ESDAxxSC5
ESDAxxSC6
A.S.D.
专用迪
scretes
QUAD TRANSIL ARRAY
对于ESD保护
应用
在那里ESD瞬态过电压保护
敏感设备是必需的，如：
-COMPUTERS
- 打印机
- 通信系统
- GSM手机及配件
- 其他电话机
特点
n
n
SOT23-5L （ SC- 59 ）
ESDAxxSC5
工作原理图
SOT23-5L
SOT23-6L （ SC- 59 ）
ESDAxxSC6
n
4单向函数的Transil
低漏电流：I
R
最大。 < 20
A
at
V
BR
500瓦峰值脉冲功率（ 8/20
s)
描述
该ESDAxxSC5和ESDAxxSC6是单片
电压抑制器旨在保护
它们被连接到数据组件和
输电线路抗ESD 。
它们夹紧电压的正上方的逻辑电平
供应为正瞬变，以及一个二极管压降
在地下负瞬变。
1
2
3
5
4
好处
高ESD防护等级：最高可达25千伏
高集成度
适用于高密度电路板
SOT23-6L
1
符合以下STAN-
DARDS ：
IEC61000-4-2 ： 4级
MIL STD 883C -法3015-6 ： 3类
（人体模型）
6
5
4
2
3
2000年3月版： 5D
1/7
ESDAxxSC5 / ESDAxxSC6
绝对最大额定值
(T
AMB
= 25°C)
符号
V
PP
测试条件
静电放电 - MIL STD 883C - 法3015-6
IEC61000-4-2空气放电
IEC61000-4-2接触放电
峰值脉冲功率（ 8 / 20μS ）注1
结温
存储温度范围
无铅焊锡温度（10秒持续时间）
工作温度范围
价值
25
16
9
500
150
-55到+150
260
-40到+125
单位
kV
P
PP
T
j
T
英镑
T
L
T
op
W
°C
°C
°C
°C
注1
： 300瓦ESDA14V2SC5和ESDA14V2SC6
注2 ：
功能参数的变化是由曲线给出。
电气特性
(T
AMB
= 25°C)
符号
V
RM
V
BR
V
CL
I
RM
I
PP
参数
对峙电压
击穿电压
钳位电压
漏电流
峰值脉冲电流
电压温度系数
电容
动态电阻
正向电压降
坡度： 1
Rd
I
IF
VBR
V RM
VF
我RM
V
α
T
C
Rd
V
F
我PP
V
BR
类型
分钟。
@
I
R
I
RM
@ V
RM
马克斯。
Rd
典型值。
注1
αT
马克斯。
注2
10
-4
/°C
5
6
10
10
C
典型值。
0V偏置
pF
280
190
100
60
V
F
@
马克斯。
I
F
马克斯。
V
ESDA5V3SC5
ESDA5V3SC6
ESDA6V1SC5
ESDA6V1SC6
ESDA14V2SC5
ESDA14V2SC6
ESDA25SC6
5.3
6.1
14.2
25
V
5.9
7.2
15.8
30
mA
1
1
1
1
A
2
20
5
1
V
3
5.25
12
24
m
230
350
650
1000
V
1.25
1.25
1.25
1.2
mA
200
200
200
10
注1
：方形脉冲，则IPP = 15A ， TP = 2.5μs之。
注2
:
VBR =
αT*
（环境温度Tamb -25°C ） * VBR （ 25 ° C）
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ESDAxxSC5 / ESDAxxSC6
计算钳位电压
使用动态电阻
该ESDA系列已被设计为快速夹紧
尖峰状ESD 。一般的PCB设计
需要容易地计算出钳位电压V
CL
.
这就是为什么我们给的动态电阻
除了经典的参数。电压
穿过保护单元可以计算出
下式：
V
CL
= V
BR
+我路
PP
作为动态电阻的值保持
超过20μs的，稳定的持续飙升下
2.5μS矩形调压很好地适应。在
除了上升和下降时间进行了优化，
避免在任何寄生现象
测量路的。
其中， IPP是峰值电流通过ESDA细胞。
动态电阻测量法
静电放电的持续时间短，导致我们喜欢
一个更适于测试波，如下面所定义，该
经典的8 / 20μS和10 / 1000μs潮。
I
IPP
2s
TP = 2.5μs之
t
2.5μS时间测量波形。
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ESDAxxSC5 / ESDAxxSC6
图。 1 ：
峰值功耗与初始
结温。
PPP【 TJ初始] / PPP [ TJ初始= 25 ° C]
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
5000
图。 2 ：
峰值脉冲功率与脉冲指数
持续时间（ TJ初始= 25°C ） 。
的ppp （W）的
ESDA5V3SC5/SC6
＆放大器;
ESDA6V1SC5/SC6
1000
ESDA14V2SC5/SC6
＆放大器;
ESDA25SC6
TJ初期（ ° C）
TP （微秒）
0
25
50
75
100
125
150
100
1
10
100
图。 3 ：
钳位电压对峰值脉冲
电流（ TJ初始= 25°C ） 。
方波TP = 2.5
s.
IPP （ A）
50.0
10.0
ESDA25SC5/SC6
ESDA14V2SC5/SC6
ESDA6V1SC5/SC6
ESDA5V3SC5/SC6
图。 4 ：
电容与反向应用
电压（典型值）。
C（ pF）的
500
F=1MHz
Vosc=30mV
200
100
50
ESDA5V3SC5/SC6
ESDA6V1SC5/SC6
1.0
ESDA14V2SC5/SC6
tp=2.5s
20
VR （ V）
ESDA25SC6
VCL （ V）
0.1
0 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60 65 70 75 80
10
1
2
5
10
20
50
图。 5 ：
漏电流与相对变化
结温度（典型值）。
IR [ TJ ] / IR [ TJ = 25 ° C]
200
100
ESDA14V2SC5/SC6
＆放大器;
ESDA6V1SC5/SC6
图。 6 ：
峰值正向压降与峰值
正向电流（典型值）。
IFM （ A）
5.00
1.00
ESDA5V3SC5/SC6
ESDA14V2SC5/SC6
＆放大器;
ESDA6V1SC5/SC6
ESDA25SC6
ESDA25SC6
10
TJ （ ° C）
1
25
50
75
ESDA5V3SC5/SC6
0.10
VFM （ V）
100
125
Tj=25°C
0.01
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
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ESDAxxSC5 / ESDAxxSC6
通过ESDAXXXSCX ESD保护
静电放电（ESD ）是一个主要的原因
失败中的电子系统。
瞬态电压抑制器（ TVS）是一种理想
选择ESD保护。它们能够
钳位输入瞬态过压到
足够低的水平，使得损坏
防止保护半导体。
表面贴装TVS阵列提供了最好的选择
最小的引线电感。
它们用作并联保护元件
连接在信号线和接地之间。如
瞬时上升到高于工作电压的
该装置中， TVS阵列变为低
阻抗路径转移到瞬态电流
地面上。
I / O线
ESD
敏感
设备
GND
ESDA6V1SC6
（ 1连接到GND ESDAxxSC5 ）
该ESDAxxSCx阵列是理想的板级
保护ESD敏感的半导体
组件。
这种微小的SOT23-5L和SOT23-6L封装允许
设计的灵活性，在高密度电路板，其中
节省空间是非常宝贵的。这使得能够
缩短路由，并有助于硬化
针对ESD的。
忠告优化电路板
布局
电路板的布局是在一个关键的设计步骤
抑制ESD瞬变引起的。该
建议遵循以下原则：
n
该ESDAxxSC5 / 6应该放在尽可能接近
能够在输入端子或连接器。
n
n
n
n
ESD抑制器之间的路径长度
和保护线路应尽量减少
所有导电回路，包括电力和
接地回路应尽量减少
该ESD瞬变接地回路应
保持尽可能的短。
接地层时应使用possi-
BLE 。
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