添加收藏夹  设为首页  深圳服务热线：13751165337  13692101218
Pdf资料  |  热门库存  |  IC详细资料  |  网站地图
IC供应 PDF资料 非IC供应
51电子网联系电话：13751165337
首页
供应信息
求购信息
非IC专区
技术资料
电子资讯
招聘中心
会展信息 51旺铺 会员中心
位置：首页 > IC型号导航 > 首字符E型号页 > 首字符E的型号第632页 > EVAL-CONTROL BRD2
a
1.25 MSPS ， 16毫瓦内部REF和CLK ，
12位并行ADC
AD7492
功能框图
AVDD
DVDD
REF OUT
VDRIVE
2.5V
REF
BUF
时钟
振荡器
特点
指定V
DD
2.7 V至5.25 V
1吞吐速率MSPS ， AD7492
1.25吞吐速率MSPS ， AD7492-5
低功耗
4 mW的典型值在1 MSPS ，3 V电源
11 mW的典型值在1 MSPS ，5 V电源
宽输入带宽
70分贝典型SNR为100 kHz输入频率
2.5 V内部参考
片内振荡器CLK
灵活的功耗/呑吐量管理
无流水线延迟
高速并行接口
睡眠模式： 50
n
一个典型值
24引脚SOIC和TSSOP封装
概述
VIN
T / H
12位SAR
ADC
产量
DRIVERS
DB11
DB0
PS / FS
CONVST
控制
逻辑
CS
RD
AD7492
忙
在AD7492和AD7492-5是12位高速，低功耗，
逐次逼近型ADC 。该部分从操作
采用2.7 V至5.25 V电源供电，吞吐速率
高达1.25 MSPS 。它们包含一个低噪声，宽带宽
跟踪/保持放大器，可处理带宽高达10 MHz 。
转换过程和数据采集通过控制
标准控制输入，可轻松连接到microproces-
理器或DSP 。该输入信号被采样的下降沿
CONVST
并且也开始在这一点上的转换。该
BUSY变为高电平时转换的启动和变低880纳秒
（ AD7492 ）或680毫微秒（ AD7492-5 ）后，表示CON组
版本是完整的。有与无流水线延迟
的部分。转换结果通过标准浏览
CS
和
RD
信号在一个高速并行接口。
在AD7492采用先进的设计技术，以达到非常
低功耗在高吞吐量。与5 V
用品和1.25 MSPS，平均消耗电流
AD7492-5通常为2.75毫安。该器件还具有灵活
功耗/吞吐量管理。
另外，也可以以操作部在全睡眠模式和一
部分休眠模式，当器件唤醒，做一个转换
和自动输入在转换结束休眠模式。
的睡眠模式的类型是硬件选择由PS / FS引脚。
利用这些休眠模式，允许极低的功耗num-
别尔斯以较低的吞吐速率。
模拟输入范围为部分是0至REF IN 。 2.5 V
参照内部提供，可用于外部基准
接近开关就是嵌入式。的转化率是由内部时钟确定。
AGND
DGND
产品亮点
1.高吞吐量，低功耗
该AD7492-5提供1.25 MSPS吞吐量16毫瓦
功耗。
2.灵活的功耗/吞吐量管理
转换时间由内部时钟确定。该
器件还提供两种休眠模式，部分和全部，为最大，
在较低吞吐量程度降低电源效率。
3.无流水线延迟
该器件具有一个标准逐次逼近型ADC
同的采样时刻通过精确控制
CONVST
输入和一次性转换控制。
4.灵活的数字接口
在V
DRIVE
功能控制电压电平上的I / O
数字引脚。
5.更少的外部元件
的AD7492通过使用内部优化的PCB空间
参考和内部时钟。
第0版
信息ADI公司提供的被认为是准确和
可靠的。但是，没有责任承担由Analog Devices其
使用，也不对第三方专利或其他权利的任何侵犯
这可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或
否则，在ADI公司的任何专利或专利权。
一个技术的方式， P.O. 9106箱，诺伍德，MA 02062-9106 ， U.S.A.
联系电话： 781 / 329-4700
万维网网站： http://www.analog.com
传真： 781 / 326-8703
ADI公司， 2001
AD7492
AD7492-5–SPECIFICATIONS
1
(V
参数
动态性能
信号与噪声+失真比（SINAD ）
信号 - 噪声比（ SNR）的
总谐波失真（ THD ）
A版
1
69
68
70
68
–83
–87
–75
–83
–90
–76
–82
–90
–71
–88
5
15
10
12
±
1.5
+1.5/–0.9
±
9
±
2.5
02.5
±
1
33
2.5
V
DRIVE
×
0.7
V
DRIVE
×
0.3
±
1
10
DD
= 4.75 V至5.25 V ，T
A
= T
民
给T
最大
除非另有说明）。
B版本
1
69
68
70
68
–83
–87
–75
–83
–90
–76
–82
–90
–71
–88
5
15
10
12
±
1.25
+1.5/–0.9
±
9
±
2.5
02.5
±
1
33
2.5
V
DRIVE
×
0.7
V
DRIVE
×
0.3
±
1
10
V
DRIVE
– 0.2
0.4
±
10
10
直（自然科学）二进制
680
120
1.25
4.75/5.25
3.3
1.8
250
1
16.5
1.25
5
单位
dB典型值
分贝分钟
dB典型值
分贝分钟
dB典型值
dB典型值
最大分贝
dB典型值
dB典型值
最大分贝
dB典型值
dB典型值
dB典型值
dB典型值
纳秒（典型值）
ps的典型值
兆赫（典型值）
位
LSB（最大值）
LSB（最大值）
LSB（最大值）
LSB（最大值）
V
A
最大
pF的典型值
V
V分钟
V最大
A
最大
pF的最大
V分钟
V最大
A
最大
pF的最大
±
对于指定的性能1.5 ％
V
DD
= 5 V
±
5%
V
DD
= 5 V
±
5%
通常情况下10 nA的，V
IN
= 0 V或V
DD
测试条件/评论
f
S
= 1.25 MSPS
f
IN
= 500 kHz正弦波
f
IN
= 100kHz的正弦波
f
IN
= 500 kHz正弦波
f
IN
= 100kHz的正弦波
f
IN
= 500 kHz正弦波
f
IN
= 100kHz的正弦波
f
IN
= 100kHz的正弦波
f
IN
= 500 kHz正弦波
f
IN
= 100kHz的正弦波
f
IN
= 100kHz的正弦波
f
IN
= 500 kHz正弦波
f
IN
= 100kHz的正弦波
f
IN
= 500 kHz正弦波
f
IN
= 100kHz的正弦波
峰值谐波或杂散噪声（ SFDR ）
互调失真（ IMD ）
二阶条款
三阶条款
孔径延迟
孔径抖动
全功率带宽
DC精度
决议
积分非线性
微分非线性
偏移误差
增益误差
模拟量输入
输入电压范围
直流漏电流
输入电容
参考输出
REF OUT输出电压范围
逻辑输入
输入高电压，V
INH2
输入低电压，V
INL2
输入电流I
IN
输入电容，C
IN3
逻辑输出
输出高电压，V
OH
输出低电压，V
OL
浮态泄漏电流
浮态输出电容
输出编码
转化率
转换时间
采样/保持捕获时间
吞吐率
电源要求
V
DD
I
DD
普通模式
静态电流
偏睡眠模式
充分的睡眠模式
功耗
4
普通模式
偏睡眠模式
充分的睡眠模式
f
S
= 1.25 MSPS
保证无漏码来
12位（ A和B版）
V
DRIVE
– 0.2
0.4
±
10
10
直（自然科学）二进制
680
120
1.25
4.75/5.25
3.3
1.8
250
1
16.5
1.25
5
I
来源
= 200
A
I
SINK
= 200
A
ns（最大值）
ns（最小值）
MSPS最高
V最小/最大
最大mA
最大mA
A
最大
A
最大
毫瓦MAX
毫瓦MAX
W
最大
转换时间+采集时间
数字I / PS = 0 V或DV
DD.
f
S
= 1.25 MSPS ，典型2.75毫安
静态的。典型值190
A
静态的。典型值200 nA的
数字I / PS = 0 V或DV
DD
笔记
1
温度范围如下： A和B版本： -40 ° C至+ 85°C 。
2
V
INH
和V
INL
触发电平由V设置
DRIVE
电压。的逻辑接口电路由V供电
DRIVE
.
3
样品测试@ 25°C ，以确保合规性。
4
请参阅电源与吞吐率部分。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
–2–
第0版
AD7492–SPECIFICATIONS
参数
动态性能
信号与噪声+失真比（SINAD ）
信号 - 噪声比（ SNR）的
总谐波失真（ THD ）
A版
1
69
68
70
68
–85
–87
–75
–86
–90
–76
–77
–90
–69
–88
5
15
10
12
±
1.5
1
(V
AD7492
= 2.7 V至5.25 V ，T
A
= T
民
给T
最大
除非另有说明）。
B版本
1
69
68
70
68
–85
–87
–75
–86
–90
–76
–77
–90
–69
–88
5
15
10
12
±
0.6
±
1
+1.5/–0.9
±
9
±
2.5
02.5
±
1
33
2.5
V
DRIVE
×
0.7
V
DRIVE
×
0.3
±
1
10
V
DRIVE
– 0.2
0.4
±
10
10
直（自然科学）二进制
880
120
1
2.7/5.25
3
1.8
250
1
15
1.25
5
单位
dB典型值
分贝分钟
dB典型值
分贝分钟
dB典型值
dB典型值
最大分贝
dB典型值
dB典型值
最大分贝
dB典型值
dB典型值
dB典型值
dB典型值
纳秒（典型值）
ps的典型值
兆赫（典型值）
位
LSB（最大值）
LSB （典型值）
LSB（最大值）
LSB（最大值）
LSB（最大值）
LSB（最大值）
V
A
最大
pF的典型值
V
V分钟
V最大
A
最大
pF的最大
V分钟
V最大
A
最大
pF的最大
±
对于指定的性能1.5 ％
V
DD
= 5 V
±
5%
V
DD
= 5 V
±
5%
通常情况下10 nA的，V
IN
= 0 V或V
DD
测试条件/评论
f
S
= 1 MSPS
f
IN
= 500 kHz正弦波
f
IN
= 100kHz的正弦波
f
IN
= 500 kHz正弦波
f
IN
= 100kHz的正弦波
f
IN
= 500 kHz正弦波
f
IN
= 100kHz的正弦波
f
IN
= 100kHz的正弦波
f
IN
= 500 kHz正弦波
f
IN
= 100kHz的正弦波
f
IN
= 100kHz的正弦波
f
IN
= 500 kHz正弦波
f
IN
= 100kHz的正弦波
f
IN
= 500 kHz正弦波
f
IN
= 100kHz的正弦波
DD
峰值谐波或杂散噪声（ SFDR ）
互调失真（ IMD ）
二阶条款
三阶条款
孔径延迟
孔径抖动
全功率带宽
DC精度
决议
积分非线性
f
S
= 1 MSPS
微分非线性
偏移误差
增益误差
模拟量输入
输入电压范围
直流漏电流
输入电容
参考输出
REF OUT输出电压范围
逻辑输入
输入高电压，V
INH2
输入低电压，V
INL2
输入电流I
IN
输入电容，C
IN3
逻辑输出
输出高电压，V
OH
输出低电压，V
OL
浮态泄漏电流
浮态输出电容
输出编码
转化率
转换时间
采样/保持捕获时间
吞吐率
电源要求
V
DD
I
DD
普通模式
静态电流
偏睡眠模式
充分的睡眠模式
功耗
4
普通模式
偏睡眠模式
充分的睡眠模式
+1.5/–0.9
±
9
±
2.5
02.5
±
1
33
2.5
V
DRIVE
×
0.7
V
DRIVE
×
0.3
±
1
10
V
DRIVE
– 0.2
0.4
±
10
10
直（自然科学）二进制
880
120
1
2.7/5.25
3
1.8
250
1
15
1.25
5
V
DD
= 5 V
V
DD
= 3 V
保证无漏码来
12位（ A和B版）
I
来源
= 200
A
I
SINK
= 200
A
ns（最大值）
ns（最小值）
MSPS最高
V最小/最大
最大mA
最大mA
A
最大
A
最大
毫瓦MAX
毫瓦MAX
W
最大
转换时间+采集时间
数字I / PS = 0 V或DV
DD.
f
S
= 1 MSPS ，典型值2.2毫安
静态的。典型值190
A
静态的。典型值200 nA的
数字I / PS = 0 V或DV
DD
V
DD
= 5 V
V
DD
= 5 V
V
DD
= 5 V
笔记
1
温度范围如下： A和B版本： -40 ° C至+ 85°C 。
2
V
INH
和V
INL
触发电平由V设置
DRIVE
电压。的逻辑接口电路由V供电
DRIVE
.
3
样品测试@ 25°C ，以确保合规性。
4
请参阅电源与吞吐率部分。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
第0版
–3–
AD7492
时序特定网络阳离子
1
(V
参数
t
兑换
t
唤醒
t
1
t
2
t
3
t
4 4
t
5
t
6 4
t
7 5
t
8
t
9
t
10
880
20
3
500
10
10
40
0
0
20
15
8
0
120
100
DD
= 2.7 V至5.25 V ，T
A
= T
民
给T
最大
除非另有说明）。
单位
ns（最大值）
s
最大
s
最大
ns（最小值）
ns（最大值）
ns（最大值）
ns（最大值）
ns（最大值）
ns（最小值）
ns（最小值）
ns（最大值）
ns（最大值）
ns（最小值）
ns（最小值）
描述
部分休眠唤醒时间
充分的睡眠唤醒时间
CONVST
脉宽
CONVST
繁忙的延迟，V
DD
= 5 V
CONVST
繁忙的延迟，V
DD
= 3 V
忙
CS
建立时间
CS
to
RD
建立时间
RD
脉宽
数据访问时间的下降沿后
RD
总线释放时间的上升沿之后
RD
CS
to
RD
保持时间
采集时间
安静的时间
在T限制
民
, T
最大
AD7492
AD7492-5
2
680
20
3
500
10
10
不适用
0
0
20
15
8
0
120
100
笔记
1
在25℃下的样品进行测试，以确保遵守。所有输入信号均指定tR = tF = 5 ns的10％的规定（ 90 ％V的
DD
），并定时从1.6V见的电压电平
图1 。
2
该AD7492-5指定了V
DD
= 4.75 V至5.25 V
3
这是在0.5的LSB其稳定值沉降所需部分的时间。转换可早于20启动
s,
但我们不能保证部分
将在0.5真模拟输入值的LSB采样。因此，我们建议用户没有启动转换，直到在指定的时间之后。
4
测定图1和德音响的定义为所需的输出时间跨越0.8V或2.0V。负载电路
5
t
7
从采取的数据输出改变0.5 V的测量时间衍生当载有图1中的电路测量的数目，然后外推
背面去除的充电或放电的50 pF电容的影响。这意味着该时间t
7
在时序特性所是真正的总线释放
的部分和的时间是独立的总线负载的。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
200 A
I
OL
输出
针
1.6V
C
L
50pF
200 A
I
OH
图1.负载电路的数字输出时序规范
–4–
第0版
AD7492
绝对最大额定值
1
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
引脚配置
AV
DD
到AGND / DGND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3 V至+7 V
DV
DD
到AGND / DGND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3 V至+7 V
V
DRIVE
到AGND / DGND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3 V至+7 V
AV
DD
以DV
DD
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3 V至+0.3 V
V
DRIVE
以DV
DD
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V至DVDD + 0.3 V
AGND至DGND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3 V至+0.3 V
模拟输入电压至AGND 。 。 。 0.3 V至AVDD + 0.3 V
数字输入电压至DGND 。 。 。 0.3 V至DVDD + 0.3 V
输入电流到任何引脚除外用品
2
. . . . . . .
±
10毫安
工作温度范围
商业（ A和B版本） 。 。 。 。 。 。 。 。 -40 ° C至+ 85°C
存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ° C至+ 150°C
结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150℃
SOIC ， TSSOP封装散热。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 450毫瓦
θ
JA
热阻抗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 75 ℃/ W（ SOIC ）
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 115℃ / W （ TSSOP ）
θ
JC
热阻抗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 25 ℃/ W（ SOIC ）
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 35 ℃/ W（ TSSOP ）
焊接温度，焊接
气相（ 60秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 215℃
红外（ 15秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 220℃
笔记
1
注意，超出上述绝对最大额定值可能会导致perma-
新界东北损坏设备。这是一个压力只有额定值。的功能操作
器件在这些或以上的业务部门所列出的任何其他条件
本规范是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件
系统蒸发散长时间可能会影响器件的可靠性。
2
高达100 mA的瞬态电流不会造成SCR闩锁。
DB9
1
DB10
2
（MSB） DB11
3
24
23
22
21
DB8
DB7
DB6
V
DRIVE
DV
DD
AV
DD 4
REF OUT
5
V
在6
CS
8
RD
9
AD7492
20
顶视图
19
DGND
（不按比例）
18
DB5
AGND
7
17
16
15
14
13
DB4
DB3
DB2
DB1
DB0 （ LSB ）
CONVST
10
PS / FS
11
忙
12
小心
ESD （静电放电）敏感器件。静电荷高达4000 V容易
积聚在人体和测试设备，可排出而不被发现。虽然
在AD7492具有专用ESD保护电路，永久性的损害可能发生
器件经受高能量静电放电。因此，适当的ESD防范措施
建议避免性能下降或功能丧失。
警告！
ESD敏感器件
订购指南
模型
AD7492AR
AD7492ARU
AD7492BR
AD7492BRU
AD7492AR-5
AD7492ARU-5
AD7492BR-5
AD7492BRU-5
EVAL-AD7492CB
2
EVAL -CONTROL BRD2
3
温度
范围
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
决议
（比特）
12
12
12
12
12
12
12
12
吞吐率
（ Msps的）
1
1
1
1
1.25
1.25
1.25
1.25
包
描述
SOIC
TSSOP
SOIC
TSSOP
SOIC
TSSOP
SOIC
TSSOP
包
选项
1
R-24
RU-24
R-24
RU-24
R-24
RU-24
R-24
RU-24
评估板
控制器板
笔记
1
R = SOIC ; RU = TSSOP封装。
2
这可以作为一个独立的评估板，或与EVAL -CONTROL BRD2配合用于评估/演示。
3
该板是一个完整的单元，允许一台PC来控制，并与CB标志后缀的ADI评估板进行通信。
第0版
–5–
查看更多EVAL-CONTROL BRD2PDF信息
推荐型号
EM620FR16EW-10LF
EL5173IS-T13
ESAD25MD
EB51W4D50V-12800M
E13C2D2C-155.520MTR
ECOS1JA103EA
EFC240B-180F
ECQE6104F
EKMY350ESS102MK25S
EPF10K130EFI484-2
EEUFC0J272
ELXQ161VSN122MR35S
EM611FT16G-12LF
ENS1J-D28-R0020000256
ERA2AEB102X
ELL5PS560M
EMH2409
EMVS4R0ADA101ME46G
EC24-1R5M
EPA445-12
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
    QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ：2369405325 复制

    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    EVAL-CONTROL BRD2
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
北京人上科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：5645336 复制
电话：13910052844（微信同步）
联系人：刘先生
地址：海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
EVAL-CONTROL BRD2
√ 欧美㊣品
▲10/11+
10429
贴◆插
【dz37.com】实时报价有图&PDF
北京显周科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：5645336 复制
电话：13910052844（微信同步）
联系人：刘先生
地址：北京市海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
EVAL-CONTROL BRD2
√ 欧美㊣品
▲10/11+
9537
贴◆插
【dz37.com】实时报价有图&PDF
查询更多EVAL-CONTROL BRD2供应信息
深圳市碧威特网络技术有限公司
 复制成功！