EDZ15B
二极管
电气特性曲线
(Ta=25°C)
10
1
齐纳电流： IZ （MA ）
0.1
4.7
0.01
4.3
3.9
5.6
3.6
5.1
6.2
6.8
7.5
8.2 9.1
10
11 12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
0.001
0
5
10
15
20
齐纳电压： VZ（ V）
VZ- IZ特性
25
30
35
40
160
功耗：钯（MW ）
140
10000
PRSM
t
120
100
80
60
40
20
0
0
25
50
75
100
125
150
环境温度： TA（ ℃ ）
PD-钽特性
0.12
0.1
40
35
30
25
20
15
10
5
0
-5
0
10
20
30
齐纳电压： VZ（ V）
γz - Vz的特性
40
反向浪涌最大
POWER： PRSM （ W）
1000
100
10
1
0.1
0.001
0.01
0.1
1
10
100
时间： T（毫秒）
PRSM - 时间特性
1000
Rth的第（j-一）
短暂
THAERMAL阻抗的Rth （ ℃ / W）
TEMP.COEFFICIENCE ： γz （MV / ℃ ）
100
TEMP.COEFFICIENCE ： γz （ ％ / ℃ ）
0.08
0.06
0.04
0.02
0
-0.02
-0.04
-0.06
-0.08
RTH （J -C ）
10
安装在环氧板
IM=10mA
IF=100mA
1
1ms
时间
300us
0.1
0.001
0.01
1
10
100
时间： T（ S）
RTH- T特性
0.1
1000
REV.C
3/4
EDZ15B
二极管
10
反向电流： IR （ NA）
Ta=25℃
齐纳电流： IZ （MA ）
1
Ta=125℃
100
10
1
0.1
0.01
0.001
0.0001
12
13
14
15
16
齐纳电压： VZ（ V）
VZ- IZ特性
17
0
1
2
3
4
5
6
7
Ta=125℃
100
f=1MHz
之间的电容
端子的CT （PF ）
Ta=75℃
Ta=75℃
0.1
Ta=25℃
Ta=-25℃
10
0.01
Ta=-25℃
0.001
1
8
9 10 11
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10 11
反向电压VR （ V）
VR -IR特性
反向电压VR （ V）
VR -CT特征
14.7
14.6
14.5
14.4
14.3
14.2
VZ DISRESION地图
AVE ： 14.52V
Ta=25℃
IZ=5mA
n=30pcs
1
电容
BETWEENTERMINALS的CT （PF ）
0.9
反向电流： IR （ NA）
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
IR DISRESION地图
AVE ： 0.071nA
Ta=25℃
VR=11V
n=30pcs
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
10
CT DISRESION地图
AVE ： 16.30pF
Ta=25℃
f=1MHz
VR=0V
n=10pcs
齐纳电压： VZ（ V）
动态阻抗： ZZ （ Ω ）
10000
1000
100
10
1
0.1
1
齐纳电流（毫安）
ZZ- IZ特性
10
REV.C
4/4
附录
笔记
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本文所描述的内容如有更改，恕不另行通知。规格为
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该规范将单独提供。
此处包含的应用电路图和电路常数被示为标准的例子
在使用和操作。在设计电路时，请小心留意周边环境
并决定在集合中的电路常数。
任何数据，包括但不限于：应用电路图信息，在此描述
仅作为这样的装置的示意图，而不是作为规格为这样的设备。 ROHM
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第三方的知识产权或其他专有权利，并进一步将需承担任何责任
凡在任何此类侵权，或产生的事件的性质，或有或相关连接
在使用这样的装置的。
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本文档中列出的产品有没有抗辐射设计。
本文件中所列出的产品被设计成与通常的电子设备或装置使用
（如视听设备，办公自动化设备，通信设备，电气
电器及电子玩具） 。
如果您打算使用这些产品的设备或设备要求非常高的水平
可靠性和使用，将直接危及人的生命发生故障（如医疗器械，
交通运输设备，航空器械，核反应控制器，燃料控制器等
安全设备） ，请务必提前与我们的销售代表咨询。
关于出口管制令日本
产品本文描述的品控对象附件出口贸易管制的1 （ 16项）
订单在日本。
在从日本出口，请确认它是否适用于"objective"标准或"informed" （由通产省第）
对"catch大规模杀伤性武器不扩散的所有控件的基础。
Appendix1-Rev1.1
QQ：2881677436 复制
