ARAMETER
最大输入功率
控制电压
工作温度
储存温度
S
YMBOL
针
VCTRL
豪饮者
Tstor
A
BSOLUTE
M
AXIMUM
+38dBm
+6V
-40 ° C至+ 100°C
-55 ° C至+ 150°C
注：超过这些绝对最大的任何一个
额定值可能会导致器件的永久性损坏。
T
RUTH
T
ABLE
:
V1
高
低
低
低
V2
低
高
低
低
V3
低
低
高
低
V4
低
低
低
高
PATH （S ）
RF1到ANT
RF2到ANT
RF3到ANT
RF4到ANT
注：高： 2.7V至6V ;低： 0V至0.2V
P
AD
L
AYOUT
:
V1
蚂蚁
V2
P
AD
R
EF
1
2
P
AD
N
AME
RF1
GND
RF3
V3
N / C
V4
RF4
GND
RF2
V2
蚂蚁
V1
D
ESCRIPTION
RF端口1
接地连接
RF端口3
Vctrl3 （蚂蚁RF3 ）
无连接
Vctrl4 （ ANT来RF4 ）
RF端口4
接地连接
RF端口2
Vctrl2 （蚂蚁RF2 ）
天线端口
Vctrl1 （蚂蚁RF1 ）
销1
RF1
GND
RF3
2
3
12
11
10
9
RF2
GND
RF4
3
4
5
6
7
8
桨
8
7
4
5
6
V3
V4
9
10
11
12
2
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传真： +44 （ 0 ） 1325 306177
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FMS2016-005
数据手册V3.0
T
YPICAL
M
EASURED
P
ERFORMANCE
O
N
E
估价
B
OARD
:
注：测试条件V
CTRL
= 0V （低） & 2.5V （高） ，T
环境
= 25 ° C除非另有说明
插入损耗
FMS2016QFN插入损耗
0
-0.1
-0.2
-0.3
-0.4
-0.5
RF1到RF2隔离
FMS2016QFN RF1到RF2隔离
0
-5
-10
-15
dB
dB
-0.6
-0.7
-0.8
-0.9
-1
-1.1
-1.2
0.5
1
1.5
2
频率（GHz ）
2.5
3
3.5
-20
-25
-30
-35
-40
0.5
1
1.5
2
频率（GHz ）
2.5
3
3.5
RF3到RF4隔离
FMS2016QFN RF3到RF4隔离
0
-5
-10
-15
dB
RF1到RF3和RF2到RF4隔离
FMS2016QFN RF1到RF3和RF2到RF4隔离
0
-5
-10
-15
dB
-20
-25
-30
-35
-40
-20
-25
-30
-35
-40
0.5
1
1.5
2
频率（GHz ）
2.5
3
3.5
0.5
1
1.5
2
频率（GHz ）
2.5
3
3.5
回波损耗
FMS2016QFN RETURN LOSS
-15
-20
-25
dB
-30
-35
-40
0.5
1
1.5
2
频率（GHz ）
2.5
3
3.5
3
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FMS2016-005
数据手册V3.0
E
估价
B
OARD
C
OMPONENT
S
IDE
L
AYOUT
:
C1
C1
C1
C1
C1
C2 C2 C2 C2
B
不周
M
材料板
:
L
ABEL
板
RFC
DCC
C1
C2
C
OMPONENT
首选评估板材料为0.25毫米厚的罗杰斯RT4350 。所有RF曲目应该是50欧姆的特性的材料。
SMA射频连接器
DC连接器
电容47pF的， 0402
电容470pF的， 0603
E
估价
B
OARD
D
E
-E
MBEDDING
D
ATA
(M
EASURED
):
插入损耗
回波损耗
FMS2016QFN校准板插入损耗
0
-0.1
-0.2
-0.3
-0.4
dB
-25
dB
FMS2016QFN校准板RETURN LOSS
-15
-20
-0.5
-0.6
-0.7
-0.8
-0.9
-1
0.5
1
1.5
2
频率（GHz ）
2.5
3
3.5
-30
-35
-40
0.5
1
1.5
2
频率（GHz ）
2.5
3
3.5
4
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FMS2016-005
数据手册V3.0
QFN 12升
EAD
3*3 P
ACKAGE
O
UTLINE
:
注： PIN1
标识符是
地电位
镍钯金用于完成军事和高可靠性的应用
T
APE
＆放大器;
鳗鱼
S
PECIFICATION
:
T
APE
D
IMENSIONS
穿孔
D
ESCRIPTION
直径
沥青
位置
S
YMBOL
D0
P0
E1
A0
B0
K
S
IZE
(
MM
)
1.5 ±0.1
4.0 ±0.1
1.75 ±0.1
3.3 ±0.1
3.3 ±0.1
1.1 ±0.1
空穴
长
宽度
深度
中心线之间的距离
腔穿孔
（长方向）
P2
2.0 ±0.1
腔穿孔
（宽度方向）
载带
宽度
F
5.5 ±0.1
W
12 ±0.3
5
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