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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符E型号页 > 首字符E的型号第632页 > EMH2409
订购数量: ENA1890
EMH2409
三洋半导体
数据表
EMH2409
特点
N沟道MOSFET硅
通用开关设备
应用
该EMH2409集成了一个N沟道MOSFET的具有低导通电阻和超高速开关,
从而实现高密度安装
4V DRIVE
无卤合规
特定网络阳离子
绝对最大额定值
在TA = 25℃
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
漏电流( DC )
漏电流(脉冲)
允许功耗
总功耗
通道温度
储存温度
符号
VDSS
VGSS
ID
IDP
PD
PT
总胆固醇
TSTG
PW≤10μs ,值班cycle≤1 %
当安装在陶瓷基体( 900毫米
×0.8mm)
1unit
当安装在陶瓷基体( 900毫米
×0.8mm)
2
2
条件
评级
30
±20
4
16
1.0
1.2
150
--55到150
单位
V
V
A
A
W
W
°C
°C
包装尺寸
单位:mm (典型值)
7045-002
0.2
0.2
8
5
0.125
产品&包装信息
: EMH8
JEITA , JEDEC
:-
最小包装数量: 3000个/卷。
包装类型: TL
1.7
2.1
记号
LJ
TL
1
0.5
2.0
4
0.2
LOT号
1 :源1
2 : GATE1
3 :源2
4 : GATE2
5 : Drain2
6 : Drain2
7 : Drain1
8 : Drain1
三洋: EMH8
电气连接
8
7
6
5
0.05
0.75
1
2
3
4
http://semicon.sanyo.com/en/network
D1510PE TKIM TC- 00002532号A1890-1 / 4
EMH2409
电气特性
在TA = 25℃
参数
漏极至源极击穿电压
零栅极电压漏极电流
栅极 - 源极漏电流
截止电压
正向转移导纳
静态漏 - 源极导通电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅 - 漏“米勒”充电
二极管的正向电压
符号
V( BR ) DSS
IDSS
IGSS
VGS (关闭)
|
YFS
|
RDS(on)1
RDS(on)2
RDS(on)3
西塞
科斯
CRSS
TD (上)
tr
TD (关闭)
tf
Qg
QGS
QGD
VSD
条件
ID = 1mA时, VGS = 0V
VDS = 30V , VGS = 0V
VGS = ± 16V , VDS = 0V
VDS = 10V ,ID = 1毫安
VDS = 10V ,ID = 2A
ID = 2A , VGS = 10V
ID = 1A , VGS = 4.5V
ID = 1A , VGS = 4V
VDS = 10V , F = 1MHz的
VDS = 10V , F = 1MHz的
VDS = 10V , F = 1MHz的
请参阅特定网络版测试电路。
请参阅特定网络版测试电路。
请参阅特定网络版测试电路。
请参阅特定网络版测试电路。
VDS = 15V ,V GS = 10V ,ID = 4A
VDS = 15V ,V GS = 10V ,ID = 4A
VDS = 15V ,V GS = 10V ,ID = 4A
IS = 4A , VGS = 0V
评级
30
1
±10
1.2
1.66
45
85
110
240
45
30
6.2
11
17
7.5
4.4
1.1
0.64
0.82
1.2
59
119
155
2.6
典型值
最大
单位
V
μA
μA
V
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
开关时间测试电路
10V
0V
VIN
VDD=15V
ID=2A
RL=7.5Ω
D
VOUT
VIN
PW=10μs
D.C.≤1%
G
EMH2409
P.G
50Ω
S
15.0V
10.0V
6.0V
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
ID - VDS
V
4.5
4.0
V
6
ID - VGS
VDS=10V
5
漏极电流ID -
漏极电流ID -
4
3.5V
3
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
0
0
1
2
3
25
°
C
VGS=3.0V
1
TA
75
°
C
2
--25
°
C
4
5
IT14211
漏极至源极电压VDS - V
IT14210
栅极 - 源极电压VGS - V
第A1890-2 / 4
EMH2409
240
RDS ( ON) - VGS
Ta=25°C
ID=1A
200
RDS ( ON) - TA
静态漏 - 源
通态电阻, RDS ( ON) - 毫欧
200
静态漏 - 源
通态电阻, RDS ( ON) - 毫欧
2A
160
160
120
120
A
I =1
4.0V ,D
=
V GS
=1A
V, I D
=4.5
VGS
=2A
V, I D
=10.0
V GS
80
80
40
40
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
0
--60
--40 --20
0
20
40
60
80
100
120
140
160
栅极 - 源极电压VGS - V
5
|
y
fs
|
- ID
IT16223
7
5
3
2
环境温度,钽 -
°
C
IS - VSD
IT14213
正向转移导纳,
|
y
fs
|
-- S
VDS=10V
VGS=0V
3
源出电流,是 - 个
2
1.0
7
5
2
0.1
7
5
3
2
25
3
2
°
C
0.1
0.01
2
3
5 7 0.1
2
3
5 7 1.0
2
3
5 7
IT14214
0.01
0.2
0.4
TA
75
°
C
0.6
--25
°
C
0.8
25
°
C
°
C
-25
°
C
=-
75
Ta
1.0
7
5
3
1.0
1.2
IT14215
漏极电流ID -
7
5
SW时间 - ID
VDD=15V
VGS=10V
5
3
2
西塞,科斯,的Crss - VDS
西塞
二极管的正向电压, VSD - V
f=1MHz
切换时间, SW时间 - NS
3
2
TD (关闭)
西塞,科斯,的Crss - pF的
100
7
5
3
2
10
7
5
3
2
tf
tr
TD (上)
科斯
CRSS
1.0
0.1
2
3
5
7
1.0
2
3
5
7
10
10
0
5
10
15
20
25
30
IT14217
漏极电流ID -
10
9
VGS - 的Qg
IT14216
100
7
5
3
2
漏极至源极电压VDS - V
ASO
栅极 - 源极电压VGS - V
VDS=15V
ID=4A
漏极电流ID -
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
IDP = 16A ( PW≤10μs )
ID=4A
10
0
1m
μ
s
s
10
7
5
3
2
1.0
7
5
3
2
0.1
7
5
3
2
操作在此
区域由的RDS(on )的限制。
DC
100m
s
op
ERA
TIO
n
10
ms
0.01
0.1
Ta=25°C
单脉冲
当安装在陶瓷基体( 900毫米
2
×0.8mm)
2
3
5 7 1.0
2
3
5 7 10
2
3
总栅极电荷QG - 数控
IT16151
漏极至源极电压VDS - V
5 7 100
IT16152
第A1890-3 / 4
EMH2409
1.4
PD - TA
当安装在陶瓷基板
(900mm
2
×0.8mm)
允许功耗, PD - 含
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
To
t
al
Di
ss
1u
NIT
ip
ATI
on
0
20
40
60
80
100
120
140
160
环境温度,钽 -
°C
IT16153
注意使用情况:由于EMH2409是MOSFET产品,请避免在附近使用本设备
高电荷的物体。
任何及所有三洋半导体有限公司。本文描述或载有,关于产品
"standard application" ,意为用作一般电子设备(家电,影音设备,
通信设备,办公自动化设备,工业设备等)。该产品本文档中提及不得
被设计用于为任何"special application" (医疗设备,其目的是维持生命,
航空航天仪器,核控制设备,燃烧设备,交通运输设备,交通信号
系统,安全设备等)应要求可靠性非常高的水平,可以直接威胁
人的生命的情况下产品或失效或故障的设备可能会危害人体,也不得
其给予任何保证。如果您打算使用我们的产品标准之外的应用
我们的客户是谁正在考虑和/或外部的我们的预期标准的范围,例如使用的应用程序
应用程序,请与我们之前的预期用途进行磋商。如果没有咨询或查询前
使用目的,我们的客户须自行负责使用。
产品规格的任何及所有三洋半导体有限公司。本文描述或包含的产品规定
性能,特点和所描述的产品在独立的国家职能,并
不是性能,特点,以及所描述的产品功能的保证作为安装在该
客户的产品或设备。要验证的症状和状态,不能在一个被评估
独立的设备,客户必须不断的评估和测试设备安装在客户的
产品或设备。
三洋半导体有限公司。承担设备故障而导致的使用不承担任何责任
超出的价值产品,即使是瞬间,额定数值(例如最大额定值,工作
在任何产品的规格和所有三洋半导体所列条件范围或其他参数)
有限公司。本文描述或包含的产品。
三洋半导体有限公司。努力为客户提供高品质高可靠性的产品,然而,任何和所有
半导体产品故障或误动作有一定的概率。这是可能的,这些概率的故障
或故障可能引起事故或事件,危及人的生命,麻烦,可以给
上升到烟或着火或事故可能造成损害的其他财产。在设计设备,
采取安全措施,这样就不会发生此类事故或事件。这些措施包括但
不限于保护电路和安全设计,冗余设计误差防止电路,以及
结构设计。
倘任何或所有三洋半导体有限公司。描述或包含的产品均为
在任何当地出口管制法律和法规控制,这些产品可能需要
从有关根据上述法律,当局出口许可证。
本出版物的任何部分进行复制或以任何形式或通过任何手段,电子或
机械,包括影印和录音,或任何信息存储或检索系统,或
否则,没有三洋半导体有限公司的事先书面同意。
任何与描述或此处包含的所有信息可能未经通知而发生变化
产品/技术的提高,等等。当设计产品时,请参考"Delivery Specification"的
三洋半导体有限公司。你打算使用的产品。
本文信息(包括电路图和电路参数)例如仅它不能保证
量产。
当使用的技术信息或本文描述的产品,既没有担保也没有牌照应
授予有关知识产权或三洋半导体有限公司的任何其他权利。或
第三者。三洋半导体有限公司。不得与有关第三的任何索赔或诉讼承担责任
党的它,是由于使用的技术信息和产品的知识产权
上面提到的。
该目录规定的12月, 2010年说明和信息,在此受
更改,恕不另行通知。
PS第A1890-4 / 4
订购数量: ENA1890A
EMH2409
三洋半导体
数据表
EMH2409
特点
N沟道MOSFET硅
通用开关设备
应用
该EMH2409集成了一个N沟道MOSFET的具有低导通电阻和超高速开关,
从而实现高密度安装
4V DRIVE
无卤合规
在保护二极管
特定网络阳离子
绝对最大额定值
在TA = 25℃
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
漏电流( DC )
漏电流(脉冲)
允许功耗
总功耗
通道温度
储存温度
符号
VDSS
VGSS
ID
IDP
PD
PT
总胆固醇
TSTG
PW≤10μs ,值班cycle≤1 %
当安装在陶瓷基体( 900毫米
×0.8mm)
1unit
当安装在陶瓷基体( 900毫米
×0.8mm)
2
2
条件
评级
30
±20
4
16
1.0
1.2
150
--55到150
单位
V
V
A
A
W
W
°C
°C
包装尺寸
单位:mm (典型值)
7045-006
EMH2409-TL-H
产品&包装信息
: EMH8
JEITA , JEDEC
:-
最小包装数量: 3000个/卷。
0.2
0.2
0.125
8
5
包装类型: TL
记号
1.7
2.1
LJ
TL
LOT号
1
0.5
2.0
4
0.2
1 :源1
2 : GATE1
3 :源2
4 : GATE2
5 : Drain2
6 : Drain2
7 : Drain1
8 : Drain1
三洋: EMH8
0.75
电气连接
8
7
6
5
0.05
1
2
3
4
http://semicon.sanyo.com/en/network
62712 TKIM / D1510PE TKIM TC- 00002532号A1890-1 / 7
EMH2409
电气特性
在TA = 25℃
参数
漏极至源极击穿电压
零栅极电压漏极电流
栅极 - 源极漏电流
截止电压
正向转移导纳
静态漏 - 源极导通电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅 - 漏“米勒”充电
二极管的正向电压
符号
V( BR ) DSS
IDSS
IGSS
VGS (关闭)
|
YFS
|
RDS(on)1
RDS(on)2
RDS(on)3
西塞
科斯
CRSS
TD (上)
tr
TD (关闭)
tf
Qg
QGS
QGD
VSD
IS = 4A , VGS = 0V
VDS = 15V ,V GS = 10V ,ID = 4A
VDS = 10V , F = 1MHz的
条件
ID = 1mA时, VGS = 0V
VDS = 30V , VGS = 0V
VGS = ± 16V , VDS = 0V
VDS = 10V ,ID = 1毫安
VDS = 10V ,ID = 2A
ID = 2A , VGS = 10V
ID = 1A , VGS = 4.5V
ID = 1A , VGS = 4V
评级
30
1
±10
1.2
1.66
45
85
110
240
45
30
6.2
请参阅特定网络版测试电路。
11
17
7.5
4.4
1.1
0.64
0.82
1.2
59
119
155
2.6
典型值
最大
单位
V
μA
μA
V
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
开关时间测试电路
10V
0V
VIN
VDD=15V
ID=2A
RL=7.5Ω
D
VOUT
VIN
PW=10μs
D.C.≤1%
G
EMH2409
P.G
50Ω
S
订购信息
设备
EMH2409-TL-H
EMH8
航运
3,000pcs./reel
备忘录
无铅和无卤素
第A1890-2 / 7
EMH2409
15.0V
1 0 .0 V
6.0V
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
ID - VDS
V
4 .0
V
6
ID - VGS
VDS=10V
4.5
5
漏极电流ID -
漏极电流ID -
4
3.5V
3
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
0
0
1
2
3
25
°
C
VGS=3.0V
1
TA
75
°
C
2
--25
°
C
4
5
IT14211
漏极至源极电压VDS - V
240
RDS ( ON) - VGS
IT14210
200
栅极 - 源极电压VGS - V
RDS ( ON) - TA
Ta=25°C
静态漏 - 源
通态电阻, RDS ( ON) - 毫欧
200
ID=1A
静态漏 - 源
通态电阻, RDS ( ON) - 毫欧
2A
160
160
120
120
1A
, I D =
=4.0V
V GS
1A
I =
5V ,D
=4.
VGS
=2A
V, I D
=10.0
V GS
80
80
40
40
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
0
--60
--40 --20
0
20
40
60
80
100
120
140
160
栅极 - 源极电压VGS - V
5
|
y
fs
|
- ID
IT16223
7
5
3
2
环境温度,钽 -
°
C
IS - VSD
IT14213
正向转移导纳,
|
y
fs
|
-- S
VDS=10V
VGS=0V
3
源出电流,是 - 个
2
1.0
7
5
25
3
2
°
C
0.1
7
5
3
2
0.1
0.01
2
3
5 7 0.1
2
3
5 7 1.0
2
3
5 7
IT14214
0.01
0.2
0.4
0.6
--25
°
0.8
2
TA
75
°
C
25
°
C
°
C
-25
°
C
=-
75
Ta
1.0
7
5
3
C
1.0
1.2
IT14215
漏极电流ID -
7
5
SW时间 - ID
VDD=15V
VGS=10V
5
3
2
西塞,科斯,的Crss - VDS
西塞
二极管的正向电压, VSD - V
f=1MHz
切换时间, SW时间 - NS
3
2
TD (关闭)
西塞,科斯,的Crss - pF的
100
7
5
3
2
10
7
5
3
2
tf
tr
TD (上)
科斯
CRSS
1.0
0.1
2
3
5
7
1.0
2
3
5
7
10
10
0
5
10
15
20
25
30
IT14217
漏极电流ID -
IT14216
漏极至源极电压VDS - V
第A1890-3 / 7
EMH2409
10
9
VGS - 的Qg
VDS=15V
ID=4A
漏极电流ID -
栅极 - 源极电压VGS - V
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
100
7
5
3
2
10
7
5
3
2
1.0
7
5
3
2
0.1
7
5
3
2
ASO
IDP = 16A ( PW≤10μs )
ID=4A
10
0
1m
μ
s
s
10
DC
操作在此
区域由的RDS(on )的限制。
0
op
ms
ERA
TIO
n
10
ms
0.01
0.1
Ta=25°C
单脉冲
当安装在陶瓷基体( 900毫米
2
×0.8mm)
2
3
5 7 1.0
2
3
5 7 10
2
3
总栅极电荷QG - 数控
1.4
PD - TA
IT16151
漏极至源极电压VDS - V
5 7 100
IT16152
允许功耗, PD - 含
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
当安装在陶瓷基板
(900mm
2
×0.8mm)
To
t
al
Di
ss
1u
NIT
ip
ATI
on
0
20
40
60
80
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